通常把恆速升溫熱分析曲線上晶化放熱峰的起始溫度或峰值溫度定義為晶化溫度。可用電阻法或其它方法測定晶化溫度。如果給予足夠長的時間,有初級晶化和多晶形晶化二種形式,故有些物質可出現兩個或多個放熱峰。
基本介紹
- 中文名:晶化溫度
- 外文名:crystallization temperature
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
通常把恆速升溫熱分析曲線上晶化放熱峰的起始溫度或峰值溫度定義為晶化溫度。可用電阻法或其它方法測定晶化溫度。如果給予足夠長的時間,有初級晶化和多晶形晶化二種形式,故有些物質可出現兩個或多個放熱峰。
通常把恆速升溫熱分析曲線上晶化放熱峰的起始溫度或峰值溫度定義為晶化溫度。可用電阻法或其它方法測定晶化溫度。如果給予足夠長的時間,有初級晶化和多晶形晶化二種形式,故有些物質可出現兩個或多個放熱峰。定義通常把恆速升溫熱分析曲...
TX TX,在材料科學中代表晶化開始溫度。
《低活化高晶化溫度金屬玻璃的離子束輻照損傷研究》是依託大連理工大學,由梅顯秀擔任醒目負責人的面上項目。項目摘要 第一鏡是核聚變電漿光學診斷的重要組成部分,目前第一鏡的主要候選材料為金屬材料(如不鏽鋼、鉬、鎢等),儘管金屬...
(2)1kHz的飛秒雷射輻照非晶矽薄膜後,會使得輻照區域的薄膜產生晶化現象,從而增進該薄膜在可見和紅外波段的光學吸收。(3)Fe基非晶合金塗層進行高溫熱處理,高於晶化溫度後,能發生完全晶化,析出富Fe相和Fe(C,B)6等硼化物硬質相,...
吳南春等[31 ]採用氫氧化物為前驅物 ,在 2 0 0℃酸性水熱條件下製備了分散良好 ,晶粒尺寸為 5nm~ 1 0 nm的 Ce O2 納米粉末 ,並對水熱晶化的溫度、時間和溶劑酸鹼性與產物晶粒形貌的相互關係進行了研究。由於水熱晶化法製備...
研究引入Cr₂O₃作為晶核劑的鎳渣微晶玻璃的成核及晶化過程。利用DSC測試來確定基礎玻璃的晶化溫度,並利用修正的Johnson-Mehl-Avrami(JMA)方法初步計算以鎳渣為主要原料所製備的基礎玻璃在加入質量分數2%的Cr₂O₃作為晶核劑後的...
(4)零件產品質量有效控制。通過對變形量、退火溫度與時間等工藝參數臨界控制,獲得所需的組織結構,實現零件產品質量的有效控制,提高產品的安全性、可靠性與使用壽命。附圖說明 圖1細晶化形變熱處理示意圖 圖2實施例1紫銅原材料的晶粒...
非晶鐵芯是由鐵基非晶帶材製作而成的機器零件,晶化溫度是550度。套用領域 各種變壓器鐵芯,如航空變壓器、鐵路控制系統變壓器、機械零件淬火設備變壓器、雷射電源變壓器等。性能特點 用鐵基非晶帶材製造,具有高飽和磁感、低損耗,可大大減輕...
燒結溫度比高溫固相反應溫度低, 晶粒大小隨溫度和時間的增加而增大, 完全晶化溫度約為750 ℃左右。與共沉澱法相比, 該法合成的納米粉體僅在燒結時才出現團聚, 且在不高的溫度( 700~800 ℃) 晶化完全。這樣可以節約能源, 避免由於...
在上述高矽鋁比NaY沸石的合成方法中,優選地,所述合成NaY沸石的步驟中,所述晶化溫度為90-120℃,晶化時間為20-30小時。改善效果 《一種高矽鋁比NaY沸石的合成方法》所提供的高矽鋁比NaY沸石的合成方法,其製備過程中不添加模板劑...
8、根據權利要求4所述的有機矽微孔沸石的合成方法,其特徵在於晶化反應溫度為 100〜180°C,晶化反應時間為2〜60小時。9、根據權利要求4所述的有機矽微孔沸石的合成方法,其特徵在於所述反應混合物在晶化之前先在10〜80°C條件...
20世紀90年代初發現a-Si中加入一些金屬如Al,Cu,Au,Ag,Ni等沉積在a-Si∶H上或離子注入到a-Si∶H薄膜的內部,能夠降低a-Si向p-Si轉變的相變能量,之後對Ni/a-Si:H進行退火處理以使a-Si薄膜晶化,晶化溫度可低於500℃。但...
另外在正常晶化溫度(150-185攝氏度)下四丙基氫氧化銨(TPAOH)就有分解發生,不僅增加TPAOH的消耗,而且分解產生的三丁胺和丙醇容易導致TS-1分子篩缺陷,造成晶化產品不合格和成品率低,因此合成出的TS-1分子篩的成本很高,使其套用...
另外,矽鋁酸根離子的溶度積與凝膠的結構和溫度息息相關,隨著晶化溫度的變化,這種凝膠和液相之間建立起新的凝膠和溶液的平衡。其次,液相中多矽酸根與鋁酸根濃度的增加導致晶核的形成,然後是沸石分子篩晶體的生長。在沸石分子篩的成核...
且工藝簡單 。但傳統的電熱爐退火進行固相晶化時,晶化時間長達幾個至幾十個小時,耗能及製造成本高 。而採用 RTA,在較高溫度下幾分鐘內就可使非晶矽晶化,而且晶化後的多晶矽膜缺陷較少、內應力小。
另外,在矽基電路能承受的較低結晶溫度下,闡述取向類型與疲勞特性之間的關係也是非常必要的。本項目選取0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3- 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 壓電薄膜為研究對象,針對薄膜在製備過程中晶化溫度過高、界面擴散嚴重等一...
(3)高溫晶化,低溫相變,使鑄件表面容易清理乾淨。缺點 (1)粉料粒度分布範圍窄,再加上密度小,不利於塗料流淌、滴落;由於熔融石英塗料漿透明度高,使操作者難於識別塗料厚度和均勻程度。(2)作為面層撒砂,熔融石英砂粒形為...
並與計算相比較,以驗證模型。對部分獲得的非晶態合金薄膜,在電鏡下動態退火,找到其晶化溫度,為其實際套用提供可靠數據。.建立的理論模型將為研究非晶態合金和複合材料的巨觀力學性能提供基本物理參數,因此有重要的學術價值和科學意義。
除了結構導向劑的物理和化學屬性外,結構導向效應還受原料、反應混合物的摩爾組成、礦化劑、雜原子、溶劑、晶化溫度及時間等合成變數的影響。本項目立足於結構類型多、合成條件豐富的微孔磷酸鋁合成體系,以只改變一個合成變數就能改變結構...
隨著晶粒的生長,結晶度的提高,粒子的比表面迅速降低,由45℃時的644m²/g降至90℃時的391m²/g,經200℃晶化後,比表面顯著下降。小粒子不斷溶解,大粒子的不斷生長是造成比表面下降的主要原因。隨著反應溫度的升高,孔容逐漸...
影響玻璃陶瓷製備及最終性能的重要因素有高溫黏度、玻璃化溫度及晶化熱處理過程中的析晶和分相等。出現過程 玻璃陶瓷也叫微晶玻璃,它是在玻璃中可控地析出晶體而形成的無孔多晶材料。其中,晶相的體積分數在95%-98%之問,且晶粒尺寸通常...
本課題擬從薄膜的各種製備參數對於薄膜均勻性、附著力、光電導性能的影響,以及薄膜的其他各項性能如晶化溫度等入手開展幾個方面的研究:(1)合金摻雜元素如氯、砷、碲等對於薄膜晶化、載流子遷移率的影響;(2)薄膜厚度和面積的控制;...