20世紀90年代初發現a-Si中加入一些金屬如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉積在a-Si∶H上或離子注入到a-Si∶H薄膜的內部，能夠降低a-Si向p-Si轉變的相變能量，之後對Ni/a-Si:H進行退火處理以使a-Si薄膜晶化，晶化溫度可低於500℃。
基本介紹
- 中文名：金屬橫向誘導法(MILC)
- 外文名：(MILC)
- 多晶矽薄膜：具有均勻性高、成本低
- 誘導溫度：一般在500℃
- 持續時間：在1O小時左右
- 發現：20世紀90年
但由於存在金屬污染未能在TFT中套用。隨後發現Ni橫向誘導晶化可以避免孿晶產生，鎳矽化合物的晶格常數與單晶矽相近、低互溶性和適當的相變能量，使用鎳金屬誘導a-Si薄膜的方法得到了橫向結晶的多晶矽薄膜。橫向結晶的多晶矽薄膜的表面平滑，具有長晶粒和連續晶界的特徵，晶界勢壘高度低於SPC多晶矽的晶界勢壘高度，因此，MILC TFT具有優良的性能而且不必要進行氫化處理。利用金屬如鎳等在非晶矽薄膜表面形成誘導層，金屬Ni與a-Si在界面處形成NiSi2的矽化物，利用矽化物釋放的潛熱及界面處因晶格失錯而提供的晶格位置，a-Si原子在界面處重結晶，形成多晶矽晶粒，NiSi2層破壞，Ni原子逐漸向a-Si層的底層遷移，再形成NiSi2矽化物，如此反覆直a-Si層基本上全部晶化，其誘導溫度一般在500℃，持續時間在1O小時左右，退火時間與薄膜厚度有關。
金屬誘導非晶矽晶化法製備多晶矽薄膜具有均勻性高、成本低、相連金屬掩蔽區以外的非晶矽也可以被晶化、生長溫度在500℃。但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，並且隨著熱處理時間的增長速率會降低。我們採用MILC和光脈衝輻射相結合的方法，實現了a-Si薄膜在低溫環境下快速橫向晶化。得到高遷移率、低金屬污染的多晶矽帶。
2 無反光鏡可交換鏡頭相機(MILC)
