《多功能氧化物在矽襯底上集成的研究》是依託復旦大學,由車靜光擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:多功能氧化物在矽襯底上集成的研究
- 依託單位:復旦大學
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:車靜光
《多功能氧化物在矽襯底上集成的研究》是依託復旦大學,由車靜光擔任項目負責人的面上項目。
《多功能氧化物在矽襯底上集成的研究》是依託復旦大學,由車靜光擔任項目負責人的面上項目。項目摘要傳統電子學器件的微型化越來越困難,已快接近Si基技術極限,出路之一是利用電子另一內稟特性,自旋。從傳統電子學轉向自旋電子學,誘...
《矽襯底上集成的新型可調微波電容器研究》是依託上海交通大學,由張叢春擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 與半導體變容管及MEMS變容器相比,鈦酸鍶鋇(BST)薄膜壓控電容器有較高的調節率和可控性,調節速度較快,同時易於與MMIC電路集成,因此在可調微波器件方面有廣闊的套用前景。但是必須設法降低BST薄膜的...
在主持完成的上海市國際合作項目“新型矽集成ZnO基紫外光電探測材料和原型器件的研究”中,在矽襯底上製備出高質量p型摻雜和帶隙可調的ZnO基薄膜,探索薄膜生長控制機理和摻雜機理。得到具有最佳光譜回響的薄膜體系,設計製作ZnO基光電紫外探測器原型器件。作為骨幹參與了國家863計畫項目“納米結構氧化物薄膜及其在電阻式...
矽襯底LED晶片是GaN基在矽襯底上製造的一種led晶片,矽襯底LED晶片問世不久,但是在硬度、導電性、導熱性、價格及加工工藝上已經相較傳統LED晶片有了明顯的優勢,受到業界的廣泛關注。製造工藝 採用thomas swan ccs低壓mocvd系統在50 mm si(111)襯底上生長gan基mqw結構。使用三甲基鎵(tmga)為ga源、三甲基鋁(tmai)...
集成電路設計最常使用的襯底材料是矽。設計人員會使用技術手段將矽襯底上各個器件之間相互電隔離,以控制整個晶片上各個器件之間的導電性能。PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了積體電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑藉其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字積體電路中邏輯門的基礎構造。...
最終全部利用原子層沉積技術在矽襯底上構建了由透明導電薄膜、high-k複合介質薄膜、以及稀土摻雜的氧化矽薄膜構成的矽基MOS結構複合薄膜電致發光器件,通過系統研究器件的電致發光性能,最佳化器件結構,獲得了高效率的紫外、藍色和綠色矽基電致發光, 完成了項目的預期目標。
《矽基含銅鐵電薄膜異質結集成研究》是依託河北大學,由劉保亭擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目以實現含銅矽基鐵電器件尤其是鐵電存儲器的集成為目的,套用磁控濺射和溶膠凝膠沉積法,藉助Ni-Al等金屬間化合物薄膜作阻擋層,在矽襯底上生長Cu薄膜,研究Ni-Al等的組分、結晶狀態、厚度、雜質含量等對Cu薄膜...
在矽襯底上製備其它體系高溫結構的金屬間化合物(如Ni-Al)薄膜,通過改變濺射功率,沉積氣壓等參數調製薄膜的結構和性質,研究可用於矽襯底和鐵電薄膜集成的新的阻擋層材料。藉助於沉積工藝和材料結構的研究,探索製備外延導電阻擋層的可能性。研究Si襯底上複合集成的氧化物/PZT/氧化物/金屬間化合物異質結的生長過程、...
化學氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應氣體,在一定的保護氣氛下反應生成矽原子並沉積在加熱的襯底上,襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。但研究發現,在非矽襯底上很難形成較大的晶粒,並且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用LPCVD在襯底上沉熾一層較薄的非晶矽層,再將這層非晶矽...
同時,集成電路製造商利用SOI還能夠生產出在待機和操作模式下功耗更低的CMOS電路。由於此結構中絕緣層把活動矽膜層與體型襯底矽基板分隔開來,因此大面積的p-n結將被介電隔離(dielectric isolation)取代。源極和漏極(drain regions)向下延伸至氧化埋層(buried oxide BOX),有效減少了漏電流和結電容。其結果必然...
居里溫度和磁電阻效應的變化規律,發現這些體系輸運機理的差異;鈧的取代發生在B位,摻雜後晶系不變,錳氧鍵長及晶胞體積發生改變,適量鈧的摻入在使體系居里溫度降低的同時也使磁電阻產應顯著增強;研究稀土錳基氧化物的同質、異質複合等體系,發現複合後磁電阻效應均有顯著的增強,在矽襯底上製備鈣鈦礦的多界、低...
同時提高了柵疊層的可靠性,降低集成電路功耗。本項目最終實現了如下研究目標:(1)研究聲子能量耦合物理效應在氧化物/界面層及矽襯底中產生的物理機理;(2)採用原子層沉積(ALD)工藝方法,製備EOT為0.6-1nm的HfO2/IL柵疊層並提高柵疊層的可靠性;(3)大幅降低基於超薄HfO2/IL柵疊層的MOS器件的漏電流和功耗。
基於矽通孔的三維集成電路互連技術,將具有不同功能的異質晶片垂直堆疊在一起以實現三維互連,能夠大幅度的降低全局互連線的長度、互連延遲、各種寄生效應以及功耗等。考慮到TSV對3D IC的重要性,新型TSV結構及特性研究變得非常重要。 本項目提出了空氣隙同軸TSV,在考慮了金屬-絕緣體-半導體結構、襯底渦流損耗、電流...
三維集成技術被認為是實現小型化、高密度、多功能的首先方案。相對於二維集成,三維集成有許多優點:集成度高、可實現多種晶片的集成、提高速度、改善性能以及減小體積和重量,受到了研究人員的廣泛關注。而矽通孔(Through Silicon Via,TSV)技術是實現三維集成的最主要的方法,成為當前微電子行業研究的重點。本項目對...
套用SrTiO3作阻擋層/模板,在矽襯底下製備了外延LSCO/PZT/LSCO電容器,發展了一種製備外延多元氧化物與矽襯底集成的通用方法;套用物理化學混合方法製備了MgB2薄膜,揭示了MgB2薄膜超導機理;製備了小門電極的鐵電/超導場效應器件,研究了混合態的場效應;與美國研究人員合作製備了同時具有鐵電性和鐵磁性的BiFeO3薄膜...
(2009年11月9日,北京)東芝宣布推出一款新型的CMOS圖像感測器,可使數位照相機以及支持視頻成像功能的手機達到1460萬像素。通過利用BSI技術將CMOS成像的靈敏度提升到了一個新的水平。具體操作是將透鏡排列在感測器後方的矽襯底上,而不是前方,前方的配線會限制光的吸收。與東芝現有產品相比,這種定位方式下的感光度和...
微系統技術是由集成電路技術發展而來的,經過了大約20年的萌芽階段,即由20世紀60年代中期到20世紀80年代。在這段萌芽時期,主要是開展一些微系統技術的零散研究。例如,開發了矽各向異性腐蝕技術用於在平面矽襯底上加工三維結構;一些研究機構和工業實驗室里的研究者開始利用積體電路的加工技術製造微系統技術器件,例如...
m,晶片尺寸為16.3mm X 16.3mm由三個電晶體和一個光電二極體構成。把時鐘電路模組、A/D轉換模組、輸出放大器模組等與感測器陣列集成在一個單片襯底上的研究也在同時進行之中。CCD圖像採集系統 CCD以其優良的性能受到圖像採集領域的青睞,但單獨的一塊CCD晶片是遠遠不能完成圖像採集的,還需要相關的驅動、時序控制...
(7)國家自然基金面上項目:GaN與ZnO異質外延中的Si基協變超薄中間層研究,項目負責人,經費23萬。(8)國家973項目“半導體光電信息功能材料的基礎研究”子課題:大失配異質體系材料襯底研究,子課題負責人,經費129萬。(9)國家973項目“信息功能材料基礎研究”子課題:大失配異質結構材料柔性襯底研究,子課題負責人...
俞大鵬長期從事功能準一維納米結構與物理研究,在半導體納米線製備與物性研究方面完成了一系列開創性和系統深入的研究工作;率先發展了催化劑引導下的納米線可控制備技術並製備了矽和金屬氧化物納米線材料,解決了規模、可控制備納米線材料的難題;深入揭示了納米線材料特有的系列與尺寸和表面密切相關的光電和力電耦合等...
)新型白光LED 發光材料和照明燈具技術,研製的“ 空氣對流散熱式大功率LED 系列路燈燈具” ,為河北省唯一列入國家政府採購目錄的半導體照明燈具產品;(4 )鐵性薄膜材料及器件,開發出兩種可用作Cu 和Si 阻擋層的超薄金屬間化合物薄膜材料, 並在矽襯底上構架了具有良好鐵電性能的鐵電電容器 ;(5 )新型熱電功能...
《一種氣體感測器及感測器陣列》公開了一種氣體感測器,包括依次層疊設定的矽襯底、檢測電極、第一隔離膜、加熱電阻和第二隔離膜,具有基體結構和自由端捲曲的懸臂結構,在懸臂結構的端部上設有氣敏材料。該發明還提供了一種由氣體感測器組成的感測器陣列,該發明的優點在於,該感測器功耗低、尺寸小、集成度高,加熱均勻...
8.2.1覆蓋透明導電氧化物的玻璃襯底 8.2.2TiO2光電極 8.2.3釕絡合物光敏化劑 8.2.4對電極 8.2.5密封材料 8.3機理 8.4DSSC電池的產業化前景 參考文獻 第9章各種電池在套用中的比較 9.1各種產業化電池效率的比較 9.2溫度係數 9.3組件的衰減 9.4光譜回響特性 9.5不同組件的成本與發電成本 9.6...
氮化鎵納米棒的製備,由清華大學范守善教授等完成。他們首次利用碳納米管制備出直徑3~40納米、長度達微米量級的半導體氮化鎵一維納米棒,並提出碳納米管限制反應的概念。並與美國史丹福大學戴宏傑教授合作,在國際上首次實現矽襯底上碳納米管陣列的自組織生長。準一維納米絲和納米電纜,由中國科學院固體物理研究所張立德研究...
2.1鍺矽的分子束外延生長技術 2.1.1 分子束外延技術簡介 2.1.2鍺矽分子束外延系統 2.1.3矽襯底片的清洗 2.1.4鍺襯底片的清洗 2.2表征技術 2.2.1反射式高能電子衍射 2.2.2俄歇電子能譜 2.2.3原子力顯微鏡 2.2.4 X射線衍射 2.2.5 X射線光電子能譜 2.2.6透射電子顯微鏡 2.2.7電學性質...
固體圖像感測器 image solid transducer 採用固體圖像敏感器件將二維圖像變換為電信號的光電式感測器。固體圖像敏感器件是高度集成化(即固體化)的半導體光敏元陣列。70年代以來,隨著矽半導體工藝和積體電路技術的發展,已能在大尺寸的矽襯底上製成特性均勻的半導體結、並能達到很高的集成度。這就為製造固體圖像敏感器件創造...
除JFET以外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將電晶體調製至運行;在電路設計中,很少讓體端發揮大的作用,但是當物理設計一個集成電路的時候,它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度(length)L,是指源和漏的距離。寬度(width)是指...
第12章 矽器件的輻射效應 第三部分 複合半導體器件與技術 第13章 使用直接生長技術的GaN/InGaN雙異質結雙極電晶體 第14章 氮化鎵高電子遷移率電晶體技術與套用 第15章 基於CaN的金屬-氧化物-半導體高電子遷移率電晶體的表面處理、工藝和性能 第16章 下一代高功率/高溫器件——大尺度矽襯底氮化鎵基HEMT器件 第17...
《MOS電晶體的形成方法》是中芯國際集成電路製造(上海)有限公司於2013年5月21日申請的專利,該專利的公布號為CN104183490A,申請號為2013101903129,授權公布日為2014年12月3日,發明人是韋慶松、於書坤。一種MOS電晶體的形成方法,包括:提供半導體襯底,所述半導體襯底具有第一區域和第二區域;在所述第一區域和...
就構成了一幅完整的畫面。晶片構造 ccd圖像感測器是按一定規律排列的mos(金屬—氧化物—半導體)電容器組成的陣列,在p型或n型矽襯底上生長一層很薄(約120nm)的二氧化矽,再在二氧化矽薄層上依次序沉積金屬或摻雜多晶矽電極(柵極),形成規則的mos電容器陣列,再加上兩端的輸入及輸出二極體就構成了ccd晶片。