納米半導體器件與技術/高新科技譯叢

基本介紹

內容簡介

納米電子學是一個正在興起的兆億美元的產業。經過幾年的時間即可發展成熟，屆時，它將囊括日常生活中當前流行的所有微電子技術(手機、計算機、網路等)。這些改變將藉助於以後把器件尺寸減少到幾十個納米，增加納米器件、納米感測器和納米致動器以及發展新的器件結構。納米電子學將盛行於生活的各方各面(通信、計算、存儲、演示和能源製備)。納米半導體是納米電子學領域的一個必不可少的部分。
《納米半導體器件與技術》(作者印紐斯基)分三部分。
本書涵蓋了廣泛、多樣的內容，編者非常希望讀者可以被本書吸引，發現納米電子學領域在科研和日常生活中都是有趣和有用的。

作者簡介

作者:(加)印紐斯基譯者:劉明、呂杭炳

圖書目錄

第一部分半導體材料
第1章碳納米管中的電子運動：從電子動力學到電路模型
1．1 引言
1．2 碳納米管的電子動力學
1．2．1 概述
1．2．2 碳納米管的能帶結構
1．2．3 碳納米管的構造
1．2．4 單壁和多壁碳納米管中有效的溝道數量
1．3 電磁學中的套用：碳納米管作為一種新型的散射材料
1．3．1 概述
1．3．2 碳納米管散射的電磁學模型
1．4 電路中的套用：碳納米管作為一種新型的互連材料
1．4．1 納米級互連中的碳納米管
1．4．2 碳納米管互連的TL模型
1．4．3 束狀碳納米管作為新型的晶片封裝的互連材料
1．5 結論
參考文獻
第2章碳納米管與cMos的單片集成
第3章便捷的、可擴展的外圍電化學方法製備二氧化鈦憶阻器
第4章有機半導體中的自旋傳輸：最初八年的簡要概述
第二部分矽器件和技術
第5章 siGc BicMoS技術與器件
第6章新型的高性能低功耗器件範例：極限FDSOI多柵MOSFET和多勢壘促進柵極共振隧穿FET
第7章三維晶片集成技術的發展
第8章嵌入式STT—MRAM
第9章非易揮發性存儲器件：阻變存儲器
第10章 DRAM技術
第11章單晶矽太陽能電池的最佳化和模型
第12章矽器件的輻射效應
第三部分複合半導體器件與技術
第13章使用直接生長技術的GaN/InGaN雙異質結雙極電晶體
第14章氮化鎵高電子遷移率電晶體技術與套用
第15章基於CaN的金屬-氧化物-半導體高電子遷移率電晶體的表面處理、工藝和性能
第16章下一代高功率/高溫器件——大尺度矽襯底氮化鎵基HEMT器件
第17章套用於手機終端的砷化鎵異質結雙極型電晶體及功率放大器設計
第18章 Ⅲ族氯化物的負微分電阻和共振隧穿
第19章三氮化物半導體子能帶光電學的新發展

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