《矽襯底上集成的新型可調微波電容器研究》是依託上海交通大學，由張叢春擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：矽襯底上集成的新型可調微波電容器研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：張叢春
- 依託單位：上海交通大學
- 負責人職稱：副教授
- 批准號：60701012
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 申請代碼：F0119
- 支持經費：23（萬元）
項目摘要
與半導體變容管及MEMS變容器相比，鈦酸鍶鋇（BST）薄膜壓控電容器有較高的調節率和可控性，調節速度較快,同時易於與MMIC電路集成，因此在可調微波器件方面有廣闊的套用前景。但是必須設法降低BST薄膜的介質損耗同時可調性又足夠高，且最好能與矽襯底集成以減小體積、降低能耗。針對這些問題，本項目提出在矽襯底上集成加工可調微波電容，通過在襯底和BST薄膜間插入與BST薄膜晶格相匹配的氧化物緩衝層，調整BST薄膜的取向，改善了可調性。同時嘗試插入絕緣薄膜緩衝層，形成BST/氧化物異質結構，試圖突破以往研究報導中雖然能減小損耗但也會極大的降低可調率的瓶頸，為新型可調微波器件的研製提供了一種新的探索方向。用微細加工技術加工可調電容，並評價其高頻特性，深入系統探討通過插入緩衝層在矽襯底上加工BST薄膜可調微波電容的有效途徑，這對新一代可調微波器件的開發乃至對數字通信的發展具有重要意義。
