《矽基鐵電存儲器構架中金屬間化合物導電阻擋層研究》是依託河北大學，由劉保亭擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：矽基鐵電存儲器構架中金屬間化合物導電阻擋層研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：劉保亭
- 依託單位：河北大學
- 批准號：50572021
- 申請代碼：E0206
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
本項目以實現鐵電器件與矽襯底集成的金屬間化合物阻擋層的研究為目的，通過磁控濺射法在矽襯底上製備Ti-Al薄膜，採用電鏡、X射線衍射等研究Ti-Al上面高溫生長氧化物（如：La-Sr-Co-O）薄膜前後的結構以及輸運性質等，系統研究Ti-Al薄膜用作導電阻擋層的規律。在矽襯底上製備其它體系高溫結構的金屬間化合物（如Ni-Al）薄膜，通過改變濺射功率，沉積氣壓等參數調製薄膜的結構和性質，研究可用於矽襯底和鐵電薄膜集成的新的阻擋層材料。藉助於沉積工藝和材料結構的研究，探索製備外延導電阻擋層的可能性。研究Si襯底上複合集成的氧化物/PZT/氧化物/金屬間化合物異質結的生長過程、結構和物理性質。套用微加工等手段構造鐵電電容器並按實用鐵電存儲器的要求進行極化強度、脈寬依賴性等相關表征。本項目的完成可以為金屬間化合物阻擋層的研究提供基礎，發現新的導電阻擋層材料，促進矽基鐵電存儲器和鐵電器件的發展。
