半絕緣砷化稼單晶sem,-}}S}W}}R c} uy.sW電阻率 大十i x iota }的砷化鋅單晶
基本介紹
- 中文名:半絕緣砷化稼單晶
- 所屬學科:化學
半絕緣砷化稼單晶sem,-}}S}W}}R c} uy.sW電阻率 大十i x iota }的砷化鋅單晶
《半絕緣砷化鎵》是一種光電積體電路的重要襯底材料。電阻率大於1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶。最早使用摻入鉻、氧等深受主雜質補償矽等淺施主來生長半絕緣單位,現在主要使用高壓單晶爐用熱解坩堝由砷、鎵直接合成非摻雜電子遷移率半絕緣單晶。為高速、高頻器件及電路、光電積體電路的重要襯底材料。也可以用作二氧化碳...
《半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法》是2016年7月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2015年12月10日,《半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法》發布。2016年7月1日,《半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測試方法》實施。起草工作 主要起草單位:信息產業專用材料質量監督檢驗中心、天津...
《半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法》是2016年7月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2015年12月10日,《半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法》發布。2016年7月1日,《半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法》實施。起草工作 主要起草單位:信息產業專用材料質量監督檢驗中心、天津市環歐...
作為第二代半導體,砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。2001年7月31日,中國科學家宣布已掌握一種生產這種材料的新技術,使中國成為繼日本、德國之後掌握這一技術的又一國家。 北京有色金屬研究總院宣布,國內成功拉制出了第一根直徑4英寸的VCZ半絕緣砷化鎵單晶。據專家介紹,砷化鎵可在一塊晶片上同時...
砷化鎵材料的製備 與矽相仿,砷化鎵材料也可分為體單晶和外延材料兩類。體單晶可以用作外延的襯底材料,也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路(採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶)。重點是液封直拉法(即液封喬赫拉斯基法,簡稱LEC法),但水平舟生長法(即水平布里其曼法)因制出的單晶質量和均勻性較好,仍然受到...
砷化鎵積體電路是一種半導體積體電路,主要採用砷化鎵做為半導體材料。砷化鎵積體電路具有的優勢主要包括:高頻率、高速度、高功率、低噪聲和低功耗。CMOS的工作頻率上限大約為150MHz,與雙極晶體管技術相結合的BiCMOS可以將工作頻率提高到300MHz,再要求提高頻率將不得不採用ECL技術,其工作頻率可以提高到2~ 5GHz。樣品...
《半絕緣LEC砷化鎵中EPR"AsGa"缺陷和EL2缺陷本性的鑑別》是一篇汪光裕寫的論文 副題名 外文題名 論文作者 汪光裕著 導師 鄒元爔研究員指導 學科專業 冶金物理化學 學位級別 d 1985n 學位授予單位 中國科學院上海冶金研究所 學位授予時間 1985 關鍵字 砷化鎵 半導體材料 館藏號 唯一標識符 108.ndlc.2....
《液封凝固法生長低位錯半絕緣砷化鎵晶體及晶體缺陷研究》作者是吳巨,由鄒元爔,王渭源研究員指導。副題名 外文題名 論文作者 吳巨著 導師 鄒元爔,王渭源研究員指導 學科專業 冶金物理化學 學位級別 d 1989n 學位授予單位 中國科學院上海冶金研究所 學位授予時間...
砷化鎵 (GaAs)為第二代半導體材料,GaAs襯底質量直接影響器件性能。利用JEM-2002透射電子顯微鏡(TEM)及其主要附屬檔案X射線能量散射譜儀(EDXA),對半絕緣砷化鎵(SI-GaAa)單晶中微缺陷進行了研究。發現SI-GaAa單晶中的微缺陷包含有富鎵沉澱、富砷沉澱、砷沉澱、GaAa多晶顆粒和小位錯回線等。還分析了微缺陷的形成機制。物...
半絕緣砷化鎵電阻率、霍爾係數和遷移率測試方法 《半絕緣砷化鎵電阻率、霍爾係數和遷移率測試方法》是2015年10月1日實施的行業標準。起草單位 信息產業專用材料質量監督檢驗中心、工業和信息化部電子工業標準化研究院、蘇州晶瑞化學有限公司等。起草人 何秀坤、董彥輝、劉兵等。
晶體生長的數值理論計算方法包括直拉法(Cz法)、懸浮區熔法(Fz法)、定向凝固法(DS法)、坩堝下降法(VB法)等,常用的有FEMAG、CGSIM、CrysMAS等。現狀與展望 磷化鎵單晶是化合物半導體中生產量僅次於砷化鎵的單晶材料。全世界單晶年產量1973年約1噸,1980年發展到10噸,進入90年代接近20噸。磷化鎵單晶材料和...
本標準規定了半絕緣碳化矽電阻率非接觸測量方法。 本標準適用於電阻率測量範圍: 105Ω?cm-1012Ω?cm;樣品直徑:50.8mm-200mm;樣品厚度範圍:250μm—5000μm的襯底。技術內容 SiC是繼第一代以Si為代表的半導體材料和以砷化鎵為代表的第二代半導體材料之後的第三代寬禁帶半導體材料,由於自身的物理性能的優勢,...
《未摻半絕緣砷化鎵中碳含量與材料性能的關係》是依託復旦大學,由孫恆慧擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目主要採用了草棉、亞洲棉、比克氏棉等棉屬二倍體種的基因組DNA為探針,陸地棉和海島棉兩個栽培的四倍體棉種體細胞染色體為靶DNA,成功了棉花基因組DNA的螢光原位雜交技術。同時就四倍體棉種起源與演化...
高壓液封直拉法(high pressure liquid encapsulation pulling method) 即在高壓下的液體復蓋直拉法。用這種方法原位合成直拉生長不摻雜半絕緣砷化鎵單晶,具有高純、高電子遷移率和熱隱定性好的優良性能。簡介 由於Ⅲ一V族化合物半導體中的磷化銦、磷化鎵等在熔點時具有很高的離解壓,因此從熔體中生長單晶的...
砷化鎵單片微波積體電路的製作工藝,是在半絕緣砷化鎵單晶片上用外延生長或離子注入矽形成有源層;注入氧或質子產生隔離層(或適合產生隔離層的其他離子);注入鈹或鋅形成PN結;通過電子束蒸發製作金屬-半導體勢壘;用亞微米光刻、乾法刻蝕、鈍化保護等工藝製作有源器件(如二極體、場效應電晶體)和無源元件(電感、電容...
249 (9) 量子點及其套用(Ⅱ),趙風璦,張春玲,王占國,物理,VOL.33,No.5,(2004)327 (10)SiO2視窗寬度對量子點定位生長的影響,張春玲 徐波 王占國 朱天偉 趙風璦,2002年中國材料研討會論文摘要集R7 (11)徐岳生 張春玲 劉彩池等,半絕緣砷化鎵單晶中的晶體缺陷半導體學報,2003.024.(007).718-722 ...
取得的主要學術成績:研製成功具有室溫鐵磁性的稀磁半導體GaMnSb和GaMnN薄膜;創建了非破壞性定量檢測砷化鎵單晶化學配比的方法,及顯示砷化鎵單晶缺陷的超聲腐蝕方法;系統研究了半絕緣砷化鎵單晶的化學配比與生長工藝之間的關係,為改善砷化鎵單晶的化學配比,提高單晶質量提供了可靠依據;對太空生長的半絕緣砷化鎵單晶進行了...
3.4水平布里支曼法生長砷化鎵單晶 3.5液體密封法從熔體中直接生長砷化鎵單晶 3.5.1合適的液體密封劑 3.5.2工藝控制分析 3.5.3工藝操作過程 3.6液封直拉砷化鎵的摻雜控制 3.6.1估計所需摻雜量的經驗公式 3.6.2影響GaAs單晶中雜質分布均勻性的因素及 改善均勻性的方法 3.7半絕緣砷化鎵單晶生長 3.8用...
1992年、1995年、1997年,先後研製成功我國第一根6、8、12英寸直拉矽單晶。其中,12英寸矽單晶被兩院院士評為1997年中國十大科技進展之一。2002年10月,研製成功我國第一根18英寸直拉矽單晶,當年被評為中國有色金屬行業十大新聞之一。2001年7月,研製成功我國第一根4英寸半絕緣VCZ砷化鎵單晶,當年被評為中國有色...
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法 GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法 GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法 GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法 GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試...
“綠色—生態—保稅”智慧型物流創新服務產業平台、南亞東南亞科技合作交流平台、智慧路網研發中心、南天行業大數據智慧平台、半絕緣砷化鎵單晶及晶片關鍵技術研究及產業化、數位化640×512銦鎵砷短波紅外探測器組件、微電子封裝用高性能導電膠研發及套用等項目。 ——生命科學與大健康產業創新研發中心。聚焦細胞技術套用研究、...
8. 非摻半絕緣砷化鎵中的雜質與微缺陷,稀有金屬材料與工程,2006,35(10): 1544-1547,第二作者SCI 9. Infrared measurement of Ge concentration in CZ–Si,J.Crystal Growth 2005 第三作者 (SCI)10.Effect of surfactant on removal of particle contamination on Si wafers in ULSI Transactions of ...
20世紀中期單晶矽材料和半導體晶體管的發明及其矽積體電路的研製成功,引發了電子工業大革命,使微電子技術和計算機技術得到飛速發展。70年代初石英光纖維和砷化鎵(GaAs)等Ⅲ-V族化合物半導體雷射材料的出現,促進了光導纖維通信技術迅速發展並逐步形成高技術產業。超品格概念的提出,分子束外延技術(MBE)、金屬有機物...
林蘭英主要從事半導體材料製備及物理的研究。在鍺單晶、矽單晶、砷化鎵單晶和高純銻化銦單晶的製備及性質等研究方面獲得成果,其中砷化鎵氣相和液相外延單晶的純度及電子遷移率,均達到國際先進水平。人物生平 1918年2月7日(農曆丁巳年十二月二十六日),林蘭英出生於福建莆田縣。幼年為了上學,經過一番絕食鬥爭,家人同意...
擴大8—12英寸矽單晶拋光片和外延片產能,加快6英寸半絕緣砷化鎵等研發生產。開發生產高精度、高穩定性、高功率光纖材料,提升光電功能晶體材料研究開發和產業化水平。推動氟化氬光刻膠、正性光刻膠材料綠色發展,改進光刻膠用光引發劑等高分子助劑材料性能,提升拋光液材料環保性。推進聚碳酸脂類改性材料在智慧型硬體...
胞狀晶是指晶體或晶粒內部的一種細胞狀組織。典型的胞狀晶在空間呈蜂巢狀,其縱斷面為條狀,橫斷面為網狀但有的也可以成板狀。定義 胞狀晶是指晶體或晶粒內部的一種細胞狀組織。特點 典型的胞狀晶在空間呈蜂巢狀,其縱斷面為條狀,橫斷面為網狀但有的也可以成板狀。形成原因 胞狀晶是由於晶體在其生長過程中,...