半導體雷射材料是指用於製作各種半導體雷射器的半導體材料。半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。
基本介紹
- 中文名:半導體雷射材料
- 外文名:semiconductor laser materiais
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
半導體雷射材料是指用於製作各種半導體雷射器的半導體材料。半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。
半導體雷射器在基本構造上,它屬於半導體的P-N接面,但雷射二極體是以金屬包層從兩邊夾住發光層(有源層),是“雙異質結接合構造”。而且在雷射二極體中,將界面作為發射鏡(諧振腔)使用。在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(...
可見光半導體雷射材料是指用於製作發光波長位於可見波段的半導體雷射器材料。研究歷程 最早是採用SiC材料製成的,但這種材料合成溫度很高,難以獲得單晶。研究最多的是紅光波段和藍綠光波段的半導體材料,大多採用MBE ( molecular beam epitaxy...
半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束...
半導體雷射模組體積非常小,最小的只有米粒那樣大。工作波長依賴於雷射材料,一般為0.6~1.55微米,由於多種套用的需要,更短波長的器件在發展中。據報導,以Ⅱ~Ⅳ價元素的化合物,如ZnSe為工作物質的雷射器,低溫下已得到0.46微米...
《半導體量子點雷射材料瞬態光譜特性及超快現象研究》是依託南開大學,由姚江宏擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 利用分子束外延設備,採用S-K自組織生長模式,針對生長出的高質量InAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子點半導體材料。利用時間分辨...
目前用於光纖通訊的半導體雷射器,其工作壽命可達數十萬乃至百萬小時,用於固體雷射器泵浦源(DPSSLS)及材料加工的千瓦級大功率半導體雷射器,其工作壽命可達-萬小時以上;(3)具有高的直接調製能力公(20GHz),也是半導體雷射器有別於其它雷射器...
半導體泵浦固體雷射(英語:Diode Pump Solid State Laser,DPSS Laser),是一種新型雷射器,套用層面比較廣,近年在國際上發展很快。半導體泵浦固體雷射的雷射器利用半導體雷射器輸出固定波長的雷射作為泵浦源,替代了以往用氪燈或氙燈泵浦...
《新興半導體材料的157nm雷射三維微加工技術研究》是依託武漢理工大學,由戴玉堂擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 該項目是利用我校引進的國內首台157nm雷射微加工機,進行第三代光電半導體氮化鎵及其襯底材料(藍寶石/炭化矽)的三維微...
《半導體雷射倍頻新材料硫氰酸鎘鋅大單晶生長的研究》是依託山東大學,由袁多榮擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 採用降溫法,自混合溶劑中進行ZCTC優質大單晶生長的研究,擬採用顯微結晶術,X--射線,光譜分析,原子力顯微鏡等手段進行...
本項目利用有機化合物對鹵化銀微晶進行表面修飾,提高半導體雷射銀鹽直接製版材料的反差及感光度。特別是發現TAI化合物加入氯化銀乳劑的位置對敏度影響很大,該結果具有普遍意義,取得一項專利。同時,利用自行設計組裝了線性CCD直接採樣裝置,...
11.1鎵鋁砷半導體雷射材料和器件 11.2嫁銦砷磷材料和雷射器 11.2.1二個自由度 11.2.2材料製備與特性 11.2.3長波長雷射器 第十二章 光纖通信用的紅外發光二極體 12.1短距離光纖通信用發光二極體 12.1.1單異質結GaAlAs發光二極體 12.1.2...
雷射材料主要是凝聚態物質,又以固體物質為最主要,其具有激活離子濃度高,振盪頻頻寬並能產生譜線窄的光脈衝,而且具有良好的力學性能和穩定的化學性能。固體雷射材料分為兩類。一類是以電激勵為主的半導體雷射材料,一般採用異質結構,由...
對於GaAs材料,一級耦合:Λ=0.115微米。在實驗中,使用3250埃He-Cd雷射和高折射率稜鏡(nP=1.539),已制出Λ=0.11微米的周期結構(見半導體雷射二極體)。材料和泵浦方式 製作半導體分布反饋雷射器的材料有GaAs-GaAlAsIn、P-InGaAsP...
半導體雷射加工平台 半導體雷射加工平台是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年12月06日啟用。技術指標 連續輸出功率達到1KW以上,雷射切割精度1微米。主要功能 雷射切割。
2.6.1摻鉺光纖雷射器21 2.6.2氦-氖氣體雷射器21 2.7小結23 2.8問題24 2.9習題25 3半導體雷射材料1:基礎26 3.1概述26 3.2能帶和輻射複合26 3.3半導體雷射器材料體系28 3.4確定帶隙30 3.4.1Vegard定律:三元化合物31...
雷射是20世紀以來繼核能、電腦、半導體之後,人類的又一重大發明,被稱為“最快的刀”、“最準的尺”、“最亮的光”。英文名Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation,意思是“通過受激輻射光擴大”。雷射的英文全名已經...
量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結雷射器的結構相似,只是有源區厚度極薄。當有源區厚度值極小時,有源區...
雙穩態半導體雷射二極體 雙穩態半導體雷射二極體是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用半導體雷射器光源本身的光學非線性特性,實現光學雙穩態運轉的雷射二極體。出處 《材料科學技術名詞》。
其中半導體雷射器最適合作光纖通信的光源,它的體積小,效率高,它的波長同光纖的低損失視窗相適合。但半導體雷射器的製造工藝十分複雜,需要在極高純度無缺陷的襯底材料上外延生長5層摻雜的半導體,再在上面光刻微米尺寸的光波導,其難度...
在超晶格結構中窄帶隙材料形成極薄二維電子(或空穴,或二者兼有)勢阱,導帶中的準連續的電子態變成量子化,電子空穴的複合發光發生在這些量子化的分立狀態之間,所以能在相當程度上克服半導體雷射器能帶工作的弱點。
在漸變梯度溫場中拉絲,能減小由材料熔點失配造成的界面應力,抑制低熔點半導體材料的分解。同時,在芯層中心產生的缺陷少及芯包界面區過渡平緩,更有利於降低光纖的損耗,提升光纖的性能。項目將研究雷射與半導體光纖材料的作用機理,建立熱...
半導體雷射器是以一定的半導體材料做工作物質而產生雷射的器件。小巧、輕便、壽命長、使用方便,輸出譜線多,很適合家庭使用,治療時既安全又有療效,故可以走入千千萬萬戶家庭。技術原理 過敏性鼻炎(allergic rhinitis AR)半導體雷射器使用...