《新興半導體材料的157nm雷射三維微加工技術研究》是依託武漢理工大學，由戴玉堂擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新興半導體材料的157nm雷射三維微加工技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：戴玉堂
- 依託單位：武漢理工大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50775169
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 申請代碼：E0509
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
該項目是利用我校引進的國內首台157nm雷射微加工機，進行第三代光電半導體氮化鎵及其襯底材料（藍寶石/炭化矽）的三維微加工技術與工藝研究。氮化鎵加工難度極大。申請人提出微氣流輔助與焦平面回退循環相結合的工藝方法，進行大深寬比溝槽刻蝕或製作高質量直壁面；同時探索斜面/曲面三維微加工的技術與工藝。通過光子吸收理論和熱物理理論進行加工過程仿真，研究其微加工機理。提出利用篩狀掩模與焦平面回退二次掃描相結合的氮化鎵雷射研磨工藝方法，其中篩狀掩模可選擇性控制雷射束能流密度，模擬機械磨具。我們也研究氮化鎵晶體生長的襯底材料（藍寶石/炭化矽）的雷射研磨工藝。最後針對藍光LED一類器件，研究其異質多層硬質膜結構的精密雷射切割/分片技術。我們相信，氮化鎵及其襯底材料微加工技術的成熟和多樣化，對提高我國藍光LED等新型光電子器件工藝水平具有重大意義和實際套用價值。
