可見光半導體雷射材料是指用於製作發光波長位於可見波段的半導體雷射器材料。最早是採用SiC材料製成的,但這種材料合成溫度很高,難以獲得單晶。
基本介紹
- 中文名:可見光半導體雷射材料
- 外文名:materials of visiblesemiconductorI aser
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
可見光半導體雷射材料是指用於製作發光波長位於可見波段的半導體雷射器材料。最早是採用SiC材料製成的,但這種材料合成溫度很高,難以獲得單晶。
可見光半導體雷射材料是指用於製作發光波長位於可見波段的半導體雷射器材料。最早是採用SiC材料製成的,但這種材料合成溫度很高,難以獲得單晶。簡介可見光半導體雷射材料是指用於製作發光波長位於可見波段的半導體雷射器材料。研究歷...
半導體雷射器在基本構造上,它屬於半導體的P-N接面,但雷射二極體是以金屬包層從兩邊夾住發光層(有源層),是“雙異質結接合構造”。而且在雷射二極體中,將界面作為發射鏡(諧振腔)使用。在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(...
半導體雷射器 半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電...
半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束...
固體雷射材料分為兩類。一類是以電激勵為主的半導體雷射材料,一般採用異質結構,由半導體薄膜組成,用外延方法和氣相沉積方法製得。根據雷射波長的不同,採用不同摻雜半導體材料 。通常在可見光區域 ,以族化合物半導體為主;在近紅外區域...
可見光雷射二極體 可見光雷射二極體是以直接帶隙半導體為光發射物質,以載流子注入為泵浦方式,以法布里 - 珀羅腔或布拉格光柵為諧振腔,發光波長在可見光範圍的半導體雷射器。
可見光半導體雷射模組在用作彩色顯示器光源、光存貯的讀出和寫人,雷射列印、雷射印刷、高密度光碟存儲系統、條碼讀出器以及固體雷射器的泵浦源等方面有著廣泛的用途.量子級聯雷射的新型雷射器套用於環境檢測和醫檢領域.另外,由於半導體雷射...
晶體缺陷會使半導體發光二極體、半導體雷射二極體的發光效率大為降低。溫差電器件對材料特性的要求:為提高溫差電器件的轉換效率首先要使器件兩端的溫差大。當低溫處的溫度(一般為環境溫度)固定時,溫差決定於高溫處的溫度,即溫差電器件的...
《半導體發光材料和器件》是1992年1月復旦大學出版社出版的圖書,作者是方誌烈 內容介紹 內 容 提 要 半導體發光材料和器件,包括發光二極體、半導體雷射器及其材 料,在現代顯示技術、光纖通信技術以及其它各種光電子技術領域中,正起著...
3、螢光燈:一種陰極低壓汞蒸氣的放電燈,利用放電釋放的紫外線,通過螢光粉的反射轉換成可見光,使用雙螺旋或三螺旋的鎢制燈絲,在燈絲表面塗上電子發射材料,組成發射極。玻璃管內填充氬氣、氪氣、氖氣的混合氣,以及汞齊,玻管內壁塗...
以新型固體雷射材料為基礎的雷射測距、雷射致盲武器和火控制系統等使作戰能力大大加強。可調諧雷射晶體為從可見光到紅外波段可調諧雷射系統提供工作物質可提高雷射雷達、空中感測和水下探測等軍用雷射系統的領域監視、偵察能力。利用光纖材料、...
In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH雷射二極體也取得重大進展,因而推動了光纖通信和其他套用的發展。此外還出現了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料製成的遠紅外波長雷射二極體。簡介 半導體雷射二極體的基本結構:垂直於PN結面的一對平行平面...
3.2 半導體材料對雷射的非線性吸收 3.2.1 多光子過程 3.2.2 受激拉曼散射 3.2.3 受激布里淵散射 3.3 雷射施加給半導體的基本作用力 3.3.1 雷射場與帶電粒子的相互作用力 3.3.2 雷射場引起的電致伸縮力 3.3...
在基本構造上,它屬於半導體的P-N接面,但雷射二極體是以金屬包層從兩邊夾住發光層(活性層),是“雙異質接合構造”。而且在雷射二極體中,將界面作為發射鏡(共振腔)使用。在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等...
GaN 具有禁頻寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸鹼、高強度和高硬度等特性,是現在世界上人們最感興趣的半導體材料之一。gan 基材料在高亮度藍、綠、紫和白光二極體,藍、紫色雷射器以及抗輻射、高溫大功率微波器件等領域有著廣泛的...
大功率可見光半導體雷射機的研製 大功率可見光半導體雷射機的研製是由天津醫科大學完成的科技成果,登記於2002年3月8日。成果信息 成果完成人 李迎新;王子樑;翟貴生;高祥路;楊久敏;陳剛 合作單位 天津市同業科技發展有限公司 ...
主要研究領域為第三代半導體材料、光電子器件與系統、氮化鎵基光子積體電路、高性能可見光雷射晶片、白光雷射通信和高速無線水下光通信等。圖書目錄 第1章 緒 論 001 1.1 可見光通信系統的套用 002 1.2 可見光通信系統的發展 003...
2.6.1摻鉺光纖雷射器21 2.6.2氦-氖氣體雷射器21 2.7小結23 2.8問題24 2.9習題25 3半導體雷射材料1:基礎26 3.1概述26 3.2能帶和輻射複合26 3.3半導體雷射器材料體系28 3.4確定帶隙30 3.4.1Vegard定律:三元化合物31...
80年代,隨著軍用微波大功率器件、高溫半導體器件發展的需要,寬禁帶半導體碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料被人們重視,發展迅速。1960年世界上第一台紅寶石(Cr3+:Al2O3)固體雷射器誕生,拉開了雷射材料研究與發展的序幕。此後,又...
半導體光電二極體,是把光能轉變成電能的反向偏置晶體二極體。簡介 在一定波長的光照射下,其反向電流受到光生載流子的調製作用,因而可用來對光輻射信號進行探測。主要用途 光電二極體用於光纖通信、雷射測距、自動控制等。發展最快的是光纖...
因為其硬度高,又是一種良好的塗層保護材料。性質 能隙和電子結構:氮化鎵的較寬能隙(約3.4eV)使得它在可見光區域具有較高的透明度,這對於LED和雷射器等光電子器件至關重要。其直接帶隙特性意味著當電子躍遷時,能量和動量守恆成立...
低頻噪聲除了可以用在電子器件可靠性的檢測外,在一些光電器件如量子阱雷射器、發光二極體、光電耦合器方面也有成功的套用。2 概述 GaN基材料的基本性質 氮化鎵是一種直接帶隙寬禁帶半導體材料,禁頻寬度為3.4eV。GaN材料化學件質穩定,在...