基本介紹
- 中文名:非平衡載流子
- 外文名:Non-equilibrium carrier
- 半導體情況:注入情況和抽出情況
- 機理:複合中心的間接複合機理
非平衡載流子是指處於非平衡狀態的半導體,其載流子濃度也不再是n0和p0(此處0是下標),可以比他們多出一部分。比平衡狀態多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。...
處於非平衡狀態的半導體,其載流子比平衡狀態時多出來的那一部分載流子稱為非平衡載流子。在N型半導體中,把非平衡電子稱為非平衡多數載流子,非平衡空穴稱為非平衡少數...
載流子注入是指半導體通過外界作用而產生非平衡載流子的過程稱作載流子注入。利用光照在半導體內引入非平載流子的方法稱為載流子的光注入。除光外,還可以利用電的或其他...
④因為一般只有少數載流子才能注入和抽出,所以半導體中的非平衡載流子一般也就是少數載流子。非平衡少數載流子可由於複合而消失,因此具有一定的壽命時間(從ns到μs),...
少數載流子即非平衡載流子,對於p型半導體來說便是其中的電子,對於n型半導體來說便是其中的空穴。...
陷阱效應是雜質能級積累非平衡載流子的作用,是在有非平衡載流子時發生的效應。雜質能級積累某一種非平衡載流子的效應。 陷阱:有顯著陷阱效應的雜質能級。...
即少數載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子(...
《半導體物理學》全面地論述了半導體物理的基礎知識,內容包括半導體的晶格結構、半導體中的電子狀態、雜質和缺陷能級、載流子的統計分布,非平衡載流子及載流子的運動規律...
同樣,也可以往p型半導體中注入少數載流子——電子。對於非熱平衡狀態的半導體,其中存在非平衡載流子,同樣也需要滿足電中性條件。例如,當注入有非平衡電子濃度Dn時,則...
常用的半導體材料的特性參數有:禁頻寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度。禁頻寬度由半導體的電子態、...
矽單晶主要技術參數有導電類型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。導電類型 導電類型由摻入的施主或受主雜質決定。P型單晶多摻...
但是它又具有不同於PN結的特點;沒有非平衡載流子的存儲效應,正嚮導通電壓低,因而在微波技術和高速積體電路中有重要的套用。 當半導體摻雜濃度很高的時候,肖脫基勢壘...
載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數載流子(因為只有少數載流子才能注入到半導體內部、並積累起來,多數載流子即使注入進去後也就...
熱平衡時由缺陷或雜質引入的能級上具有一定數量的熱平衡電子,當半導體內引入非平衡載流子時,這些能級上的電子數目將發生變化,如果能級上電子數目增加則該能級具有俘獲...
全書共13章,主要內容為:半導體的晶格結構和電子狀態;雜質和缺陷能級;載流子的統計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產生、複合及其運動規律;pn結;金屬和...
由於光生非平衡載流子擴散速度的差異,直接引起了光照方向的電場和電位差,這種效應於1919年被觀測到,1931年由丹倍闡明,被稱為丹倍效應。丹倍電位差較小,易被其它...
在熱平衡情況下,電子和空穴的產生與複合,可以達到一個動態平衡,從而使載流子濃度維持不變。半導體在外界作用下,產生非平衡載流子,熱平衡被破壞。這時,電子和空穴的...
準費米能級這個概念是為了方便討論非平衡載流子的統計分布以及載流子濃度的能級而引入的。...