《半導體雷射倍頻新材料硫氰酸鎘鋅大單晶生長的研究》是依託山東大學，由袁多榮擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體雷射倍頻新材料硫氰酸鎘鋅大單晶生長的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：袁多榮
- 依託單位：山東大學
- 批准號：60178029
- 申請代碼：F0509
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2002-01-01 至 2004-12-31
- 支持經費：20（萬元）
中文摘要
採用降溫法，自混合溶劑中進行ZCTC優質大單晶生長的研究，擬採用顯微結晶術，X--射線，光譜分析，原子力顯微鏡等手段進行不同條件下的結晶習性、缺陷及生長機理的芯俊Ｌ剿鱖CTC單晶生長的最佳生長溶劑及生長工藝條件，培養優質厘米級大單晶，以滿足氳繼寮す獗鍍凳滌鎂迤骷某嘰緙爸柿康囊蟆Ｎ鎂迨滌沒⒄溝於ɑ
