碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究

碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究

《碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究》是依託四川大學,由朱世富擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:朱世富
  • 依託單位:四川大學
  • 批准號:59972019
  • 申請代碼:E0206
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2000-01-01 至 2002-12-31
  • 支持經費:14(萬元)
項目摘要
碲鋅鎘晶體是一種新型的性能優異的室溫半導體探測器材料。用它可製成各種室溫探測器和攜帶型譜儀,用途極廣泛。但其熔體和晶體導熱性很差,Cd與Te、Zn的蒸氣壓相差很大,難於生長高質量單晶體,妨礙了它的實際套用。研究其熱學特性、生長習性、結構和缺陷,探索新工藝,獲得均勻完整的單晶體,為促進我國發展這種晶體和在探測器上的套用奠定基礎。

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