《碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究》是依託四川大學，由朱世富擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：碲鋅鎘單晶體的生長與套用基礎研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：朱世富
- 依託單位：四川大學
- 批准號：59972019
- 申請代碼：E0206
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2000-01-01 至 2002-12-31
- 支持經費：14（萬元）
項目摘要
碲鋅鎘晶體是一種新型的性能優異的室溫半導體探測器材料。用它可製成各種室溫探測器和攜帶型譜儀，用途極廣泛。但其熔體和晶體導熱性很差，Cd與Te、Zn的蒸氣壓相差很大，難於生長高質量單晶體，妨礙了它的實際套用。研究其熱學特性、生長習性、結構和缺陷，探索新工藝，獲得均勻完整的單晶體，為促進我國發展這種晶體和在探測器上的套用奠定基礎。
