《半導體量子點雷射材料瞬態光譜特性及超快現象研究》是依託南開大學，由姚江宏擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體量子點雷射材料瞬態光譜特性及超快現象研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：姚江宏
- 依託單位：南開大學
- 批准號：60476042
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：22（萬元）
中文摘要
利用分子束外延設備，採用S-K自組織生長模式，針對生長出的高質量InAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子點半導體材料。利用時間分辨螢光光譜和泵浦探測瞬態反射譜等時間分辨超快光譜技術研究量子點尺寸、密度、均勻性、浸潤層能量和勢壘高度等內在因素以及激發強度、實驗溫度、激發能量和探測能量等實驗條件對量子點載流子弛豫、複合過程的影響。從實驗和理論上探究載流子激發、弛豫、俘獲和達到熱平衡過程對其雷射特性、閾值電流、發光效率、特徵溫度、調製特性等的影響。建立相關物理模型，完善量子點載流子瞬態弛豫機制，初步探討量子點材料的時空量子限制效應，為最佳化和提高半導體材料與器件性能提供理論和實驗指導。
