《半導體材料及器件的輻射效應》是2021年國防工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 書名:半導體材料及器件的輻射效應
- 作者:劉忠立,高見頭
- 出版社:國防工業出版社
- 出版時間:2021年
- 開本:16 開
- 裝幀:精裝
- ISBN:9787118119299
《半導體材料及器件的輻射效應》是2021年國防工業出版社出版的圖書。
《半導體材料及器件的輻射效應》是2021年國防工業出版社出版的圖書。內容簡介《光電防禦系統與技術》首先明確了光電防禦的概念與內涵;接著論述了光電防禦的基本原理和系統構成;隨後分別研究了光電告警、光電防禦有源干擾、光電防禦...
《半導體材料和器件的雷射輻照效應》是2015年國防工業出版社出版的圖書,作者是陸啟生、江天、江厚滿、許中傑、趙國民、程湘愛。內容簡介 國家出版基金項目、“十二五”國家重點圖書出版規劃項目 叢書總計23分冊,860餘萬字,以雷射技術的...
《先進半導體材料及器件的輻射效應》是2008年國防工業出版社出版的圖書,作者是(比)克拉艾(Claeys,C.),(比)西蒙恩(Simoen,E.)。內容提要 本書特彆強調輻射效應的基本物理,介紹的內容反映當前半導體材料及器件輻射效應和輻射...
內容包括目前國際上對於半導體器件輻射效應關注的各個方向,從傳統的Si材料到新型的納米晶體,從傳統的CMOS工藝到新型的薄膜SOI工藝,從器件工藝到結構設計,各類內容均有涉及。本書中各類新興的探測器技術、電路設計技術、新材料和創新的系統...
《半導體器件電離輻射總劑量效應》主要介紹空間輻射環境與效應、體矽CMOS器件電離輻射總劑量效應、雙極器件電離輻射總劑量效應、SOI器件電離輻射總劑量效應、電離輻射總劑量效應模擬試驗方法、MOS器件電離輻射總劑量效應預估、納米器件電離輻射總...
《半導體器件和積體電路的輻射效應》是國防工業出版社出版的圖書,作者是陳盤訓。內容簡介 本書較為全面地介紹了各類典型半導體器件和積體電路在核輻射(主要為中子注量、總劑量和劑量率等)和空間輻射環境下的損傷機理和效應。主要內容包括...
表面效應 在一些半導體器件的鈍化層界面上產生的電離和缺陷,有時也稱為表面效應。基於材料的損傷,對不同原理、不同結構和工藝的元件器件又會產生不同的電性能影響。可用微觀損傷的物理模型,解釋輻射引起巨觀電參數的變化規律。實際上,...
如何增強其電學和抗輻照性能,對確保電子器件在輻射環境中正常有效地工作是十分關鍵的。在本基金資助下,本項目主要研究半導體超晶格二維電子氣材料的輻照效應。主要取得的研究成果如下:(1)通過研究Si/Ge、GaAs/AlAs和GaAs/AlGaAs半導體超...
3.1 MOS器件參數和材料的輻射效應 3.1.1 CMOS器件的閂鎖效應 3.1.2 MOSFET電晶體的輻射效應 3.1.3氧化層電容的量子效應 3.1.4材料特性和介質結構 3.1.5電場 3.1.6輻射光電流對MOS電路的主要影響 3.2抗輻射加固CMOS電路...
《半導體材料的輻射效應》是1993年科學出版社出版的圖書,作者是曹建中。內容簡介 本書介紹了半導體材料輻射效應的基礎知識,半導體材料的輻射摻雜效應、電離效應和位移效應及輻射損傷缺陷測量等知識。圖書目錄 目錄 第一章 基礎知識 第二章 ...
一般有機絕緣材料在電離輻射條件下會裂解變色、發脆、機械強度和絕緣性能下降。電離效應對於半導體器件的影響,主要是形成瞬時光電流和表面效應。類型 半導體 半導體器件在電路中輻照生成的電子-空穴對,在偏壓和濃度梯度的作用下運動,穿過...
為了進一步弄清局部輻射如何對設備產生影響,需要對損傷機制進行研究。組成內容 表面效應 在一些半導體器件的鈍化層界面上產生的電離和缺陷,有時也稱為表面效應。基於材料的損傷,對不同原理、不同結構和工藝的元件器件又會產生不同的電...
電離輻射產生的輻照效應按照輻照作用對象不同,可分為人體和生物輻照效應、材料和器件輻照效應。按照電離輻射類型,輻照效應可分為中子、離子、電子和gamma/X射線輻照效應。生物輻照效應 電離輻射輻照可使生物細胞內遺傳物質的結構發生改變,...
半導體材料受到光照射時,吸收入射光子能量.若光子能量大於或等於半導體材料的禁頻寬度,就激發出電子空穴對,使載流子濃度增加,半導體的導電性增加,阻值降低。這種光電效應稱光導效應。基於這種效應的光電器件有光敏電阻(或稱光導管)。光...
凡具有上述兩種特徵的材料都可歸入半導體材料的範圍。反映半導體內在基本性質的卻是各種外界因素如光、熱、磁、電等作用於半導體而引起的物理效應和現象,這些可統稱為半導體材料的半導體性質。構成固態電子器件的基體材料絕大多數是半導體,正...
光敏電阻就是基於這種效應的光電器件。性質 某些半導體材料受到光照射時,其電導率發生變化的現象。光照射到半導體上,價帶上的電子接受能量,使電子脫離共價鍵。當光提供的能量達到禁頻寬度的能量值時,價帶的電子躍遷到導帶,在晶體中就會...
本書完整地涵蓋了現代半導體的電離輻射效應,深入探討了抗輻射加固技術。首先介紹輻射效應的重要背景知識、物理機制、仿真輻射輸運的蒙特卡羅技術和電子器件的輻射效應。重點闡述以下內容:商用數字積體電路的輻射效應,包括微處理器、易失性存儲...
這一半導體主要運用到高速器件中,InP製造的電晶體的速度比其他材料都高,主要運用到光電積體電路、抗核輻射器件中。 對於導電率高的材料,主要用於LED等方面。(3)有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物,把有機...
半導體光電子器件 發光效應 1952年,發現了矽、鍺半導體材料注入發光的現象。注入到半導體中的非平衡電子-空穴對以某種方式釋放多餘的能量而回到初始平衡狀態。輻射光子是一種釋放能量的方式,但是由於鍺、矽都屬間接帶材料(導帶底與價帶...
(2) 光—電直接轉換方式該方式是利用光電效應,將太陽輻射能直接轉換成電能,光—電轉換的基本裝置就是太陽能電池。太陽能電池是一種由於光生伏特效應而將太陽光能直接轉化為電能的器件,是一個半導體光電二極體,當太陽光照到光電...
3.3 材料吸收劑量的計算68 3.3.1 描述輻射場的物理量68 3.3.2 單向平行輻射場中物質吸收劑量的計算69 3.3.3 一般輻射場中物質吸收劑量的計算69 3.4 本章小結72 參考文獻73 第4章 納米CMOS器件的總劑量...
大學舉辦的“半導體發光材料和器件”進修班上採用,效果頗好.也可 供有關方面的科研人員、工程技術人員參考 作品目錄 目 錄 前 言 緒 言 第一章 光、光度學和色度學 1.1光的本質 1.2光的產生 1.3光度學 1.3.1能量的輻射...
在靶物質中形成大範圍的缺陷群:在太空飛行器系統中,受輻射損傷效應影響最嚴重的是太陽電池。構成太陽電池的半導體材料受輻射損傷效應,會產生缺陷、造成電池輸出功率降低。產生輻射效應的物質 空間輻射環境中產生輻射損傷效應的物質主要是地球...
光電導效應的弛豫現象 光電導效應的弛豫現象就是光輻射入射到本徵或非本徵半導體材料上,開始時隨著時間的增加光生載流子逐漸增多,經過一定時間後,載流子濃度才逐漸趨於一穩定值。此後,若突然遮斷入射的光輻射,光生載流子並不立即下降到...
半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與積體電路相區別,有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件(即晶體二極體)的基本結構是一個PN結。簡介 半導體器件(semiconductor ...
另一方面,固體輻照效應已經廣泛而有效地用於大幅度提高各種材料、器件和工具的機械性能、物理性能和化學性能。離子注入技術是其中一個突出的例子,作為材料改性的一種新技術,已經成功地用於半導體器件和電路的工業生產,並已推廣套用於金屬、...
電離損傷主要是在半導體和絕緣體中產生電子-空穴對,需要的能量較低;而位移損傷主要是在半導體中產生晶格空位(即原子離開晶格位置後所留下的空位),需要的能量要高得多。半導體中的這些損傷也就是造成器件和IC的輻照效應的根本原因。輻...
利用半導體光電導效應製成的器件稱作光電導器件(也稱光導探測器)。這種器件的電導能夠隨著入射輻射變化,從而感知溫度的變化。最典型的光電導探測器是光敏電阻,其工作原理如第一節光電導效應中所述。它的機理很複雜,但器件的結構卻十分...