《先進半導體材料及器件的輻射效應》是2008年國防工業出版社出版的圖書，作者是（比）克拉艾（Claeys，C.），（比）西蒙恩（Simoen，E.）。
基本介紹
- 書名：先進半導體材料及器件的輻射效應
- 作者：（比）克拉艾（Claeys，C.），（比）西蒙恩（Simoen，E.） 著
- 譯者：劉忠立 譯
- ISBN：[7118054089] 13位[9787118054088]
- 定價：￥55.00 元
- 出版社：國防工業出版社
- 出版時間：2008-3-1
內容提要,目錄,
內容提要
本書特彆強調輻射效應的基本物理，介紹的內容反映當前半導體材料及器件輻射效應和輻射加固技術研究的最新進展，對於相關領域的研究及套用均具有重要的參考價值。
本書適合於從事空間技術及高能物理研究和套用，以及從事輻射加固半導體器件及製造等領域的廣大科技人員閱讀，也可以作為相關領域研究生及大學生的教學參考書。
本書在介紹輻射環境、空間套用器件的選擇策略以及半導體材料和器件的基本輻射效應機理的基礎上，介紹IV族半導體材料、GaAs材料、矽雙極器件以及MOS器件的輻射損傷，接著介紹了基於GaAs材料輻射加固的場效應電晶體及空間套用的光電子器件，最後對先進半導體材料及器件的套用前景進行展望。
目錄
符號表
希臘符號表
第1章 輻射環境及器件選擇策略
1.1 引言
1.2 輻射環境
1.2.1 空間環境
1.2.2 高能物理實驗
1.2.3 核環境
1.2.4 天然環境
1.2.5 加工工藝引入的輻射
1.3 器件選擇策略
1.4 小結
第2章 半導體材料及器件的基本輻射損傷機理
2.1 引言
2.2 基本損傷機理
2.2.1 計量單位
2.2.2 電離損傷
2.2.3 位移損傷
2.3 輻射損傷對器件特性的影響
2.3.1 電離損傷
2.3.2 位移損傷
2.4 微觀輻射損傷的譜學研究
2.4.1 電子順磁共振（EPR）
2.4.2 深能級瞬態譜（DLTS）
2.4.3 光致發光譜（PL）
2.5 小結
第3章 Iv族半導體材料中的位移損傷
3.1 引言
3.2 矽的位移損傷
3.2.1 矽的輻射缺陷
3.2.2 輻射缺陷對矽器件的影響
3.2.3 襯底及器件的加固
3.2.4 矽輻射缺陷的小結
3.3 鍺的位移損傷
3.3.1 Ge的潛在套用
3.3.2 Ge的低溫輻照
3.3.3 Ge的室溫輻照
3.3.4 輻射損傷對Ge材料及器件的影響
3.3.5 Ge輻射缺陷的小結
3.4 SiGe合金的位移損傷
3.4.1 SiGe材料的性質及套用
3.4.2 SiGe的輻射損傷
3.4.3 SiGe加工工藝引入的輻射損傷
3.4.4 SiGe器件的輻射損傷
3.4.5 SiGe合金輻射損傷小結
3.5 Ⅳ族半導體總的小結
第4章 GaAs的輻射損傷
4.1 引言
4.2 基本符號及定義
4.3 GaAs中原生的及輻射引入的點缺陷
4.3.1 GaAs中的原生點缺陷
4.3.2 GaAs中的基本輻射缺陷
4.3.3 GaAs中中子及離子引入的輻射缺陷
……
第5章 矽雙極工藝的究竟輻射效應
第6章 矽MOS器件的輻射損傷
第7章 基於GaAs的輻射加固效應電晶體
第8章 用於究竟的光電子器件
第9章 先進半導體材料及器件的前景展望
參考文獻
