《半導體器件和積體電路的輻射效應》是國防工業出版社出版的圖書，作者是陳盤訓。
《半導體器件和積體電路的輻射效應》是國防工業出版社出版的圖書，作者是陳盤訓。內容簡介本書較為全面地介紹了各類典型半導體器件和積體電路在核輻射（主要為中子注量、總劑量和劑量率等）和空間輻射環境下的損傷機理和效應。主要內容包...
第13章 半導體積體電路中輻射誘導瞬態的自主檢測與表征255 13.1 引言255 13.2 軟錯誤256 13.3 單粒子瞬態和邏輯軟錯誤256 13.3.1 邏輯電路中的單粒子效應256 13.3.2 邏輯軟錯誤的擴展趨勢257 13.3.3 ...
半導體器件和積體電路所要面對的輻射環境主要有空間輻射環境、核爆炸輻射環境、實驗室輻射環境、工藝輻射環境和核動力輻射環境等。輻射效應 半導體器件和電路在電離輻射環境中會引起各種輻射效應，概括起來可分為位移效應、電離效應和表面效應等...
表面效應 在一些半導體器件的鈍化層界面上產生的電離和缺陷，有時也稱為表面效應。基於材料的損傷，對不同原理、不同結構和工藝的元件器件又會產生不同的電性能影響。可用微觀損傷的物理模型，解釋輻射引起巨觀電參數的變化規律。實際上,...
《半導體器件電離輻射總劑量效應》是2022年科學出版社出版的圖書。內容簡介 輻射在半導體器件中電離產生電子-空穴對，長時間輻射劑量累積引起半導體器件電離輻射總劑量效應。電離輻射總劑量效應是輻射效應中*常見的一種，會導致器件性能退化、...
《先進半導體材料及器件的輻射效應》是2008年國防工業出版社出版的圖書，作者是（比）克拉艾（Claeys，C.），（比）西蒙恩（Simoen，E.）。內容提要 本書特彆強調輻射效應的基本物理，介紹的內容反映當前半導體材料及器件輻射效應和輻射...
單粒子效應是指單個高能粒子入射半導體器件和積體電路，導致器件和電路出現故障的一種現象。根據故障的不同和出現故障的不同機理，單粒子效應分為單粒子翻轉、單粒子閉鎖、單粒子燒毀、單粒子柵穿等十幾種。太空飛行器在空間中飛行，一直處在...
一般有機絕緣材料在電離輻射條件下會裂解變色、發脆、機械強度和絕緣性能下降。電離效應對於半導體器件的影響，主要是形成瞬時光電流和表面效應。類型 半導體 半導體器件在電路中輻照生成的電子-空穴對,在偏壓和濃度梯度的作用下運動，穿過...
2.2.2雙極器件的低劑量率效應 2.2.3氧化層工藝對雙極器件的影響 2.2.4雙極電晶體劑量率效應 2.3矽雙極器件加固基本措施 2.3.1器件結構加固 2.3.2電路結構加固 2.3.3模擬積體電路抗輻射加固的考慮 2.3.4關鍵參數的初步設計...
《半導體材料的輻射效應》是1993年科學出版社出版的圖書，作者是曹建中。內容簡介 本書介紹了半導體材料輻射效應的基礎知識，半導體材料的輻射摻雜效應、電離效應和位移效應及輻射損傷缺陷測量等知識。圖書目錄 目錄 第一章 基礎知識 第二章 ...
《半導體材料及器件的輻射效應》是2021年國防工業出版社出版的圖書。內容簡介 《光電防禦系統與技術》首先明確了光電防禦的概念與內涵；接著論述了光電防禦的基本原理和系統構成；隨後分別研究了光電告警、光電防禦有源干擾、光電防禦無源干擾...
*後著重討論了半導體材料對於雷射輻照的熱學和力學的回響及損傷機理等問題。《半導體材料和器件的雷射輻照效應》針對的讀者群體是在相應領域裡從事科學技術研究的研究生和相關的科研工作者。圖書目錄 第1章 半導體材料的基本特性 1．1 ...
如何增強其電學和抗輻照性能，對確保電子器件在輻射環境中正常有效地工作是十分關鍵的。在本基金資助下，本項目主要研究半導體超晶格二維電子氣材料的輻照效應。主要取得的研究成果如下：（1）通過研究Si/Ge、GaAs/AlAs和GaAs/AlGaAs半導體超...
《現代積體電路和電子系統的地球環境輻射效應》是2019年電子工業出版社出版的圖書，作者是（日）Eishi H. Ibe（伊部英治）。內容簡介 本書主要介紹廣泛存在的各種輻射及其對電子設備和系統的影響，涵蓋了造成ULSI器件出錯和失效的多種輻射...
本書完整地涵蓋了現代半導體的電離輻射效應，深入探討了抗輻射加固技術。首先介紹輻射效應的重要背景知識、物理機制、仿真輻射輸運的蒙特卡羅技術和電子器件的輻射效應。重點闡述以下內容：商用數字積體電路的輻射效應，包括微處理器、易失性存儲...
《納米CMOS器件及電路的輻射效應》是電子工業出版社於2021年出版的書籍 。內容簡介 本書主要介紹廣泛存在的各種輻射對納米CMOS器件及其電路的影響，涵蓋了各種輻射環境分析、電離損傷機理研究、納米器件的總劑量效應和單粒子效應的建模仿真、...
從20世紀40年代中期半導體技術出現之後，隨著半導體材料製造工藝和技術的套用，出現了各種半導體霍爾元件，推動了霍爾元件的發展，相繼出現了採用分立霍爾元件製造的各種磁場感測器。第三階段 自20世紀60年代開始，,隨著積體電路技術的發展，出現...
通過轉換裝置把太陽輻射能轉換成熱能利用的屬於太陽能熱利用技術，再利用熱能進行發電的稱為太陽能熱發電，也屬於這一技術領域；通過轉換裝置把太陽輻射能轉換成電能利用的屬於太陽能光發電技術，光電轉換裝置通常是利用半導體器件的光伏效應...
電子器件在高劑量率或大劑量作用下，會引起瞬態干擾和永久損壞。由於在飛彈核武器和其他現代武器系統中，廣泛採用了對早期核輻射敏感的半導體器件和積體電路，在遭遇攔截時容易被核爆炸的早期核輻射損壞。提高抗早期核輻射能力是抗核加固重要...
γ射線存在於核爆炸和反應堆的中子輻射環境中，由於γ電離輻射與中子位移損傷效應的相互作用，電子器件在實際環境中的輻射效應在某些情況下不是兩項輻射效應的簡單疊加。本項目以不同工藝單管和積體電路作為研究對象，提出雙極器件亞表面區...
1947年發明的半導體電晶體，帶來了現代電子學的革命。矽大規模積體電路和半導體雷射器的問世，使得世界進入了一個以微電子和光電子技術為基礎的資訊時代。電晶體發明以後，20世紀50—60年代，人們對半導體的物理性質進行了廣泛而深入的研究...
綜上所述, 人類已經進入資訊時代, 半導體和微電子技術無疑是信息社會的核心技術之一。 展望未來, 在光電子技術的革命中, 光電導材料會在光學、集成光電子學和分子電子學領域發揮重大作用 。 在語言和圖像的識別中, 在複雜情況下作出...
雷射管的光譜較窄、發散角小、方向性強、色散小，於1962 年研製成功後，得到迅速發展，廣泛用於大容量、長距離的光纖通信系統以及光電積體電路。缺點是溫度特性差，壽命比 LED 短。②光電探測器或光電接收器：通過電子過程探測光信號的...
3.5劑量增強效應 3.6低劑量率效應 第4章抗輻射雙極積體電路設計 4.1雙極積體電路的製造工藝 4.2雙極積體電路的電晶體 4.3雙極積體電路的二極體 4.4積體電路中的無源元件 4.5雙極電晶體的輻射效應 4.5.1中子輻射對雙極電晶體...
本書可供從事半導體器件及積體電路設計，製造與套用的科研人員與工程技術人員問讀，也可作為大專院校有關專業高年級學生和研究生的教學參考書．圖書目錄 目錄 第一章 半導體器件的結構、製造工藝及可靠性 第二章 半導體器件參數及其溫度...
③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模積體電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波電晶體上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD...
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10⁷～10Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的...
本項目一方面以半導體單管器件為研究對象，研究了累積劑量對脈衝輻射回響的影響機制；另一方面以雙極和CMOS積體電路為研究對象，獲取了累積劑量對積體電路的脈衝輻射回響規律。項目提出了雙極器件基區複合增強理論，闡明了累積劑量對脈衝輻射二...
1. 新型半導體器件和積體電路總劑量輻射效應機理研究 研究光電器件、大規模積體電路等的總劑量輻射效應規律和輻射損傷物理機制，為新型器件和積體電路的空間輻射效應模擬試驗和抗輻射加固技術提供理論依據和支撐。2. 新型電子元器件總劑量輻射...
半導體器件和積體電路的輻射效應與機理、模擬試驗方法、試驗系統研究。1. 光電材料與器件的輻射效應與機理研究 研究光電器件、光電材料與光學材料的輻射效應規律和輻射損傷物理機制。2. 新型電子元器件輻射效應模擬試驗方法 光電成像器件、大...
