《半導體材料的輻射效應》是1993年科學出版社出版的圖書，作者是曹建中。
內容包括目前國際上對於半導體器件輻射效應關注的各個方向，從傳統的Si材料到新型的納米晶體，從傳統的CMOS工藝到新型的薄膜SOI工藝，從器件工藝到結構設計，各類內容均有涉及。本書中各類新興的探測器技術、電路設計技術、新材料和創新的系統...
《半導體超晶格二維電子氣材料的輻照效應研究》是依託電子科技大學,由肖海燕擔任醒目負責人的聯合基金項目。項目摘要 半導體超晶格二維電子氣材料在武器及航天航空等領域中套用時會暴露在中子、γ等強輻射環境中，導致大量缺陷產生和聚集而...
《先進半導體材料及器件的輻射效應》是2008年國防工業出版社出版的圖書，作者是（比）克拉艾（Claeys，C.），（比）西蒙恩（Simoen，E.）。內容提要 本書特彆強調輻射效應的基本物理，介紹的內容反映當前半導體材料及器件輻射效應和輻射...
《半導體材料的輻射效應》是1993年科學出版社出版的圖書，作者是曹建中。內容簡介 本書介紹了半導體材料輻射效應的基礎知識，半導體材料的輻射摻雜效應、電離效應和位移效應及輻射損傷缺陷測量等知識。圖書目錄 目錄 第一章 基礎知識 第二章 ...
《半導體材料及器件的輻射效應》是2021年國防工業出版社出版的圖書。內容簡介 《光電防禦系統與技術》首先明確了光電防禦的概念與內涵；接著論述了光電防禦的基本原理和系統構成；隨後分別研究了光電告警、光電防禦有源干擾、光電防禦無源干擾...
3.1 MOS器件參數和材料的輻射效應 3.1.1 CMOS器件的閂鎖效應 3.1.2 MOSFET電晶體的輻射效應 3.1.3氧化層電容的量子效應 3.1.4材料特性和介質結構 3.1.5電場 3.1.6輻射光電流對MOS電路的主要影響 3.2抗輻射加固CMOS電路...
《半導體器件和積體電路的輻射效應》是國防工業出版社出版的圖書，作者是陳盤訓。內容簡介 本書較為全面地介紹了各類典型半導體器件和積體電路在核輻射（主要為中子注量、總劑量和劑量率等）和空間輻射環境下的損傷機理和效應。主要內容包括...
表面效應 在一些半導體器件的鈍化層界面上產生的電離和缺陷，有時也稱為表面效應。基於材料的損傷，對不同原理、不同結構和工藝的元件器件又會產生不同的電性能影響。可用微觀損傷的物理模型，解釋輻射引起巨觀電參數的變化規律。實際上,...
對於整個系統，還要從禁止結構、充填材料和可靠性等方面考慮。對於瞬時輻射效應，採用時間迴避法或間隙式工作方式比較有效。對於易損部分，可採用局部禁止或雙套以上的複式電路。抗輻射電子系統的設計，應利用計算機進行模擬分析和輔助電路設計...
作為半導體材料的一種體效應，光電導效應無須形成p-n結。光照越強，光電導材料的電阻率越小，故光電導材料又稱為光敏電阻。不含雜質的光敏電阻一般在室溫下工作，適用於可見光和近紅外輻射探測，含雜質的光敏電阻通常必須在低溫條件下...
在一般情況下，半導體電導率隨溫度的升高而增大。凡具有上述兩種特徵的材料都可歸入半導體材料的範圍。反映半導體內在基本性質的卻是各種外界因素如光、熱、磁、電等作用於半導體而引起的物理效應和現象，這些可統稱為半導體材料的半導體性質...
這一半導體主要運用到高速器件中，InP製造的電晶體的速度比其他材料都高，主要運用到光電積體電路、抗核輻射器件中。 對於導電率高的材料，主要用於LED等方面。（3）有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機...
為了進一步弄清局部輻射如何對設備產生影響，需要對損傷機制進行研究。組成內容 表面效應 在一些半導體器件的鈍化層界面上產生的電離和缺陷，有時也稱為表面效應。基於材料的損傷，對不同原理、不同結構和工藝的元件器件又會產生不同的電...
半導體材料有一種效應叫做光生伏打效應。這種效應是指，當半導體材料受到光照時，半導體內的電荷分布狀態發生變化而產生電動勢和電流的效應。此時，不需要任何外加電源，只要有光照射，半導體的兩端就會產生電勢差，接上負載後就會產生電流。
《源區致電離輻射對電子器件中子輻射效應影響機制研究》是依託西北核技術研究院，由陳偉擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 電子元器件的輻射效應研究是一門涉及核物理和半導體物理等方面的交叉學科，在空間和國防領域中受到廣泛關注。γ射線...
在靶物質中形成大範圍的缺陷群：在太空飛行器系統中，受輻射損傷效應影響最嚴重的是太陽電池。構成太陽電池的半導體材料受輻射損傷效應，會產生缺陷、造成電池輸出功率降低。產生輻射效應的物質 空間輻射環境中產生輻射損傷效應的物質主要是地球...
電離損傷主要是在半導體和絕緣體中產生電子-空穴對，需要的能量較低；而位移損傷主要是在半導體中產生晶格空位（即原子離開晶格位置後所留下的空位），需要的能量要高得多。半導體中的這些損傷也就是造成器件和IC的輻照效應的根本原因。輻...
光吸收使半導體形成非平衡載流子，而載流子濃度的增大必須使樣品電導率增大，這種由光照引起半導體電導率增加的現象稱為光電導效應。本徵吸收引起電導稱為本徵光電導。光電導簡介 當半導體材料受光照時，由於對光子的吸收引起載流子濃度的變化，...
用砷化鎵製成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用於製作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料，但用它製作的晶體三極體的放大倍數小，導熱性差，不適宜製作...
