《半導體器件模型和工藝模型》是1986年科學出版社出版的圖書,作者是夏武穎。
基本介紹
- 中文名:半導體器件模型和工藝模型
- 作者:夏武穎
- 出版時間:1986年
- 出版社:科學出版社
- 統一書號:15031728
《半導體器件模型和工藝模型》是1986年科學出版社出版的圖書,作者是夏武穎。
《半導體器件模型和工藝模型》是1986年科學出版社出版的圖書,作者是夏武穎。內容簡介該書系統地介紹了積體電路計算機輔助設計中所用的半導體器件模型和工藝模型.全書共兩篇,十一章,其中半導體器件模型包括雙極型電晶體、MOS及...
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振盪器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與積體電路相區別,有時也稱為分立器件。絕大部分二端...
《半導體製造工藝(第2版)》是2018年7月機械工業出版社出版的圖書,作者是張淵。內容簡介 本教材簡要介紹了半導體器件基本結構、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品,以典型的CMOS管的製造實例為基礎介紹了積體電路的製造過程及製造過程中對環境的要求及污染的控制。重點介紹了包括...
SPICE模型是這種模型中套用最廣泛的一種。其優點是精度較高,特別是隨著建模手段的發展和半導體工藝的進步和規範,人們已可以在多種級別上提供這種模型,滿足不同的精度需要。缺點是模型複雜,計算時間長。一般驅動器和接收器的模型由器件廠商提供,傳輸線的模型通常從場分析器中提取,封裝和連線器的模型即可以由場分析...
《半導體製造工藝》是2015年8月7日機械工業出版社出版的圖書,作者是張淵。主要介紹了半導體器件基本結構 、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品,以典型的CMOS管的製造實例為基礎的積體電路的製造過程及製造過程中對環境的要求及污染的控制。內容簡介 矽片是一種矽材料通過加工切成一...
《新型配合物納米半導體及其器件模型研究》是依託南京大學,由黃偉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 設計合成系列新型含有金屬配位點構築單元的大共軛芳環或芳雜環體系的多功能分子半導體,把這些分子與不同過渡金屬離子反應獲得結構、性質和帶隙可以調節的單核和多核配位化合物或低維聚合物,再利用納米材料製備方法(...
非晶體半導體器件,以非晶體半導體材料為主製成的電子器件。解釋 非晶體的原子排列不具有長距離的有序結構,但短距離的有序結構可使用半導體相同的能帶模型而加以利用,如Si和S、Se、Te系列的材料。非晶體半導體器件有:①非晶矽太陽電池。利用非晶矽薄膜的光生伏特效應的器件。其工作原理與晶體矽太陽電池類似,所不...
第5章3D NAND Flash存儲器模型模擬技術 5.1仿真工具簡介 5.1.1Sentaurus TCAD 5.1.2Sentaurus WorkBench 5.1.3Sentaurus Process 5.1.4Sentaurus Structure Editor 5.1.5Sentaurus Device 5.2納米尺度器件模擬 5.2.1納米尺度MOS器件輸運特性簡介 5.2.2半導體仿真模擬概述 5.2.3半導體器件模型介紹 5.32D ...
《半導體器件原理與技術》是2016年人民交通出版社出版的圖書,作者是文常保、商世廣、李演明。內容簡介 《半導體器件原理與技術》主要介紹半導體物理基礎、二極體、雙極型電晶體、MOS場效應電晶體、無源器件、器件SPICE模型、半導體工藝技術、半導體工藝仿真、薄膜製備技術、半導體封裝技術和半導體參數測試技術等微電子技術領域...
1.3.2 sentaurus device主要物理模型18 1.3.3 sentaurus device仿真實例21 1.4 積體電路虛擬製造系統sentaurus workbench簡介25 1.4.1 sentaurus workbench(swb)簡介25 1.4.2 創建和運行仿真項目25 參考文獻28 第2章 工藝仿真工具tsuprem-4及器件仿真工具medici29 .2.1 tsuprem-4的工藝模型介紹29 2.1.1 ...
2.4集成工藝 2.5最佳化 2.5.1最佳化設定 2.5.2待最佳化參數 2.5.3最佳化目標 2.5.4最佳化結果 思考題與習題 第3章二維器件仿真 3.1ATLAS概述 3.2器件仿真流程 3.3定義結構 3.3.1ATLAS生成結構 3.3.2DevEdit生成結構 3.3.3DevEdit編輯已有結構 3.4材料參數及模型 3.4.1接觸特性 3.4.2材料特性 3.4....
3.10 本章小結——一個器件的製造實例 習題 參考文獻 相關閱讀資料 第4章 PN結和金屬半導體結 第1部分:PN結 4.1 PN結的理論基礎 4.2 耗盡層模型 4.3 反偏PN結 4.4 電容電壓特性 4.5 結擊穿 4.6 正向偏置時的載流子注入——準平衡邊界條件 4.7 電流連續性方程 4.8 正偏PN結中的過剩載流子...
1.4.2 近自由電子模型 1.4.3 能隙的起因 1.4.4 布洛赫函式 1.4.5 克朗尼格-朋奈模型 1.4.6 能帶中軌道的數目 1.5 半導體晶體 1.5.1 能帶隙 1.5.2 重要半導體材料Si單晶的介紹 02 W1-2半導體中的電子狀態 掌握有效質量的求解,掌握空穴的定義,熟悉等能面方程,掌握Si、Ge的常見能帶結構。課...
經過二十多年的發展,來自矽谷的Silvaco公司的產品在TCAD、參數提取、互連建模、模擬、數字和射頻電路設計等半導體仿真設計領域獲得了廣泛套用。其中TCAD可以仿真半導體器件的電學、光學和熱學行為,分析二維或三維器件的直流、交流和時域回響以及光電、電光轉換等特性,研究器件在電路中的行為,分析離子注入、擴散、...
《氧化物半導體薄膜電晶體的模型及參數提取方法研究》是依託華南理工大學,由姚若河擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 隨著氧化物半導體薄膜電晶體研究的深入和製備工藝的成熟,氧化物半導體薄膜電晶體器件逐漸推向套用。研究建立氧化物半導體薄膜電晶體的模型及給出相應的參數提取方法對氧化物半導體薄膜電晶體積體電路的設計...
2.2半導體模型 2.2.1價鍵模型 2.2.2能帶模型 2.2.3載流子 2.2.4帶隙和材料分類 2.3載流子的特性 2.3.1電荷 2.3.2有效質量 2.3.3本徵材料內的載流子數 2.3.4載流子數的控制——摻雜 2.3.5與載流子有關的術語 2.4狀態和載流子分布 2.4.1態密度 2.4.2費米分布函式 2.4.3平衡載流子分布...
擴散、離子注入等一系列流程,製作出電晶體和積體電路;器件和電路都是在晶片表面一層附近處,整個晶片基本上保持是平坦的(實際上,表面上存在許多台階);製作出的電晶體稱為平面電晶體(相對於台面電晶體而言),故稱相應的製作工藝為平面工藝。現在平面工藝已經是製造各種半導體器件與積體電路的基本工藝技術。
書中內容由淺入深,從半導體的性質、基本的半導體結構、器件的製造和模擬、功率半導體器件的套用到各類重要功率半導體器件的基本原理、設計原則和套用特性,建立起一系列不同層次的、複雜程度漸增的器件模型,並闡述了各類重要功率半導體器件各級模型的基礎知識,使功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的...
《功率半導體器件基礎》既可作為電力電子領域相關人員入門了解功率半導體器件的參考書,亦可作為專業技術人員深入研究的資料。也適用於相關專業的本科生、研究生課程的配套教材或指導書。目錄 《功率半導體器件基礎》第1章 緒論 1.1 理想和典型的功率開關模型 1.2 理想和典型的功率器件參數 1.3 單極功率器件 1.4 ...
本書由淺入深、系統地介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理和工作特性。為便於讀者自學和參考,本書首先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識;然後重點論述了PN結、雙極型電晶體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數和器件幾何結構參數的關係;最後...
申請人一直從事器件建模和高速電路相關研究,已發表相關學術論文80餘篇,撰寫光電子器件、半導體器件建模與測試技術方面的英文專著2部,中文專著3部。擬將在MOSFET器件建模和高頻測試方法等方面已取得的研究基礎上,開展基於納米MOSFET器件的毫米波積體電路設計技術器件建模這一重要領域的基礎研究工作。提出將傳統等效電路建模...
4.2 氧化工藝 76 4.2.1 乾氧氧化 76 4.2.2 水汽氧化 76 4.2.3 濕氧氧化 77 4.2.4 氫氣和氧氣合成氧化 77 4.2.5 快速熱氧化 78 4.2.6 高壓氧化 81 4.2.7 電漿氧化 82 4.3 熱氧化生長動力學 82 4.3.1 熱氧化動力學模型 82 4.3.2 CMOS技術中對薄氧化層的要求 87 4.4 氧化...
《現代半導體積體電路》全面介紹了現代半導體積體電路的基礎知識、分析與設計方法。全書共分為5個部分,第一部分(第1~2章)為積體電路的基礎知識,主要介紹各種集成器件的結構和模型、積體電路的典型工藝。第二部分(第3~5章)為雙極積體電路,包括TTL、ECL及IIL邏輯門及邏輯擴展、雙極差分放大器及雙極運放電路等。...
1273壽命預測模型407 1274失效模式的離析410 1275功率循環的任務配置和疊加414 1276TO封裝模組的功率循環能力417 1277SiC器件的功率循環418 128宇宙射線失效422 1281鹽礦試驗422 1282宇宙射線的由來423 1283宇宙射線失效模式426 1284基本的失效機理模型427 128...
目前半導體器件的尺寸已突破100nm向40nm尺寸進軍。如果繼續減小,器件的尺寸將接近電子的德布羅意波長,量子效應將變得更加顯著,尺寸小於83&O 將出現一些如庫侖阻塞等新的特性。在這種情況下,巨觀的器件理論將被替代,一些新的器件模型和理論被紛紛提出。其中認為現有器件較有希望的替代者是單電子電晶體(SET)和單電子...
⑵基於Crystal-TRIM的蒙特卡羅(Monte Carlo)離子注入模型、離子注入校準模型、注入解析模型和注入損傷模型;⑶高精度小尺寸擴散遷移模型等。引入這些小尺寸模型,增強了仿真工具對新材料、新結構及小尺寸效應的仿真能力,適應未來半導體工藝技術發展的需求。Sentaurus Device介紹:隨著積體電路製程技術的長足發展,集成化器件...
隨著半導體工藝技術的發展,器件最小特徵尺寸已減小到亞微米甚至深亞微米量級。亞微米半導體器件由於存在各種小尺寸效應,如漂移速度過沖效應等非局域性或非穩定性效應,因此需要考慮載流子輸運中的能量和動量過程。漂移擴散模型只是玻爾茲曼方程的2階量的近似,忽略了很多重要的物理效應,比如自加熱效應,非穩態輸運,等等。儘管...
與此同時,在同一年Mott提出了金屬-半導體接觸的Mott勢壘模型。之後在1942年美國物理學家Bethe,基於對這兩種模型深入研究,提出了熱電子發射理論,使得我們對金屬半導體接觸的整流原理有了日漸清晰的認識。據此理論,器件的熱電子發射電流與器件的肖特基勢壘高度密切相關,而肖特基勢壘高度是金屬與半導體材料的功函式差,...
電路規模越大、指標和工作頻段越高,對器件模型精度要求也越高。準確的半導體器件模型對提高微波毫米波單片微波積體電路的成品率、縮短研發周期起著非常重要的作用。由於MMIC製造技術仍在不斷發展中,不同工藝線的工藝各不相同,因此不同的工藝上的模型庫也不盡相同,因此必須針對特定的工藝建立特定的MMIC模型庫。對於...
第2章介紹半導體物理基礎。第3章介紹半導體器件模型。第4章介紹積體電路製造、版圖設計和封裝。第5章介紹模擬單元與變換電路。第6章介紹數字單元電路設計。第7章介紹ASIC/SoC系統設計。第8章介紹積體電路測試與可測試性設計。第9章介紹積體電路設計工具,並以LCD控制器作為設計實例。《積體電路設計基礎》作為積體電路...