《現代積體電路半導體器件》是2012年7月電子工業出版社出版的圖書，作者是胡正明。
基本介紹
- 書名：現代積體電路半導體器件
- 作者：胡正明
- ISBN：9787121176623
- 頁數：258頁
- 定價：49.00元
- 出版社：電子工業出版社
- 出版時間：2012-7
內容簡介,目錄,
內容簡介
《國外電子與通信教材系列:現代積體電路半導體器件》系統介紹了現代積體電路中的半導體器件，是一本深入闡述半導體器件的物理機制和工作原理並與實踐相結合的教材。《國外電子與通信教材系列:現代積體電路半導體器件》沒有按電子器件、光電子器件、微波器件等通常的分類形式，而是強調了不同半導體器件中的共性，集中介紹了PN結、金屬半導體接觸、雙極型電晶體和MOSFET等幾個基本器件的結構和理論，在此基礎上引入了其他重要的半導體器件， 如太陽能電池、LED、二極體雷射器、CCD和CMOS圖像感測器、HEMT器件和存儲器等。
目錄
第1章 半導體中的電子和空穴
1.1 矽的晶體結構
1.2 電子和空穴的成鍵模型
1.3 能帶模型
1.4 半導體、絕緣體和導體
1.5 電子和空穴
1.6 態密度
1.7 熱平衡與Fermi函式
1.8 電子和空穴的濃度
1.9 n和p的通用理論
1.10 在極端溫度下的載流子濃度
1.11 本章小結
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第2章 電子和空穴的運動與複合
2.1 熱運動
2.2 漂移
2.3 擴散電流
2.4 能帶圖與V、的關係
2.5 D和μ之間的愛因斯坦關係
2.6 電子空穴複合
2.7 熱產生
2.8 準平衡和準Fermi能級
2.9 本章小結
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第3章 器件製造技術
3.1 器件製造簡介
3.2 矽的氧化
3.3 光刻
3.4 圖形轉移——刻蝕
3.5 摻雜
3.6 摻雜劑的擴散
3.7 薄膜澱積
3.8 互連——後端工序
3.9 測試、組裝與合格鑑定
3.10 本章小結——一個器件的製造實例
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第4章 PN結和金屬半導體結
第1部分：PN結
4.1 PN結的理論基礎
4.2 耗盡層模型
4.3 反偏PN結
4.4 電容電壓特性
4.5 結擊穿
4.6 正向偏置時的載流子注入——準平衡邊界條件
4.7 電流連續性方程
4.8 正偏PN結中的過剩載流子
4.9 PN結二極體的IV特性
4.10 電荷存儲
4.11 二極體的小信號模型
第2部分：PN結在光電器件中的套用
4.12 太陽能電池
4.13 發光二極體和固態照明
4.14 二極體雷射器
4.15 光電二極體
第3部分：金屬半導體結
4.16 Schottky勢壘
4.17 熱發射理論
4.18 Schottky二極體
4.19 Schottky二極體的套用
4.20 量子力學隧道效應
4.21 歐姆接觸
4.22 本章小結
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第5章 MOS電容
5.1 平帶條件和平帶電壓
5.2 表面積累
5.3 表面耗盡
5.4 閾值電壓
5.5 高於閾值的強反型
5.6 MOS結構的CV特性
5.7 氧化層電荷——對Vfb和Vt的修正
5.8 多晶矽柵的耗盡——等效Tox的增大
5.9 反型層和積累層厚度以及量子力學效應
5.10 CCD和CMOS成像感測器
5.11 本章小結
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第6章 MOSFET電晶體
6.1 MOSFET簡介
6.2 互補MOS（CMOS）工藝
6.3 表面遷移率和高遷移率FET
6.4 MOSFET的Vt， 體效應和超陡倒摻雜
6.5 MOSFET中的Qinv
6.6 基本MOSFET的電流電壓模型
6.7 CMOS反相器——電路實例
6.8 速度飽和
6.9 速度飽和下的MOSFET的電壓電壓模型
6.10 寄生源漏電阻
6.11 串聯電阻和等效溝道長度的提取
6.12 速度過沖和源區速度極限
6.13 輸出電導
6.14 高頻性能
6.15 MOSFET的噪聲
6.16 SRAM， DRAM和非易失性（FLASH）存儲器件
6.17 本章小結
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第7章 IC中的MOSFET——按比例縮小、漏電及其他問題
7.1 按比例縮小工藝——成本、速度及功耗
7.2 亞閾值區電流——“關”不是完全“關”
7.3 Vt下降——短溝MOSFET漏電更多
7.4 減小柵絕緣層的電學厚度和隧穿電流
7.5 如何減小Wdep
7.6 淺結及金屬源/漏MOSFET
7.7 Ion和Ioff之間的折中以及可製造性設計
7.8 超薄體SOI及多柵MOSFET
7.9 輸出電導
7.10 器件模擬和工藝模擬
7.11 用於電路模擬的MOSFET集約模型
7.12 本章小結
習題
參考文獻
相關閱讀資料
第8章 雙極型電晶體
8.1 雙極型電晶體簡介
8.2 集電極電流
8.3 基極電流
8.4 電流增益
8.5 由集電極電壓導致的基區寬度調製
8.6 EbersMoll模型
8.7 渡越時間與電荷存儲
8.8 小信號模型
8.9 截止頻率
8.10 電荷控制模型
8.11 大信號電路模擬模型
8.12 本章小節
習題
參考文獻
相關閱讀資料
附錄A 態密度的推導
附錄B FeimiDirac分布函式的推導
附錄C 少數載流子假設的自洽性
部分習題的答案
索引
1.1 矽的晶體結構
1.2 電子和空穴的成鍵模型
1.3 能帶模型
1.4 半導體、絕緣體和導體
1.5 電子和空穴
1.6 態密度
1.7 熱平衡與Fermi函式
1.8 電子和空穴的濃度
1.9 n和p的通用理論
1.10 在極端溫度下的載流子濃度
1.11 本章小結
習題
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第2章 電子和空穴的運動與複合
2.1 熱運動
2.2 漂移
2.3 擴散電流
2.4 能帶圖與V、的關係
2.5 D和μ之間的愛因斯坦關係
2.6 電子空穴複合
2.7 熱產生
2.8 準平衡和準Fermi能級
2.9 本章小結
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第3章 器件製造技術
3.1 器件製造簡介
3.2 矽的氧化
3.3 光刻
3.4 圖形轉移——刻蝕
3.5 摻雜
3.6 摻雜劑的擴散
3.7 薄膜澱積
3.8 互連——後端工序
3.9 測試、組裝與合格鑑定
3.10 本章小結——一個器件的製造實例
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第4章 PN結和金屬半導體結
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4.1 PN結的理論基礎
4.2 耗盡層模型
4.3 反偏PN結
4.4 電容電壓特性
4.5 結擊穿
4.6 正向偏置時的載流子注入——準平衡邊界條件
4.7 電流連續性方程
4.8 正偏PN結中的過剩載流子
4.9 PN結二極體的IV特性
4.10 電荷存儲
4.11 二極體的小信號模型
第2部分：PN結在光電器件中的套用
4.12 太陽能電池
4.13 發光二極體和固態照明
4.14 二極體雷射器
4.15 光電二極體
第3部分：金屬半導體結
4.16 Schottky勢壘
4.17 熱發射理論
4.18 Schottky二極體
4.19 Schottky二極體的套用
4.20 量子力學隧道效應
4.21 歐姆接觸
4.22 本章小結
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5.2 表面積累
5.3 表面耗盡
5.4 閾值電壓
5.5 高於閾值的強反型
5.6 MOS結構的CV特性
5.7 氧化層電荷——對Vfb和Vt的修正
5.8 多晶矽柵的耗盡——等效Tox的增大
5.9 反型層和積累層厚度以及量子力學效應
5.10 CCD和CMOS成像感測器
5.11 本章小結
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6.2 互補MOS（CMOS）工藝
6.3 表面遷移率和高遷移率FET
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6.5 MOSFET中的Qinv
6.6 基本MOSFET的電流電壓模型
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6.8 速度飽和
6.9 速度飽和下的MOSFET的電壓電壓模型
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6.11 串聯電阻和等效溝道長度的提取
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6.16 SRAM， DRAM和非易失性（FLASH）存儲器件
6.17 本章小結
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7.1 按比例縮小工藝——成本、速度及功耗
7.2 亞閾值區電流——“關”不是完全“關”
7.3 Vt下降——短溝MOSFET漏電更多
7.4 減小柵絕緣層的電學厚度和隧穿電流
7.5 如何減小Wdep
7.6 淺結及金屬源/漏MOSFET
7.7 Ion和Ioff之間的折中以及可製造性設計
7.8 超薄體SOI及多柵MOSFET
7.9 輸出電導
7.10 器件模擬和工藝模擬
7.11 用於電路模擬的MOSFET集約模型
7.12 本章小結
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8.1 雙極型電晶體簡介
8.2 集電極電流
8.3 基極電流
8.4 電流增益
8.5 由集電極電壓導致的基區寬度調製
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8.10 電荷控制模型
8.11 大信號電路模擬模型
8.12 本章小節
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附錄B FeimiDirac分布函式的推導
附錄C 少數載流子假設的自洽性
部分習題的答案
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