《存儲器工藝與器件技術》是2023年清華大學出版社出版的圖書,作者是霍宗亮、夏志良、靳磊、王頎、洪培真。
基本介紹
- 中文名:存儲器工藝與器件技術
- 作者:霍宗亮、夏志良、靳磊、王頎、洪培真
- 出版時間:2023年8月1日
- 出版社:清華大學出版社
- ISBN:9787302623182
- 定價:99 元
《存儲器工藝與器件技術》是2023年清華大學出版社出版的圖書,作者是霍宗亮、夏志良、靳磊、王頎、洪培真。
《存儲器工藝與器件技術》是2023年清華大學出版社出版的圖書,作者是霍宗亮、夏志良、靳磊、王頎、洪培真。內容簡介存儲器是半導體產業的基石之一。隨著全球物聯網、大數據中心、智慧型家居、穿戴設備等套用帶動的數據存儲市場的快速增...
本項目對有機鐵電電晶體存儲器(簡稱FeOFET)關鍵材料的製備工藝、材料特性以及電晶體存儲器的集成技術和器件性能進行了較為細緻的研究,首先採用旋塗法和有序分子組裝(LB法)製備了P(VDF-TrFE)薄膜,通過對其表面形貌、晶粒大小、結晶度...
本論文面向動態隨機存儲器(DRAM)和快閃記憶體(Flash memory)兩類重要的半導體存儲技術,從提高存儲密度、提升性能、增強可靠性和降低功耗的角度,圍繞器件結構、陣列架構、工藝製備及相關特性分析等方面展開研究。 對於DRAM,由於1T1C DRAM在單元...
按功能的不同,半導體存儲器可分為隨機存儲器(RAM)、唯讀存儲器(ROM)和串列存儲器三大類。隨著半導體積體電路工藝技術的發展,半導體存儲器容量增長非常快,單片存儲容量已進入兆位級水平,如16兆動態隨機存儲器(DRAM)已商品化,64...
MCP (Multiple Chip Package) 存儲器,MCP是在一個塑膠封裝外殼內,垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器晶片,是一種一級單封裝的混合技術,用此方法節約小巧印刷電路板PCB空間。套用發展 積體電路封裝技術一直追隨晶片的發展而進展,...
本課題在新型存儲工藝在器件和電路級模型的基礎上,涵蓋了(1)低功耗非易失快取的構建與壽命最佳化,(2) 新型存儲工藝快取的高性能數據讀寫技術,(3) 新型存儲工藝快取高可靠性技術等多個方面。通過壽命最佳化,能夠提高基於新型存儲工藝的...
自旋隨機儲存器具有斷電數據非易失性、快速隨機、存儲密度高、穩定性高等優點,被認為可作為下一代通用儲存器。納電子學的主要目標。可以通過單個的儲存技術來提供數據和執行儲存,適用的溫度範圍提高,在軍用和航天有前途 產品簡介 自旋...
傳統非揮發性性存儲器以 Flash 為主,2012 年 NAND 型 Flash 已經發展到 32 nm/64 Gbit 技術。在積體電路上,Flash 存儲器是使用最廣泛的、工藝線寬最小的、單元集成密度最高的器件。Flash 存儲器的發展來源於 1967 年貝爾實驗室...
如TRW公司為美國NASA的CASSINI太空飛行器設計的大容量固態存儲器的存儲容量為2Gbits,每個存儲模組為4Mbits,結構為DRAM器件,輸入或輸出數據速率分別為2Mbps。歐空局CLUSTERI衛星也採用了相關產品,技術指標均優於當時同類太空飛行器如伽利略和哈勃...
阻變存儲器(RRAM)及其三維集成的新型存儲器由於簡單的器件結構、緊湊的存儲陣列、優良的存儲性能和與現有CMOS工藝的高兼容度,成為最具潛力的解決方案之一。本項目針對現有高密度非揮發存儲技術中尚未解決的問題,開展了適合於三維集成的...
磁性隨機訪問存儲器是一種非易失性存儲器技術,正在作為一種主流的數據存儲技術被業界所廣泛接受。它集成了一個磁阻器件和一個矽基選擇矩陣。關鍵屬性有非易失性、低電壓工作、無限次讀寫的耐用性、快速讀寫操作,並且作為後端技術而...
大密度、快訪問、極省電、可復用和不易失是磁阻記憶體的五大優點,這使它在各個方面都大大超過了現有的甚至正在研發的存儲技術——快閃記憶體太慢、SRAM和DRAM易揮發、鐵電存儲器FRAM可重寫次數有限、晶相存儲不易控制溫度……MRAM可以說是集...
碳納米電晶體的能效要比CMOS電晶體高一個數量級且功耗極低,是實現單體三維存儲器的理想器件;但碳納米管生長時有特殊的工藝波動,碳納米電晶體故障率高。針對這一問題,本項目用圖形圖像處理技術和統計學方法,研究基於碳納米管形態特徵...
本項目以FG-OTFT存儲器的研製及全面提高器件的存儲性能為研究內容,重點是降低存儲器的P/E電壓及延長電荷存儲保持時間。為此提出以下創新點:提出金屬自發氧化技術同時製備納米粒子浮柵和勢壘層;構建浮柵/勢壘層/有源層能級體系;提出雙極...
SRAM是靜態存儲方式,以雙穩態電路作為存儲單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由於存儲單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。工作原理 SRAM的工作原理:假設準備往圖2的6T存儲單元寫入“1”,先將某一組...
半導體,微電子,積體電路,IC,工藝,設計,器件,封裝,測試,MESoC中包含了微處理器/微控制器、存儲器以及其他專用功能邏輯,但並不是包含了微處理器、存儲器以及其他專用功能邏輯的晶片就是SoC。SoC技術被廣泛認同的根本原因,並不在於SoC...
9.2納米器件製造中的挑戰 9.3片上互連的挑戰 9.4通過SiP實現異質集成 9.5減小尺寸與成本的解決方案 9.63D多晶片SiP技術解決方案 9.6.1多晶片SiP的2D、3D空間配置與衍生 9.6.2多晶片SiP集成工藝: 裸片到裸片,晶圓到...
《相變存儲器與套用基礎》是在完成國家科技02重大專項、國家重點基礎研究發展計畫、國家高技術研究發展計畫等項目過程中,對相變存儲器方面進行的較為詳細的階段性總結。《相變存儲器與套用基礎》可供材料、半導體器件、積體電路設計、測試等...
Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優點,適用於大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的套用,如嵌入式產品中包括數位相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的隨身碟等。解析 NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於...
FeRAM(Ferroelectric RAM),縮寫為FeRAM或FRAM,類似於SDRAM,是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發性記憶體的功能。 鐵電隨機存取記憶體是一個與電腦記憶體相關的小作品。產品...
圖1是以CMOS為基礎的0.8μm BiCMOS器件的縱向剖面圖。BiCMOS-C型是只使用少數雙極性電晶體來驅動長線一輸出快取器,而BiCMOS-E型則主要是以ECL技術為主,用CMOS電晶體做為大型存儲部件。這兩種類型的BiCMOS由於需要將雙極性晶 雙極...
可靠性的降低,數據保持時間的縮短,編程速度的減緩等問題在亞 45nm 工藝水平的 Flash技術上逐步凸顯。另外,SRAM 和 DRAM 極高的能量泄露、NAND Flash較差的使用壽命以及不斷退化的器件穩定性等問題日趨嚴重,MOSFET 基存儲器在不久的...
PCRAM 多值存儲技術就是利用相變材料在不同相態時高、低電阻之間的巨大差異,在單個存儲單元上實現兩個及以上的存儲狀態,可以在製程工藝不變的情況下使存儲單元容量實現倍增的效果,從而能夠顯著地提高器件的集成度,大幅度地降低存儲成本...
一些業內專家認為, 用有機半導體材料開發出各種新型導電聚合物器件的研究正在改變著高技術未來的發展方向。當前, 採用有機半導體已可製作各種類型的有源器件和無源器件, 如電晶體、二極體、OLED 、感測器、存儲器、顯示器、電池、電阻、...