單體三維碳納米電晶體存儲器的容錯技術研究與實現

《單體三維碳納米電晶體存儲器的容錯技術研究與實現》是依託上海交通大學，由蔣力擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：單體三維碳納米電晶體存儲器的容錯技術研究與實現
• 項目類別：青年科學基金項目
• 項目負責人：蔣力
• 依託單位：上海交通大學

項目摘要

單體三維存儲器效能極高，適用於大數據和機器學習等套用；但其製造過程有嚴格的溫度限制，很難用傳統CMOS電晶體製造。碳納米電晶體的能效要比CMOS電晶體高一個數量級且功耗極低，是實現單體三維存儲器的理想器件；但碳納米管生長時有特殊的工藝波動，碳納米電晶體故障率高。針對這一問題，本項目用圖形圖像處理技術和統計學方法，研究基於碳納米管形態特徵的故障建模方法；通過對“不完整”存儲單元的可測試性設計和對“三維跳躍式測試”方法的研究，揭示“生長中測試”有效降低製造成本的規律；根據獨特的故障分布，探索單層存儲器的冗餘共享機制，進一步利用單體三維晶片的高頻寬優勢，探索“多層冗餘共享”機制和修復算法；建立開源成本評估工具，明確器件層的工藝選擇、電路層的存儲單元設計，架構層的測試與修復機制之間的互相關係。項目預期能提高該新型存儲器的良品率，為其產業化提供方案，為其它新工藝存儲器的容錯技術研究提供參考。

結題摘要

單體三維存儲器效能極高，適用於大數據和機器學習等套用;但其製造過程有嚴格的溫度限制，很難用傳統CMOS電晶體製造。碳納米電晶體的能效要比CMOS電晶體高一個數量 級且功耗極低，是實現單體三維存儲器的理想器件;但碳納米管生長時有特殊的工藝波動 ，碳納米電晶體故障率高。針對這一問題，本項目用圖形圖像處理技術和統計學方法，研 究基於碳納米管形態特徵的故障建模方法;通過對“不完整”存儲單元的可測試性設計和 對“三維跳躍式測試”方法的研究，揭示“生長中測試”有效降低製造成本的規律;根據 獨特的故障分布，探索單層存儲器的冗餘共享機制，進一步利用單體三維晶片的高頻寬優 勢，探索“多層冗餘共享”機制和修復算法;建立開源成本評估工具，明確器件層的工藝 選擇、電路層的存儲單元設計，架構層的測試與修復機制之間的互相關係。項目預期能提 高該新型存儲器的良品率，為其產業化提供方案，為其它新工藝存儲器的容錯技術研究提供參考。