非晶體半導體器件，以非晶體半導體材料為主製成的電子器件。
基本介紹
- 中文名：非晶體半導體器件
- 類別：電子器件
解釋
非晶體的原子排列不具有長距離的有序結構，但短距離的有序結構可使用半導體相同的能帶模型而加以利用，如Si和S、Se、Te系列的材料。非晶體半導體器件有：
①非晶矽太陽電池。利用非晶矽薄膜的光生伏特效應的器件。其工作原理與晶體矽太陽電池類似，所不同的是在非晶矽電池中，由於載流子遷移率低，必須使光生載流子都產生在自建場區，它們才能漂移到收集電極，所以是漂移型的，大體可分為肖特基勢壘、PN結和異質結三種結構。非晶矽的吸收光譜更接近太陽光譜，吸收係數大，並可用薄膜工藝代替單晶生長和切割。
②非晶體半導體存儲器。利用如電、熱、壓力、光等條件，使非晶薄膜的結構發生變化，用以記錄和存儲信息。某些硫系材料（如Ge–Te–As–Si）可在不同的電脈衝的作用下，由非晶態轉變為晶態或由晶態轉變為非晶態，並且每種轉變所獲得的結構在作用脈衝消失後仍能長期保持不變，所以可用以製作唯讀存儲器。某些以Te為基的非晶硫系材料，如Te81Ge15As4，可在能量不同的雷射作用下，實現非晶態和晶態之間結構的可逆相變。材料處於這兩種狀態時的光學特性，如折射率、光吸收係數等有很大的差別，利用這種特性可製成光存儲器。
③非晶體半導體還可製成高質量的感光薄膜、靜電複印機的感光體、電視攝像管靶等。由於非晶體半導體不是晶體，故可使用玻璃或金屬作為基底，更容易實現大面積化和產業化。
