半導體物理基礎教程

半導體物理基礎教程

《半導體物理基礎教程》是2017年2月清華大學出版社出版的圖書,作者是郭子政。

基本介紹

  • 書名:半導體物理基礎教程
  • 作者:郭子政
  • 出版社:清華大學出版社
  • 出版時間:2017年2月
  • 定價:29 元
  • ISBN:9787302459040
內容簡介,圖書目錄,

內容簡介

本書全面介紹半導體物理學的基本理論,以物理科學、材料科學與工程、電子技術的眼光全面審視半導體物理的發展過程和進展情況。
本書內容包括半導體的晶體結構、常見半導體的能帶結構、半導體中雜質和缺陷效應、載流子的統計計算方法、半導體導電特性、光電導效應、光伏效應、金屬半導體的接觸特性、半導體同質PN結、半導體異質結構、MOS結構的特性及套用、半導體發光特性、半導體量子限域效應、半導體磁效應、半導體隧穿效應等,以及建立在此基礎之上的各種半導體器件的原理和套用問題。
本書可作為高等院校電子信息類本科專業的半導體物理課程教材,也可供相關科技人員參考.

圖書目錄

第1章半導體晶體結構
1.1晶體與非晶體
1.2晶體結構
1.3半導體的晶體結構
習題
第2章半導體的能帶
2.1能帶的形成
2.2半導體中電子共有化運動與能帶的量子力學描述
2.3半導體中的E(k)~k關係及有效質量
2.4矽、鍺和砷化鎵的能帶結構
2.5本徵半導體、本徵激發和空穴
2.6能帶理論套用舉例
習題
第3章雜質半導體和雜質能級
3.1間隙式雜質和替位式雜質
3.2施主和受主
3.3雜質補償
3.4深能級雜質
習題
第4章半導體中的平衡載流子
4.1加權求和和加權平均
4.2理想氣體分子按速率的分布
4.3導帶電子濃度與價帶空穴濃度
4.4本徵載流子濃度與本徵費米能級
4.5雜質半導體的載流子濃度
習題
第5章半導體中載流子的輸運現象
5.1半導體中載流子的運動形式
5.1.1無規則運動——熱運動
5.1.2有規則運動
5.2主要散射機構以及遷移率與平均自由時間的關係
5.3遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關係
5.4強電場效應
5.5耿氏效應
5.5.1伏安特性
5.5.2νd~ε特性
5.5.3雙谷模型理論
習題
6.1過剩載流子及其產生與複合
6.2非平衡載流子的壽命
6.4載流子的擴散運動、愛因斯坦關係
6.5連續性方程
習題
第7章pn結
7.1pn結的單嚮導電性
7.1.1平衡pn結
7.1.2pn結的伏安特性
7.2pn結電容
7.2.1勢壘電容
7.2.2擴散電容
7.3pn結擊穿
7.4pn結隧道效應
習題
第8章金屬半導體接觸
8.1兩類接觸
8.3金屬半導體整流接觸的電流電壓關係
8.4歐姆接觸
習題
第9章MOS結構
9.1MOS電容
9.2能帶圖
9.3MOS結構的CV特性
9.4MOSFET基本工作原理
9.5MOS存儲器結構
9.6鰭式電晶體
習題
10.1異質結
10.2異質結的能帶圖
10.3量子阱和超晶格
10.4異質結雷射器
10.5晶格匹配和熱匹配
習題
第11章半導體電光和光電轉換效應
11.1光是怎么產生的
11.2電致發光和LED
11.4OLED
11.5半導體光電效應
11.5.1光電效應
11.5.2半導體的內光電效應
11.6半導體光伏效應的套用
習題
第12章半導體低維結構
12.1量子受限系統
12.2.1量子阱
12.2.2量子線
12.2.3量子點
12.2.4態密度
習題
第13章半導體磁效應
13.1到了重新發明電晶體的時候了?
13.2自旋和自旋電子學
13.3半導體的磁效應
13.4自旋霍爾效應
習題
第14章隧道型量子器件基礎
14.1半導體隧道效應
14.1.2隧穿場效應管
14.2透射係數
14.2.1WKB近似
14.2.2傳輸矩陣方法
14.3隧穿電流
14.4半導體中的隧穿
14.4.1p+n+結隧穿: 齊納隧穿
14.4.2MIS(MOS)隧穿: FowlerNordheim隧穿
14.4.3MIM隧穿: Simmons公式
習題
習題參考答案
參考文獻

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