《半導體物理與器件》是2008年09月機械工業出版社出版的圖書，作者是裴素華。本書較系統全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。
基本介紹
- 書名：半導體物理與器件
- 作者：裴素華
- ISBN：9787111247319
- 定價：35.00 元
- 出版社：機械工業出版社
- 出版時間： 2008年09月
- 開本：16開
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
《半導體物理與器件》具體內容包括：半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型電晶體、MOS場效應電晶體、半導體器件製備技術、Ga在SiO（2）/Si結構下的開管摻雜共6章。每章後附有內容小結、思考題和習題。書後有附錄，附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號表，附錄B是常用物理常數表，附錄c是鍺、矽、砷化鎵主要物理性質表，附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖表和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組合使用。
《半導體物理與器件》可作為半導體、微電子技術、套用物理等電子信息類專業本科生的必修教材，也可作為電子學相關專業本科生、研究生選修課教材，以及供信息技術領域人員參考。《半導體物理與器件》配有免費的教學課件，歡迎選用《半導體物理與器件》作為教材的老師索取。
圖書目錄
前言
第1章半導體材料的基本性質
第2章PN結機理與特性
第3章雙極型電晶體
第4章MOS場效應電晶體
第5章半導體器件製備技術
第6章Ga在SiO2/Si結構下的開管摻雜
參考文獻
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