半導體物理與器件實驗教程

《半導體物理與器件實驗教程》是2015年7月科學出版社出版的圖書，作者是劉諾、任敏、鐘志親。

基本介紹

• 中文名：半導體物理與器件實驗教程
• 作者：劉諾、任敏、鐘志親
• 出版時間：2015年06月
• 出版社：科學出版社 
• 頁數：192 頁
• ISBN：9787030442215
• 定價：32.00
• 開本：16 開
• 裝幀：平裝
• 字數：250千字
• 叢書名：電子信息材料與器件系列規劃教材

編輯推薦

適讀人群 ：本書可作為高等學校微電子、電子科學與技術、光電子、積體電路與集成系統及相關專業本科生實驗教材

《半導體物理與器件實驗教程》可作為電子科學與技術々業特別是微電子科學與工程、微電子學、積體電路與集成系統等專業的“半導體物理實驗”和“微電子器件實驗”的實驗教材或參考書，電可供相關研究人員參考。

內容簡介

《半導體物理與器件實驗教程》分上、下兩篇，上篇為半導體物理實驗部分，包括晶體結構構建、晶體電子結構仿真與分析、單波K橢偏法測試分析薄膜的厚度與折射率、探針測試半導體電阻率、霍爾效應實驗、高頻光電導法測少子壽命、肖特基二極體的I-V特性測試分析、肖特基二極體的勢壘高度及半導體雜質濃度的測試分析和MIS的高頻C-V測試；F篇為微電子器件實驗部分，包括二極體直流參數測試、雙極型電晶體直流參數測試、MOS場效應電晶體直流參數測試、雙極型電晶體開關時問測試和雙極犁電晶體特徵頻率測試。

圖書目錄

封面

半導體物理與器件實驗教程

內容簡介

出版說明

《微電子專業實驗教材系列叢書》編委會

前言

上篇半導體物理實驗

第1章半導體物理基礎知識2

1.1半導體的晶體結構與價鍵模型2

1.1.1晶格2

1.1.2原子價鍵3

1.1.3晶體結構5

1.2半導體的電子結構7

1.2.1晶體能帶模型與能帶三要素7

1.2.2半導體的電子結構8

1.3半導體中的載流子10

1.3.1平衡載流子與非平衡載流子10

1.3.2本徵半導體與本徵激發11

1.3.3非本徵半導體與淺能級13

1.3.4載流子的複合17

1.4三維半導體中載流子的電輸運18

1.4.1漂移運動、漂移電流與遷移率18

1.4.2散射與遷移率19

1.4.3電導率23

1.4.4擴散運動與擴散電流23

1.4.5電流密度方程與愛因斯坦關係24

1.5金屬半導體的接觸24

1.5.1功函式與電子親和能24

1.5.2阻擋層和反阻擋層25

1.5.3金屬半導體肖特基接觸27

1.5.4肖特基勢壘的電流輸運28

1.5.5勢壘屯容33

1.5.6金屬半導體歐姆接觸33

1.6半導體表面效應和金屬絕緣體半導體(MIS)結構34

1.6.1半導體表面強反型與開啟電壓35

1.6.2理想MIS結構的C-V特性36

1.6.3理想MIS結構C-V特性的影響因素41

1.6.4非理想MIS結構的C-V特性42

第2章半導體物理實驗46

2.1晶體結構構建46

2.1.1實驗目的46

2.1.2實驗原理46

2.1.3實驗儀器（軟體）48

2.1.4實驗步驟49

2.1.5思考題58

2.1.6參考資料58

2.2晶體電子結構仿真與分析58

2.2.1實驗目的58

2.2.2實驗原理59

2.2.3實驗儀器（軟體）60

2.2.4實驗步驟61

2.2.5思考題64

2.2.6參考資料64

2.3單波長橢偏法測試分析薄膜的厚度與折射率64

2.3.1實驗目的64

2.3.2實驗原理65

2.3.3實驗儀器（軟體）68

2.3.4實驗步驟68

2.3.5思考題69

2.3.6參考資料69

2.4四探鐘測試半導體電阻率70

2.4.1實驗目的70

2.4.2實驗原理70

2.4.3實驗儀器74

2.4.4實驗步驟75

2.4.5思考題75

2.4.6參考資料75

2.5霍爾效應實驗76

2.5.1實驗目的76

2.5.2實驗原理76

2.5.3實驗儀器79

2.5.4實驗步驟及注意事項79

2.6高頻光電導法測少子壽命81

2.6.1實驗目的81

2.6.2實驗原理81

2.6.3儀器使用83

2.6.4實驗步驟86

2.6.5思考題87

2.6.6參考資料87

2.7肖特基二極體的/-V特性測試分析87

2.7.1實驗目的87

2.7.2實驗原理88

2.7.3實驗儀器88

2.7.4實驗步驟89

2.7.5數據處理92

2.7.6思考題93

2.7.7參考資料93

2.8肖特基二極體的勢壘高度及半導體雜質濃度的測試分析93

2.8.1實驗目的93

2.8.2實驗原理94

2.8.3實驗儀器95

2.8.4實驗步驟95

2.8.5數據處理101

2.8.6思考題101

2.8.7參考資料101

2.9pn結勢壘特牲及雜質的測試分析102

2.9.1實驗目的102

2.9.2實驗原理102

2.9.3實驗儀器104

2.9.4實驗步驟104

2.9.5數據處理105

2.10MIS的高頻C-V測試105

2.10.1實驗目的105

2.10.2實驗原理105

2.10.3實驗儀器109

2.10.4實驗步驟109

2.10.5思考題114

2.10.6參考資料114

下篇微電子器件實驗

第3章微電子器件基礎知識116

3.1二極體116

3.1.1二極體的基本結構116

3.1.2二極體的伏安特性116

3.1.3二極體的擊穿電壓118

3.2雙極結型電晶體119

3.2.1雙極結型電晶體的基本結構119

3.2.2BJT的工作狀態120

3.2.3BJT的放大作用120

3.2.4BJT的輸出特性曲線123

3.2.5BJT的反向截止電流和擊穿電壓124

3.3金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)125

3.3.1MOSFET的基本結構125

3.3.2轉移特性曲線和輸出特性曲線126

3.3.3MOSFET的閾電壓128

3.3.4MOSFET的直流電流電壓方程129

第4章微電子器件實驗130

4.1二極體直流參數測試130

4.1.1實驗目的130

4.1.2實驗原理130

4.1.3實驗器材131

4.1.4實驗方法和步驟136

4.1.5實驗數據處理～140

4.1.6思考題140

4.2雙極型電晶體直流參數測試141

4.2.1實驗目的141

4.2.2實驗原理141

4.2.3實驗器材142

4.2.4實驗方法和步驟142

4.2.5實驗數據處理148

4.2.6思考題152

4.3MOS場效應電晶體直流參數測試152

4.3.1實驗目的152

4.3.2實驗原理152

4.3.3實驗器材154

4.3.4實驗方法和步驟154

4.3.5實驗數據處理162

4.3.6思考題163

4.4雙極型電晶體開關時間測試163

4.4.1實驗目的163

4.4.2實驗原理163

4.4.3實驗器材165

4.4.4實驗方法和步驟165

4.4.5實驗數據處理168

4.4.6思考題169

4.5雙極型電晶體特徵頻率測試169

4.5.1實驗目的169

4.5.2實驗原理169

4.5.3實驗器材171

4.5.4實驗方法和步驟171

4.5.5實驗數據處理175

4.5.6思考題176

4.5.7參考資料176

下篇 微電子器件實驗

封底