半導體器件原理與技術

半導體器件原理與技術

《半導體器件原理與技術》是2016年人民交通出版社出版的圖書,作者是文常保、商世廣、李演明。

基本介紹

  • 中文名:半導體器件原理與技術
  • 作者:文常保
  • 出版時間:2016年9月
  • 出版社:人民交通出版社
  • ISBN:9787114130991
  • 開本:16 開
  • 裝幀:平裝-膠訂
內容簡介,圖書目錄,

內容簡介

 《半導體器件原理與技術》主要介紹半導體物理基礎、二極體、雙極型電晶體、MOS場效應電晶體、無源器件、器件SPICE模型、半導體工藝技術、半導體工藝仿真、薄膜製備技術、半導體封裝技術和半導體參數測試技術等微電子技術領域的基本內容?這些內容為進一步掌握新型半導體器件和積體電路分析、設計、製造、測試的基本理論和方法奠定了堅實的基礎?《半導體器件原理與技術》可作為電子信息類電子科學與技術、微電子科學與工程、積體電路與集成系統、光電信息科學與工程、電子信息工程等專業的本科學生和相關研究生的專業課程教材?也可作為相近專業工程技術人員的自學和參考用書。

圖書目錄

第1篇 半導體物理及器件
第1章 半導體物理基礎
1.1 半導體材料
1.2 半導體的結構
1.3 半導體的缺陷
1.4 半導體的能帶
1.5 費米能級
1.6 半導體的載流子濃度
1.7 半導體的載流子運動
習題
參考文獻
第2章 二極體
2.1 二極體的基本結構
2.2 pn結的形成及雜質分布
2.3 平衡pn結
2.4 二極體的偏壓特性
2.5 二極體直流特性的影響因素
2.6 二極體的擊穿特性
2.7 二極體的開關特性
習題
參考文獻
第3章 雙極型電晶體
3.1 雙極型電晶體概述
3.2 雙極型電晶體的基本結構
3.3 雙極型電晶體的放大作用
3.4 雙極型電晶體的特性曲線
3.5 反向電流及擊穿電壓特性
3.6 基極電阻
3.7 雙極型電晶體的開關特性
習題
參考文獻
第4章 MOS場效應電晶體
4.1 MOS場效應電晶體的基本結構、工作原理和分類
4.2 MOS場效應電晶體的閾值電壓
4.3 MOS場效應電晶體的直流特性
4.4 MOS場效應電晶體的小信號參數和頻率特性
4.5 MOS場效應電晶體的二級效應
4.6 MOS場效應電晶體的開關特性
習題
參考文獻
第5章 無源器件
5.1 概述
5.2 嵌入式無源器件
5.3 集成無源器件
5.4 集成電阻
5.5 集成式電容
5.6 集成式電感
習題
參考文獻
第6章 器件SPICE模型
6.1 SPICE器件模型概述
6.2 二極體SPICE模型
6.3 雙極型電晶體的SPICE模型
6.4 MOS場效應電晶體SPICE模型
6.5 無源器件SPICE模型
習題
參考文獻

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