半導體器件原理與仿真設計

《半導體器件原理與仿真設計》,華東師範大學提供的慕課課程,授課老師是石艷玲、孫亞賓。

基本介紹

  • 中文名:半導體器件原理與仿真設計
  • 提供院校:華東師範大學
  • 類別:慕課
  • 授課老師:石艷玲、孫亞賓
課程簡介,課程大綱,

課程簡介

課程主要講授積體電路核心器件的基本結構、電學特性及工作原理,涉及PN結、雙極型電晶體、場效應電晶體及其他新型器件。同時基於業界通用TCAD軟體介紹了半導體器件的仿真設計。

課程大綱

第一周
1.1 半導體器件發展史
1.2 矽的晶體結構
1.3 能級與能帶
1.4 半導體導電性質
1.5 半導體中載流子的統計分布
1.6 載流子遷移率及愛因斯坦關係式
1.7 非平衡載流子
第二周
2.1 PN結及其特性
2.2 器件仿真入門
2.3 PN結仿真分析與設計
第三周
3.1 雙極型電晶體的正向直流特性
3.2 雙極型電晶體的反向特性及直流效應
第四周
4.1 雙極型電晶體的頻率特性
第五周
4.2 雙極型電晶體的高頻等效電路
4.3 雙極型電晶體的高頻功率特性
4.4 雙極型電晶體直流特性的仿真與設計
第六周
5.1 半導體表面特性
5.2 MOS結構的C-V特性
5.3 MOS結構的閾值電壓
第七周
6.1 MOS場效應電晶體的基本特性
6.2 MOS場效應電晶體的特性曲線
6.3 MOS場效應電晶體的電流-電壓特性
6.4 MOS場效應電晶體的二級效應
6.5 MOS場效應電晶體的增量參數
第八周
6.6 MOS場效應電晶體的頻率特性
6.7 MOS場效應電晶體的直流特性仿真與設計
第九周
6.8 MOS場效應電晶體頻率特性的仿真與設計
6.9 MOS場效應電晶體的開關特性
6.10 CMOS倒相器開關特性的仿真與分析
第十周
7.1 小尺寸MOS器件的特性

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