基本介紹
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內容簡介,圖書目錄,
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是矽、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪器、發光器、...
半導體（semiconductor）指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在積體電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有套用，如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的...
二極體是用半導體材料(矽、硒、鍺等)製成的一種電子器件 [1]。二極體有兩個電極,正極,又叫陽極;負極,又叫陰極,給二極體兩極間加上正向電壓時,二極體導通, 加上反向電壓時,二極體截止。 二極體的導通和截止,則相當於開關的接通與斷開...
利用半導體光-電子（或電-光子）轉換效應製成的各種功能器件。它不同於半導體光器件（如光波導開關、光調製器、光偏轉器等）。光器件的設計原理是依據外場對導波光傳播方式的改變，它也有別於早期人們襲用的光電器件。後者只是著眼於光...
積體電路可以把模擬和數字電路集成在一個單晶片上，以做出如模擬數字轉換器和數字模擬轉換器等器件。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對於信號衝突必須小心。製造 參見：半導體器件製造和積體電路設計 從20世紀30年代開始，元素周期...
非晶態半導體器件 amorphous semiconductor device 以非晶態半導體材料為主體製成的固態電子器件。人們原來認為，對非晶態半導體不能用摻雜的辦法控制電阻率，因而其套用受到限制。直到1975年，英國W.G.斯皮爾在輝光放電分解矽烷法製備的非晶矽...
各種光電二極體的波長覆蓋範圍從紫外區、可見光區直到近紅外光區。製作光電二極體的材料有元素半導體Si、Ge及Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體GaAs、InAs、InSb、InS、InGaAs、InGaAsP、PbSnTe、PbSnSe、HgCdTe等。對光電探測器件的性能要求...
半導體二極體是指利用半導體特性的兩端電子器件。最常見的半導體二極體是PN結型二極體和金屬半導體接觸二極體。它們的共同特點是伏安特性的不對稱性，即電流沿其一個方向呈現良好的導電性，而在相反方向呈現高阻特性。可用作為整流、檢波、穩壓、...
導體場效應電晶體是由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.產品簡介 根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百...
霍耳元件主要用於磁場、轉速、微小位移、加速度等的測量，是放音磁頭、磁接近開關、同步傳動裝置、無刷直流電機、函式發生器、運算器、功率計、調製器、解調器、頻譜分析、迴轉器、隔離器中的重要器件。 半導體磁敏元件 霍耳積體電路 霍耳...
所採用的半導體材料多數是矽以及Ⅲ-Ⅴ族和 Ⅱ-Ⅵ族元素化合物。半導體感測器種類繁多，它利用近百種物理效應和材料的特性，具有類似於人眼、耳、鼻、舌、皮膚等多種感覺功能。簡介 半導體感測器是一種新型半導體器件，它能夠能實現電、光...
半導體發光二極體的結構公差沒有雷射器那么嚴格，而且無諧振腔。所以，所發出的光不是雷射，而是螢光。LED是外加正向電壓工作的器件。在正向偏壓作用下，N區的電子將向正方向擴散，進入有源層，P區的空穴也將向負方向擴散，進入有源層...
本章第一節曾介紹過半導體材料的光敏特性，即當半導體材料受到一定波長光線的照射時，其電阻率明顯減小，或說電導率增大的特性。這個現象也叫半導體的光電導特性。利用這個特性製作的半導體器件叫光電導器件。半導體材料的電導率是由載流子...
《半導體器件》是2001年科學出版社出版的圖書，作者是正田英介。內容簡介 本書主要介紹了半導體的基礎知識、製造技術、半導體分立器件、模擬電路、邏輯積體電路、微處理器以及存儲器、其他半導體器件等。圖書目錄 第1章 半導體基礎 第2章 ...
半導體分立器件，泛指半導體晶體二極體、半導體三極體簡稱三極體、三極體及半導體特殊器件。產品簡介 電子產品根據其導電性能分為"導體"和"絕緣體"，半導體介於"導體"和"絕緣體"之間，半導體元器件以封裝形式又分為“分立”和“集成”如：...
半導體晶片：在半導體片材上進行浸蝕，布線，製成的能實現某種功能的半導體器件。不只是矽晶片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質電路板不要好奇分解它），鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，因特爾等美國...
半導體器件可靠性可以歸納為以下幾點：半導體器件對雜質和灰塵很敏感。所以在繁複的生產工藝中，精確控制雜質和灰塵的等級是非常必要的。最終產品的質量很大程度上依靠生產中的各個相對獨立而又相互影響的生產階段，例如金屬化，晶片材料(chip ...
《半導體器件的製造方法》是上海華力微電子有限公司於2013年4月9日申請的發明專利，該專利申請號為201310122105X，公布號為CN103227111A，公布日為2013年7月31日，發明人是馬旭、周維、曹亞民。《半導體器件的製造方法》提供了一種半導體...
電子束半導體器件是指利用電子束電流控制半導體中載流子運動來完成各種功能的器件。具有很高的電流增益，而且回響速度快，輸出能力大，並能產生受激發光效應。它兼有真空電子器件和半導體器件的特點。可實現增益、頻寬、回響速度和效率之間的有...
半導體光敏元件按光電效應的不同而分為光導型和光生伏打型。光導型即光敏電阻，是一種半導體均質結構；光生伏打型包括光電二極體、光電三極體、光電池、光電場效應管和光控可控矽等，它們屬於半導體結構型器件。套用 半導體光敏元件廣泛套用...
《半導體器件物理（第2版）》是2015年電子工業出版社出版的圖書，作者是劉樹林。內容簡介 本書由淺入深、系統地介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理和工作特性。為便於讀者自學和參考，本書首先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和...
是20世紀50年代後期到60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連線導線全部集成在一小塊矽片上，然後焊接封裝在...
半導體光電器件的工作波長是和製作器件所用的半導體材料的種類相關的。半導體材料中存在著導帶和價帶，導帶上面可以讓電子自由運動，而價帶下面可以讓空穴自由運動，導帶和價帶之間隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導帶中去時...
半導體開關元件（thyristor）由三個以上結組成的一種雙穩態器件。特性 至少其中一個結在陰極與陽極的電壓一電流特性的單一象限內，在反向和正向電壓極性之間具有開關特性。組成 通常包括矽可控整流器和門控制開關，以及多層二端器件。
半導體三極體，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，套用十分廣泛。輸入級和輸出級都採用電晶體的邏輯電路，叫做電晶體－電晶體邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體集成...
不管可控矽的外形如何，它們的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。工作...
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱...
BS IEC 63229:2021 半導體器件 碳化矽襯底氮化鎵外延膜缺陷分類 22/30447579 DC BS EN 63419 氮化鎵功率轉換器件開關可靠性評估程式指南 BS IEC 63284:2022 半導體器件 氮化鎵電晶體感性負載開關可靠性測試方法 18/30386543 DC BS EN ...