區熔提純（zone refining）是1998年公布的電氣工程名詞，出自《電氣工程名詞》第一版。
基本介紹
- 中文名：區熔提純
- 外文名：zone refining
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
區熔提純
相關詞條
- 區熔提純
區熔提純 區熔提純（zone refining）是1998年公布的電氣工程名詞，出自《電氣工程名詞》第一版。公布時間 1998年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
- 區熔法
區熔法的分類 區熔法分為兩種：水平區熔法和立式懸浮區熔法。前者主要用於鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長。後者主要用於矽，這是由於矽的熔點高，化學性能活潑， 容易受到異物的玷污，難以找到適合的舟皿，不能採用水平區熔法。區熔法單晶生長 如果需要生長極高純度的矽單晶，其技術選擇首先是懸浮區熔提煉，其次...
- 區熔法晶體生長
通常是在提純的最後一次長成單晶。有時,區熔法僅用於提純材料,稱區熔提純。區熔夷平是使熔區來回通過材料，從而得到雜質均勻分布的晶錠。區熔法生長晶體有水平區熔和垂直浮帶壓熔兩種形式。 水平區熔法 將原料放入一長舟之中，舟應採用不沾污熔體的材料製成，如石英、氧化鎂、氧化鋁、氧化鈹、石墨等。舟的頭部...
- 區熔–電遷移聯合法
區熔–電遷移聯合法 區熔–電遷移聯合法（zone melting electrotransport joint method）是2019年全國科學技術名詞審定委員會公布的冶金學名詞。定義 聯合區熔提純和電遷移法提純生產高純金屬的方法。出處 《冶金學名詞》第二版
- 無坩堝區熔法
無坩堝區熔法（crucibleless zone melting）用於單晶生長和材料的提純的一種重要的方法。先將用於製備單晶或需提純的材料燒結成棒狀，再使其自上而下地通過一段很窄的加熱區域。無坩堝區熔法生產單晶矽是在區熔爐內於真空或保護氣氛中進行的，此法能消除來自坩堝的污染源，用來生產更高純度的小直徑單晶。簡介 採用...
- 區熔鍺錠
區熔鍺錠（Zone refined germanium ingot）是指用區熔方法提純得到的鍺錠，合格產品純度在99.9999%以上 區熔鍺錠（Zone refined germanium ingot）是指用區熔方法提純得到的鍺錠，合格產品純度在99.9999%以上，電阻率達到47歐.cm(23+/-0.5度)以上，條狀，梯形截面（26mmB×21mmT×23mmL），銀灰色金屬光澤，...
- 浮區提純
移動原料燒結棒（或移動加熱器），使燒結棒自上而下逐步被加熱熔化。熔區內的溫度大於原料熔化溫度，熔區以外溫度則小於原料熔化溫度。旋轉燒結棒，熱源逐漸從燒結棒一端移至一端，直至整個燒結棒變成寶石單晶。重複該過程，可使晶體進一步得到精煉和提純。這個重複的過程成為浮區提純。
- 電遷移法金屬提純
之後，其他學者又研究了許多過渡金屬錒系和鑭系的提純，測量了它們的電遷移速度。在早先的電遷移的報告中也使用固體電解的術語，顯然這個術語是不妥的。 電遷移的提純方法與經典的化學方法不同，與區域熔煉法也不同，區熔法是利用在液相和固相間的分配來分凝雜質。在電遷移中，雜質的再分配發生在一個相中而不是...
- 化學分離和提純
化學分離和提純（chemical separation and purification）是指試樣在進行測定（或檢出）以前，常常需要使待測（或檢出）物質與干擾物質彼此分離。簡介 定義 樣品中待測物質的含量極少，以致其在試液中的濃度僅接近或甚至低於分析方法的測定（檢出）下限，此時就需要進行富集。富集可認為是提高濃度的分離方法；而提純則可視...
- 區域熔煉
區域熔煉提純分為兩種。（1）水平區熔提純 金屬錠料水平放置在一個長槽容器中，熔區水平通過錠料。（2）懸浮區熔提純 金屬錠垂直放置，不用容器盛裝，錠料兩端固定，錠料加熱時依靠金屬表面張力保持一個狹窄的熔區，金屬以液態懸浮於金屬棒中間，熔區沿錠長自下而上移動通過錠料，使金屬得到提純。熔區的獲得可...
- 分凝現象
分凝現象是指將含有雜質的晶態物質熔化後再結晶時，雜質在晶體的固體和未結晶的液體中的濃度是不同的現象。起源背景 人們很早發現，將含有雜質的晶態物質熔化後再結晶時，雜質在晶體的固體和未結晶的液體中的濃度是不同的，這種現象叫分凝現象。區熔提純就是利用分凝現象將物質局部熔化形成狹窄的熔區，並令其沿錠...
- 晶體矽
在氬氣下高頻加熱進行區熔提純單晶。設備為QRL-20型區熔爐、高頻發生器及FC-16型磁飽和電抗器配套作生產主機。預熱、引晶、放肩、等徑、收尾等過程由人工控制。多晶矽 多晶矽呈灰色或黑色且有金屬光澤的等軸八面晶體，是製造單晶矽的原料。矽屬半金屬，是極為重要的元素半導體材料。多晶矽的生產，除個別工廠採用矽烷...
- 河南省光伏材料重點實驗室
區熔提純的原理是：根據熔化的晶體在再結晶過程中因雜質在固相和液相中的濃度不同而達到去除多晶矽中含有的碳、磷等雜質。區域熔化提純法的最大優點是其能源消耗比傳統方法減少60%以上。目前，區域熔化提純法是最有可能取代傳統工藝的太陽能級多晶矽材料的生產方法。REC公司已在2006年新工廠中開始使用了區域熔化提純法...
- 半導體材料(第2版)
《半導體材料（第2版）》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材。《半導體材料（第2版）》介紹主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理，工藝和特性的控制等。內容簡介 全書分11章：第1章為矽和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為矽、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為矽外延生長；第...
- 太陽電池加工技術問答(第二版)
7-3什麼是區熔提純法？區熔提純法有哪些優點？哪些材料不宜採用區熔提純法？114 7-4什麼是懸浮區熔法？ 116 7-5懸浮區熔法生長單晶有什麼優缺點？117 7-6有分解壓的材料怎么拉單晶？117 7-7什麼是液封直拉法？118 7-8摻雜方法有哪幾種？118 7-9拉單晶時會出現哪些不正常現象？119 7-10直拉法和區...
- 區域熔化
《區域熔化》作者是蒲凡,W.C.，由北京出版社出版。靠熔化狹窄區段並使熔化了的液體區域緩慢移動通過一段較長的固體錠條或裝料(待熔材料)，來提純元素或化合物，或者控制它的化學成分的技術。當熔化區移動時，可使雜質沿錠條重新分布。雜質的最後分布取決於雜質在原待熔材料內的分布，雜質在錠條材料的固相和液相...
- 超純金屬
超純金屬的製備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區熔提純等（見矽、鍺、鋁、鎵、銦）。其中以區熔提純或區熔提純與其他方法相 結合最有效。由於容器與藥劑中雜質的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之後，再用物理...
- 太陽電池加工技術問答
7-3 什麼是區熔提純法？區熔提純法有哪些優點？哪些材料不宜採用區熔提純法？119 7-4 什麼是懸浮區熔法？ 120 7-5 懸浮區熔法生長單晶有什麼優缺點？121 7-6 有分解壓的材料怎么拉單晶？122 7-7 什麼是液封直拉法？123 7-8 摻雜方法有哪幾種？123 7-9 拉單晶時會出現哪些不正常現象？124 7-10 ...
- 功率移動法
(2)功率移動法本身包含了區熔提純作用，溶劑能吸收一定量的多晶料中的雜質，從而提高製得晶體的純度；(3)生長界面處大的溫度梯度可以抑制組分過冷，減小因組分過冷而引起的生長界面不穩定性。缺點 (1)晶體生長需要有籽晶的加入，籽晶必須是通過其他技術如布里奇曼法或氣相生長法獲得的。這極大地增加了移動加熱器...
- 半導體材料(第二版)
《半導體材料（第二版）》是2004年科學出版社出版的圖書，作者是楊樹人。內容簡介 本書主要介紹半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理，工藝和特性的控制等，全書包括：矽和鍺的化學製備，區熔提純，晶體生長，矽、鍺晶體中的雜質和缺陷，矽外延生長等11章。圖書目錄 再版前言 前言 緒論 第1 章 矽和鍺的化學製備 ...
- 電傳輸法
懸浮區熔 電傳輸聯合法提純稀土金屬 為提高提純效果，縮短生產周期，常將區熔和電傳輸結合起來，即在電場中區熔提純稀土金屬。此法綜合了兩種提純方法的優點，通過雜質在液固兩相中的溶解度不同而區熔除去，同時利用電傳輸使雜質向陽極遷移，並且在高真空狀態下使易揮發雜質揮發除去。一般情況下，氣體雜質和碳主要靠...
- 半導體材料(科學出版社出版圖書)
《半導體材料》是科學出版社於2008年出版的一本圖書，作者是楊樹人、王兢。內容簡介 《半導體材料(第2版)》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材。《半導體材料(第2版)》介紹主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理，工藝和特性的控制等。全書分11章：第1章為矽和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為...
- 晶體生長技術
如把所產生的化合物作為材料源，通過揮發和澱積的可逆過程，並加以控制，晶體就可以在一定區域或基片上生長出來。這種技術叫化學氣相輸運。典型的鎳的提純過程就是化學輸運過程。外延 又名取向附生，它是指在一塊單晶片上再生長一層單晶薄層,這個薄層在結構上要與原來的晶體(稱為基片)相匹配。外延可分為同質外延和...
- 半導體材料(物理名詞)
物理提純常用的是區域熔煉技術，即將半導體材料鑄成錠條，從錠條的一端開始形成一定長度的熔化區域。利用雜質在凝固過程中的分凝現象，當此熔區從一端至另一端重複移動多次後，雜質富集於錠條的兩端。去掉兩端的材料，剩下的即為具有較高純度的材料（見區熔法晶體生長）。此外還有真空蒸發、真空蒸餾等物理方法。鍺...
- 高純金屬
電子束懸浮區熔 除上述熔鹽電解、碘化精煉和電子束熔煉方法外，還可以採用電子束懸浮區熔提純金屬鉿。區域熔煉是利用雜質在金屬的凝固態和熔融態中溶解度的差別，使雜質析出或改變其分布的一種方法。 電子束懸浮區熔是區域熔煉的一種，採用環形電子槍熔化原料棒並在其上形成狹窄熔區，熔區藉助表面張力克服自身的重力...
- 半導體材料 | 3版
《半導體材料 | 3版》是2013年科學出版社出版的圖書，作者是楊樹人，王宗昌，王兢。內容簡介 本書介紹了主要半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理和工藝，以及特性的控制等，包括矽和鍺的化學製備、區熔提純、晶體生長、矽外延生長、低維結構半導體材料、氧化物半導體材料、照明半導體材料等內容。圖書目錄 第三版前言 ...
- 稀土金屬
切去試棒兩端，中段可再次進行電遷移提純。在試驗室中用電遷移法對鑭、鈰、鐠、釹、釓、鋱、釔、鑥進行提純，去除碳、氧和氮這些雜質的效果顯著。區域熔煉法 稀土金屬棒在區域熔煉爐中以很慢的速度（如提純釔時為0.4毫米/分），進行多次區熔，對去除鐵、鋁、鎂、銅、鎳等金屬雜質有明顯效果，但對氧、氮...
- 懸浮區域熔化技術
由於熔化的區域是懸浮在空間的，故該技術與從溶體中垂直或水平生長單晶的技術（即Czochralski方法或Bridgman方法）相比較，具有沾污雜質較少的優點。單晶的提純也是利用雜質在液相和在固相中的分凝係數的不同來實現的；通過把懸浮熔區往一個方向多次移動，即可以把雜質集中到晶錠的兩頭。
