懸浮區域熔化技術，這是一種通過移動熔化的懸浮區域來製備和提純單晶的技術。
基本介紹
- 中文名：懸浮區域熔化技術
- 優點：沾污雜質較少
- 作用：對於高純度半導體材料的製備
- 方法：把懸浮熔區往一個方向多次移動
懸浮區域（熔化）工藝（Float zone process ）：
這是一種通過移動熔化的懸浮區域來製備和提純單晶的技術。這種技術對於高純度半導體材料的製備具有重大的作用。
由於熔化的區域是懸浮在空間的，故該技術與從溶體中垂直或水平生長單晶的技術（即Czochralski方法或Bridgman方法）相比較，具有沾污雜質較少的優點。單晶的提純也是利用雜質在液相和在固相中的分凝係數的不同來實現的；通過把懸浮熔區往一個方向多次移動，即可以把雜質集中到晶錠的兩頭。
