化學液相澱積是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：化學液相澱積
- 外文名：chemical liquid deposition
- 所屬學科： 電子學
- 公布年度 ：1993年
出處,公布時間,
化學液相澱積是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。
化學液相澱積 化學液相澱積是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。出處 《電子學名詞》第一版 公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
化學沉積是利用一種合適的還原劑使鍍液中的金屬離子還原並沉積在基體表面上的化學還原過程。與電化學沉積不同, 化學沉積不需要整流電源和陽極。...
液相沉積從屬於半導體生長工藝的液相外延技術。中文名 液相沉積 外文名 Liquid-Phase Deposition 縮寫 (LPD) 屬於 半導體生長工藝的液相外延技術 利用LDP工藝生長SiO2是新近發展起來的技術。溶液採用過飽和的氟矽酸溶液,利用其和水的如...
氣相法又可分為氣體中蒸發法、化學氣相反應法、濺射源法、流動油麵上真空沉積法和金屬蒸汽合成法。沉澱法 又分為直接沉澱法、共沉澱法和均勻沉澱法等，都是利用生成沉澱的液相反應來製取。共沉澱法可在製備過程中完成反應及摻雜過程，...
《液相電化學沉積C3N4碳氮薄膜的研究》是依託北京理工大學，由曹傳寶擔任項目負責人的專項基金項目。基本信息 項目摘要 理論預言B-C3N4具有比金剛石更高的硬度，各種製備方法都致力於提高化合物中的氮含量，液相電化學方法沉積溫度低於100C...
化學鍍是不加外電流而利用異相固相，液相，表面受控自催化還原反應在基體上獲得所需性能的連續、均勻附著沉積過程的統稱，又稱化學沉積、非電解沉積、自催化沉積。其沉積層叫化學沉積層或化學鍍層。化學鍍技術亦屬表面工程技術中的覆蓋層...
2017年10月27日，世界衛生組織國際癌症研究機構公布的致癌物清單初步整理參考，內部沉積在一類致癌物清單中。簡介 主要指懸浮在液體中的固體顆粒的連續沉降。產生基本上澄清液相的稱做澄清(defecation；clarification)。使懸浮的固體顆粒變為...
在金屬離子電沉積中，一般液相傳質步驟往往進行得比較慢，因而該步驟常決定整個電極反應的進行速度。在電鍍中，電極界面處的金屬離子因不斷發生放電而被消耗，這種消耗由溶液本體中的離子來補充。這種消耗與輸送過程使得越靠近電極表面處的...
利用超音波能夠加速和控制化學反應，提高反應率，改變反應途徑，改善反應條件以及引發新的化學反應。超聲場對電沉積晶材料的作用可歸功於超聲空化。液相中製備納米粒子必須保證在成核期生成大量的晶核，在晶核生長期控制晶核的長大。超聲的...
濕化學方法（NPP-法）1.狹義定義：共沉澱稱為濕化學法 2.廣義定義：有液相參加的、通過化學反應來製備材料的方法統稱為濕化學法，如化學液相沉積（CBD）、電化學沉積（電鍍）、溶膠凝膠等。濕化學方法（NPP-法）1.狹義定義：共沉澱稱...
保持基質晶體結構基本不變,而在晶體上面進行局域規整反應或者在表面上進行外延接續生長反應,是積體電路製作中經常套用的固相化學反應。它是在基質晶體上某個指定區域和特定的晶面上,用一種氣相或液相反應物通過化學氣相澱積或擴散反應,與...
1%，電鏡衍射與理論值相符，證明用液相電化學方法沉積符合結構及計量的該化合物是可行的，有望進一步提高薄膜的質量並取得套用。
製備納米TiO2的方法很多,基本上可歸納為物理法和化學法。物理法又稱為機械粉碎法,對粉碎設備要求很高;化學法又可分為氣相法(CVD)、液相法和固相法。物理沉積 物理氣相沉積法(PVD)是利用電弧、高頻或電漿等高穩熱源將原料加熱,使...
①固相化學還原法：通常是先將金屬鐵離子與網路結構基體組成物通過溶膠凝膠法合成出硬凝膠前驅體，再經過熱處理和H還原製備出納米金屬鐵與網路結構體共同組成的複合微粒。②液相化學還原法：是在含有Fe，Fe液相體系中採用強還原劑如KBH、...
化學氣相沉積法，英文： Chemical Vapor Deposition (CVD)主條目：化學氣相沉積 分子束磊晶技術，英文： Molecular Beam Epitaxy (MBE)在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的技術。 參見真空蒸鍍技術。液相磊晶法，或稱液態磊晶技術...
22. 胡瑩瑩，葉賽，李愛，徐恆振，王菊英，馬德毅. 2005. 高效液相色譜法分析海水中的氯黴素. 環境化學，24⑷：481-482.23. 馬德毅，陳偉斌. 海冰資源開發利用與環渤海地區可持續發展. 2005. 中國海洋學會2005年學術年會,pp.423-427...
第一章概述了真空技術,第二至第八章分別介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈衝雷射沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術,第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論,第十章介紹了典型薄膜半導體器件...