磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶，以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth）；或指以磊晶技術成長出的結晶，有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。
磊晶技術可用以製造矽電晶體到 CMOS 積體電路等各種元件，但在製作化合物半導體例如砷化鎵時，磊晶尤其重要。
基本介紹
- 中文名：磊晶
- 外文名：Epitaxy
- 別名：磊晶成長
- 性質：製成新半導體層的技術
成長技術種類,參考文獻,
成長技術種類
- 化學氣相沉積法，英文： Chemical Vapor Deposition (CVD)
主條目：化學氣相沉積
- 分子束磊晶技術，英文： Molecular Beam Epitaxy (MBE)
在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的技術。 參見真空蒸鍍技術。
- 液相磊晶法，或稱液態磊晶技術，英文： Liquid Phase Epitaxy (LPE)
- 固相磊晶，英文： Solid Phase Epitaxy (SPE)
參考文獻
Jaeger, Richard C.. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication. 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
