基本介紹
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化合物半導體探測器是1993年全國科學技術名詞審定委員會公布的電子學名詞。出處《電子學名詞》第一版1公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。...
上述各種γ射線探測器均須在低溫下工作。人們日益注意探索可在常溫下探測γ射線的半導體材料。一些原子序數較大的化合物半導體,如碲化鎘、砷化鎵、碘化汞、硒化鎘等,均已用於製備X、γ射線探測器,並已取得不同程度的進展。套用領域 隨...
《化合物半導體探測器及其套用》是原子能出版社1994年出版的圖書,作者是丁洪林。內容介紹 內容提要 本書較系統地敘述了化合物半導體探測器的種類、性能和目前在各個領域 內的套用。內容共分五章:第一章介紹化合物半導體和在室溫下工作...
《位置靈敏的像素碲鋅鎘半導體探測器的研製》是依託清華大學,由李元景擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 室溫下可操作的具有高的探測效率,高的能量分辯率,便於攜帶的重量輕,體積小的化合物半導體探測器碲鋅鎘(CdZnTe)的研究始於二...
半導體射線探測器,用半導體材料製成的能將射線信息轉換成電信號的探測器。歷史 1949年K.G.麥凱首次用放射線照射PN結二極體觀察到輸出信號。原理 半導體探測器實質上是一個半導體PN結。在一般通用二極體或三極體所用的半導體PN結交界處,...
1.了解國內外半導體工藝水平差距,提升學生時代責任感與使命感;2.掌握II-VI族化合物半導體的基本性質與光電探測器基本原理;3.掌握半導體材料外延、探測器製備等基本I藝流程以及儀器操作規範;4.熟悉半導體材料的生長原理及相關性質表征方法;5...
《碲鋅鎘室溫半導體核輻射探測器的製備及其特性研究》是依託四川大學,由朱世富擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碲鋅鎘是一種性能優異的新型化合物半導體材料,可製成室溫核輻射探測器和攜帶型譜儀,其傷用途極廣范,因此生長這種晶體...
本項課題研究致力於研製非製冷的3-5µm波段光伏型InGaAsSb單元和陣列紅外探測器。本項目擬利用低壓MOCVD技術,重點研究非平衡生長參數與混溶隙內亞穩態半導體化合物外延生長的關係,解決混溶隙內無組分簇銻化物外延生長關鍵問題,在...
該項目對揭示ZnO半導體核輻射探測器回響機理具有重要的研究價值,並為脈衝輻射探測技術領域提供一種新型寬禁帶半導體探測器。結題摘要 基於氧化物缺陷化學理論研究了高溫熱處理過程中ZnO晶體中施主缺陷和受主缺陷變化趨勢,基於高溫熱處理條件...
紅外探測器用半導體材料 紅外探測器用半導體材料是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 具有紅外熱效應、紅外光電效應或紅外光磁電效應,即對紅外敏感可製造紅外探測器的半導體材料。出處 《材料科學技術名詞》。
目前能夠套用在紫外探測器上的材料發展極為迅速,已經由第一代半導體矽、第二代半導體砷化鎵、磷化銦等過渡到寬禁帶化合物半導體等材料,再逐漸擴展到一些物理化學性能優越的新型多元複合材料等。這些新型複合材料結合了多種寬禁帶半導體材料...
碲鋅鎘,英文名稱cadmium zinc telluride,CdZnTe,簡寫為CZT。CZT晶體是寬禁帶II-VI族化合物半導體,可以看作是CdTe和ZnTe固溶而成。隨著Zn加入量的不同,熔點在1092到1295攝氏度之間變化。CZT晶體被廣泛用作紅外探測器HgCdTe的外延襯底和...
常用的有金矽面疊型、矽(鋰)〔Si(Li)〕、鍺(鋰)〔Ge(Li)〕、高純鍺(HpGe)等,後3種對X、γ射線有極好的能量解析度,是能譜測量的最佳探測器,但需在低溫下工作,限制了其在野外現場的套用。化合物半導體碲化鎘(CdTe)、碘化汞...
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,並且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格...
氧化鎵是一種無機化合物,化學式為Ga₂O₃。別名三氧化二鎵,是一種寬禁帶半導體,Eg=4.9eV,其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga₂O₃是一種透明的氧化物半導體材料,在光電子器件方面有廣闊的套用前景 ,被...
由於鋰沒有合適的氣體化合物,所以使用時只能採用固體材料。另外,天然鋰中⁶Li含量只有7.5%,故以天然鋰做成的探測器的探測效率低。通常都用碘化鋰晶體和鋰玻璃來製成閃爍計數器,它們含濃縮⁶Li,一般在90%以上,探測效率可達80%...