《功率半導體器件封裝技術》是2021年機械工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名:功率半導體器件封裝技術
- 出版時間:2021年9月
- 出版社:機械工業出版社
《功率半導體器件封裝技術》是2021年機械工業出版社出版的圖書。
《功率半導體器件封裝技術》是2021年機械工業出版社出版的圖書。 內容簡介本書主要闡述了功率半導體器件封裝技術的發展歷程及其涉及的材料、工藝、質量控制和產品認證等方面的基本原理和方法。同時對功率半導體器件的電性能測試、失...
QFP/PFP技術PGABGASFF 技術簡介 封裝也可以說是指安裝半導體積體電路用的外殼,它不僅起著安放、固定、密封、保護晶片和增強導熱性能的作用,而且還是溝通晶片內部世界與外部電路的橋樑——晶片上的接點用導線連線到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件建立連線。因此,對於很多積體電路產品而言...
一般情況下,分立器件的管芯被密封在封裝體內,封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號,保護管芯正常工作,輸出可見光的功能,既有電參數,又有光參數的設計及技術要求,無法簡單地將分立器件的封裝用於LED。發光原理 LED的核心發光部分是由p型和n型半導體構成的pn結管芯,當注入pn結...
Intel系列CPU中8088就採用這種封裝形式,快取(Cache)和早期的記憶體晶片也是這種封裝形式。BGA球柵陣列封裝 隨著積體電路技術的發展,對積體電路的封裝要求更加嚴格。這是因為封裝技術關係到產品的功能性,當IC的頻率超過100MHz時,傳統封裝方式可能會產生所謂的“CrossTalk”現象,而且當IC的管腳數大於208 Pin時,傳統的...
《功率半導體器件:封裝、測試和可靠性》是一本2024年化學工業出版社出版的圖書,作者是鄧二平、黃永章、丁立健。內容簡介 本書講述了功率半導體器件的基本原理,涵蓋Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;綜合分析和呈現了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數、器件特性和技術難點等;將功率器件測試分為特性...
《SiC/GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術》是2021年機械工業出版社出版的圖書。內容簡介 本書重點介紹全球功率半導體行業發展潮流中的寬禁帶功率半導體封裝的基本原理和器件可靠性評價技術。書中以封裝為核心,由熟悉各個領域前沿的專家詳細解釋當前的狀況和問題。主要章節為寬禁帶功率半導體的現狀和封裝、模組結構和可靠性...
CPU的封裝方式取決於CPU安裝形式和器件集成設計,從大的分類來看通常採用Socket插座進行安裝的CPU使用PGA(柵格陣列)方式封裝,而採用Slot x槽安裝的CPU則採用SEC(單邊接插盒)的形式封裝。還有PLGA(Plastic Land Grid Array)、OLGA(Organic Land Grid Array)等封裝技術。信息簡介 自從美國Intel公司1971年設計製造出...
1、高壓晶閘管 2、用於未來能量轉換中的igbt和快速開關二極體 3、採用超級結技術的超高速開關器件 4、套用於高功率電源的sic元件 發展趨勢 功率電子模組的集成度 半導體模組之間的差異,不僅僅體現在連線技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據集成度不同,可分為以下幾類:標準模組,...
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。DICP(dual tape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI,但多數為 定製品。另外,0.5mm 厚的存儲器...
目錄ⅩⅦⅩⅧ功率半導體器件——原理、特性和可靠性(原書第2版)1151寄生電阻359 1152寄生電感362 1153寄生電容365 116先進的封裝技術367 1161銀燒結技術368 1162擴散釺焊370 1163晶片頂部接觸的先進技術371 1164改進後的襯底375 1165先進的封裝理念376 參考文獻...
貼片元器件封裝形式是半導體器件的一種封裝形式。SMT 所涉及的零件種類繁多,樣式各異,有許多已經形成了業界通用的標準,這主要是一些晶片電容電阻等等;有許多仍在經歷著不斷的變化,尤其是 IC 類零件,其封裝形式的變化層出不窮,令人目不暇接,傳統的引腳封裝正在經受著新一代封裝形式(BGA、FLIP CHIP等等)的...
另外,書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關內容。 本書可作為微電子和電力電子領域相關的工程技術人員的參考書,也可用作相關專業的高年級本科生、研究生課程的配合教材或參考書。圖書目錄 1半導體的性質 11帶電載流子和半導體能帶結構 12自由載流子濃度 13半導體的...
表面貼裝技術元件的特性適合量產時使用,但在電路原型製作時比較不便。由於有些新的元件只提供表面貼裝技術封裝的產品,因此有許多公司生產將SMD元件轉換為DIP包裝的轉接器,可以將表面貼裝技術封裝的IC放在轉接器中,像DIP包裝元件一様的再接到麵包板或其他配合直插式元件的電路原形板(像洞洞板)中。對於像EPROM或...
⑶性能優良,可靠性高。SOP減少了各功能部件之間的連線,使得由於連線之間的各種損耗、干擾降低到最小,同時綜合利用了微電子、固體電子等多項工藝技術,充分發揮了各種工藝的優勢。從而提高了系統的綜合性能。⑷體積小、重量輕、封裝密度大。由於採用體積結構,封裝內的元器件可嵌人可集成或疊裝,向3D方向發展,充分...
從基本單元結構描述製造過程,然後以淺顯易懂的方式解釋器件的基本操作,此外,還提到了功率器件所需的各種特性,並加入改進這些特性的器件技術的說明;第4章以肖特基勢壘二極體和PIN二極體為中心進行講述;第5章概述SiC功率器件,講解二極體、MOSFET和封裝技術,對於近取得顯著進展的的SiC MOSFET器件設計技術也進行了詳細...
可控矽和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。主要生產廠家 主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,...
西安市半導體功率器件研發與封裝測試重點實驗室 西安市半導體功率器件研發與封裝測試重點實驗室是華羿微電子股份有限公司的實驗室。主管部門 華羿微電子股份有限公司 機構領導 曹寶華
6.2.2電場調製技術290 6.2.3橫向高壓器件292 6.2.4隔離技術308 6.2.5設計技術314 6.2.6發展與套用範圍318 6.3功率模組320 6.3.1概述320 6.3.2基本構成321 6.3.3封裝技術325 6.3.4特能與可靠性333 6.3.5失效分析與安全性339 6.3.6發展趨勢341 參考文獻342 第7章電力半導體器件的結終端技術...
本書首先介紹了IGBT的內部結構,然後通過電路原型或基本模型推導出的IGBT變體形式。在此基礎上,探討了IGBT的封裝技術。本書還討論了IGBT電氣特性和熱問題,分析了IGBT的特殊套用和並聯驅動技術。這些分析還包括了IGBT的實際開關行為特性、電路布局、套用實例以及設計規則。圖書目錄 譯者序 序 前言 第1章功率半導體1 1....
項目二微電子器件金屬封裝技術43 任務2—1TVS二極體的金屬封裝48 任務2—2F型功率三極體的金屬封裝52 任務2—3 D型小功率三極體的金屬封裝66 項目三微電子器件陶瓷封裝技術73 任務3—1CerDIP陶瓷封裝77 任務3—2倒裝晶片陶瓷封裝85 任務3—3MEMS器件陶瓷氣密封裝94 附錄 中華人民共和國國家標準半導體積體電路封裝術語...
8(圓形)﹔Z—10(圓形)。注:接口類產品四個字母后綴的第一個字母是E,則表示該器件具備抗靜電功能 封裝技術的發展 最早的積體電路使用陶瓷扁平封裝,這種封裝很多年來因為可靠性和小尺寸繼續被軍方使用。商用電路封裝很快轉變到雙列直插封裝,開始是陶瓷,之後是塑膠。20世紀80年代,VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的套用...
隨著晶片技術的成熟和晶片成品率的迅速提高,後部封接成本占整個積體電路成本的比重也愈來愈大,封裝技術的變化和發展日新月異,令人目不暇接。標準依據 中國積體電路封裝外形尺寸,是根據國際電工委員會(IEC)第191號標準制定的,同時還參考了美國電子器件聯合工程協會(JEDEC)及半導體設備和材料國際組織(SEMI)的有...
《一種單片集成IGBT和FRD的半導體器件》所要解決的技術問題是提供一種單片集成了IGBT和FRD的半導體器件,該半導體器件不需要切片就能直接進行壓接式封裝而成為一個完整實用的IGBT模組,並且該壓接式封裝與傳統的功率半導體壓接式封裝工藝相兼容。技術方案 《一種單片集成IGBT和FRD的半導體器件》所述半導體器件將IGBT...
(1)功率半導體技術服務 公司組建有一支強大的功率器件設計團隊,可對外提供電源管理晶片設計、功率器件設計、版圖設計、 晶片及器件封裝、套用解決方案設計等服務,詳細服務項目如下:提供全品類開關產品; 可提供以 Si 基為主的高頻型、低導通阻抗型等功率器件設計服務; 可提供 GaN、SiC 器件仿真、工藝設計等服務;...
本書主要內容包括微電子器件封裝技術和微電子器件測試技術兩部分。微電子器件封裝技術以典型器件封裝過程為任務載體,將其分解為晶圓劃片、晶片粘接、引線鍵合、金屬封裝、塑膠封裝、電鍍、切筋成型、列印代碼、高溫反偏、功率老煉10個學習任務,每個學習任務都與生產工作過程緊密對接,從操作程式到操作的關鍵技術都做了詳細...
LED 晶片,尤其是大功率 LED 晶片,面臨的主要技術難點主要是以下幾個方面:1、發光效率低 雖然各廠家量產的封裝後的白光 LED 出光效率都達到 100lm/w 以上,但是相比較於小尺寸的 LED 晶片,其出光效率依然很低。大尺寸的 LED 晶片由於尺寸較大,當光線在器件內部傳播時,光線通過的路程要比小尺寸的晶片經過的...
在SiC MOSFET的開發與套用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用於更高的工作頻率,另由於其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性。1背景介紹 在電力電子行業的發展過程中,半導體技術起到了決定性作用。其中,功率半導體器件一直被認為是電力電子設備的關鍵組成部分。隨著電力...
可控矽模組通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域,是採用模組封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。分類 可控矽模組從內部封裝晶片上可以分為可控模組和整流模組兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模組(MTC\...
■ 批量使用AlSiC材料,可以降低封裝成本,比目前使用W-Cu、Mo等貴金屬材料價格要便宜得多;■ 有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領域封裝技術水平,提高功能,降低成本,加快我國航天和軍工產品的先進化。例如,過去以可伐(Kovar) 材料作為器件封裝外殼的地方,如果換作鋁碳化矽外殼,重量就可減少為原來的...