CPU封裝是採用特定的材料將CPU晶片或CPU模組固化在其中以防損壞的保護措施，一般必須在封裝後CPU才能交付用戶使用。CPU的封裝方式取決於CPU安裝形式和器件集成設計，從大的分類來看通常採用Socket插座進行安裝的CPU使用PGA（柵格陣列）方式封裝，而採用Slot x槽安裝的CPU則全部採用SEC（單邊接插盒）的形式封裝。現在還有PLGA（Plastic Land Grid Array）、OLGA（Organic Land Grid Array）等封裝技術。由於市場競爭日益激烈，目前CPU封裝技術的發展方向以節約成本為主。
基本介紹
- 中文名：封裝形式
- 外文名：package
- CPU封裝：特定的材料將CPU晶片固化在其中
- 取決：CPU安裝形式和器件集成設計
- 發展方向：節約成本為主
基本信息,具體介紹,各種封裝形式,
基本信息
自從美國Intel公司1971年設計製造出4位微處理器晶片以來，在20多年時間內，CPU從Intel4004、80286、80386、80486發展到Pentium和PentiumⅡ，數位從4位、8位、16位、32位發展到64位；主頻從幾兆到今天的3GHz以上；CPU晶片里集成的電晶體數由2000個躍升到500萬個以上；半導體製造技術的規模由SSI、MSI、LSI、VLSI達到 ULSI。封裝的輸入/輸出（I/O）引腳從幾十根，逐漸增加到幾百根，下世紀初可能達2千根。這一切真是一個翻天覆地的變化。
對於CPU，讀者已經很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如數家珍似地列出一長串。但談到CPU和其他大規模積體電路的封裝，知道的人未必很多。所謂封裝是指安裝半導體積體電路晶片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護晶片和增強電熱性能的作用，而且還是溝通晶片內部世界與外部電路的橋樑——晶片上的接點用導線連線到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印製板上的導線與其他器件建立連線。因此，封裝對CPU和其他LSI積體電路都起著重要的作用。新一代CPU的出現常常伴隨著新的封裝形式的使用。
晶片的封裝技術已經歷了好幾代的變遷，從DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技術指標一代比一代先進，包括晶片面積與封裝面積之比越來越接近於1，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。
下面將對具體的封裝形式作詳細說明。
具體介紹
DIP封裝
70年代流行的是雙列直插封裝，簡稱DIP（Dual In-line Package）。DIP封裝結構具有以下特點：
1. 適合PCB的穿孔安裝
2. 比TO型封裝（圖1）易於對PCB布線
3. 操作方便
DIP封裝結構形式有多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑膠包封結構式，陶瓷低熔玻璃封裝式），如圖2所示。
衡量一個晶片封裝技術先進與否的重要指標是晶片面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。以採用40根I/O引腳塑膠包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例，其晶片面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1：86,離1相差很遠。不難看出，這種封裝尺寸遠比晶片大，說明封裝效率很低，占去了很多有效安裝面積。
Intel公司這期間的CPU如8086、80286都採用PDIP封裝。
晶片載體封裝
80年代出現了晶片載體封裝，其中有陶瓷無引線晶片載體LCCC（Leadless Ceramic Chip Carrier）、塑膠有引線晶片載體PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）、小尺寸封裝SOP（Small Outline Package）、塑膠四邊引出扁平封裝PQFP（Plastic Quad Flat Package），封裝結構形式如圖3、圖4和圖5所示。
以0.5mm焊區中心距，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm，晶片尺寸10×10mm，則晶片面積/封裝面積=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點是：
1. 適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線
2. 封裝外形尺寸小，寄生參數減小，適合高頻套用
3. 操作方便
4. 可靠性高
在這期間，Intel公司的CPU，如Intel 80386就採用塑膠四邊引出扁平封裝PQFP。
BGA封裝
90年代隨著集成技術的進步、設備的改進和深亞微米技術的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現，矽單晶片集成度不斷提高，對積體電路封裝要求更加嚴格，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大。為滿足發展的需要，在原有封裝品種基礎上，又增添了新的品種——球柵陣列封裝，簡稱BGA（Ball Grid Array Package）。
BGA一出現便成為CPU、南北橋等VLSI晶片的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點有:
1. I/O引腳數雖然增多，但引腳間距遠大於QFP，從而提高了組裝成品率
2. 雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶片法焊接，簡稱C4焊接，從而可以改善它的電熱性能
3. 厚度比QFP減少1/2以上，重量減輕3/4以上
4. 寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高
5. 組裝可用共面焊接，可靠性高
6. BGA封裝仍與QFP、PGA一樣，占用基板面積過大
Intel公司對這種集成度很高（單晶片里達300萬隻以上電晶體），功耗很大的CPU晶片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ採用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA，並在外殼上安裝微型排風扇散熱，從而達到電路的穩定可靠工作。
面向未來的新的封裝技術
Tessera公司在BGA基礎上做了改進，研製出另一種稱為μBGA的封裝技術，按0.5mm焊區中心距，晶片面積/封裝面積的比為1:4，比BGA前進了一大步。
1994年9月日本三菱電氣研究出一種晶片面積/封裝面積=1:1.1的封裝結構，其封裝外形尺寸只比裸晶片大一點點。也就是說，單個IC晶片有多大，封裝尺寸就有多大，從而誕生了一種新的封裝形式，命名為晶片尺寸封裝，簡稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點：
1. 滿足了LSI晶片引出腳不斷增加的需要
2. 解決了IC裸晶片不能進行交流參數測試和老化篩選的問題
3. 封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10，延遲時間縮小到極短
曾有人想，當單晶片一時還達不到多種晶片的集成度時，能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP晶片（用LSI或IC）和專用積體電路晶片（ASIC）在高密度多層互聯基板上用表面安裝技術(SMT)組裝成為多種多樣電子組件、子系統或系統。由這種想法產生出多晶片組件MCM（Multi Chip Model）。它將對現代化的計算機、自動化、通訊業等領域產生重大影響。MCM的特點有:
1.封裝延遲時間縮小，易於實現組件高速化;
2.縮小整機/組件封裝尺寸和重量，一般體積減小1/4，重量減輕1/3;
3.可靠性大大提高。
隨著LSI設計技術和工藝的進步及深亞微米技術和微細化縮小晶片尺寸等技術的使用，人們產生了將多個LSI晶片組裝在一個精密多層布線的外殼內形成MCM產品的想法。進一步又產生另一種想法:把多種晶片的電路集成在一個大圓片上，從而又導致了封裝由單個小晶片級轉向矽圓片級(wafer level)封裝的變革，由此引出系統級晶片SOC（System On Chip）和電腦級晶片PCOC（PC On Chip）。
隨著CPU和其他ULSI電路的進步，積體電路的封裝形式也將有相應的發展，而封裝形式的進步又將反過來促成晶片技術向前發展。
封裝形式是指安裝半導體積體電路晶片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過晶片上的接點用導線連線到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連線。衡量一個晶片封裝技術先進與否的重要指標是晶片面積與封裝面積之比，這個比值越接近1越好。
封裝發展進程
結構方面： TO－>DIP－>LCC－>QFP－>BGA －>CSP－>WLP；
材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑膠－>塑膠；
引腳形狀：長引線直插－>短引線或無引線貼裝－>球狀凸點；
裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝。
DIP--Double In-line Package--雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑膠和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝，套用範圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。
PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封裝方式，外形呈正方形，32腳封裝，四周都有管腳，外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封裝的晶片引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模積體電路採用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。
SOP--Small Outline Package--1968～1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝（SOP）。以後逐漸派生出SOJ（J型引腳小外形封裝）、TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）及SOT（小外形電晶體）、SOIC（小外形積體電路）等。
各種封裝形式
封裝形式（1—5）
1. BGA（ball grid array）
球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶片，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。
封裝本體也可做得比QFP（四側引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有可能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳（凸點）中心距為1.5mm，引腳數為225。也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊後的外觀檢查。不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連線可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC（見OMPAC 和GPAC）。
2. BQFP（quad flat package with bumper）
帶緩衝墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設定突起（緩衝墊）以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中採用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右（見QFP）。
3. 碰焊PGA（butt joint pin grid array）
表面貼裝型PGA 的別稱（見表面貼裝型PGA）。
4. C－（ceramic）
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5. Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP（數位訊號處理器）等電路。帶有玻璃視窗的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G（G 即玻璃密封的意思）。
封裝形式（6—10）
6. Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有視窗的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑膠QFP 好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W 的功率。但封裝成本比塑膠QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm. 0.8mm. 0.65mm. 0.5mm. 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
7. CLCC（ceramic leaded chip carrier）
帶引腳的陶瓷晶片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。帶有視窗的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為QFJ. QFJ－G（見QFJ）。8. COB（chip on board）板上晶片封裝，是裸晶片貼裝技術之一，半導體晶片交接貼裝在印刷線路板上，晶片與基板的電氣連線用引線縫合方法實現，晶片與基板的電氣連線用引線縫合方法實現，並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技術。9. DFP（dual flat package）雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，已基本上不用。
10. DIC（dual in-line ceramic package）
陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）.
封裝形式（11—15）
11. DIL（dual in-line）
DIP 的別稱（見DIP）。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12. DIP（dual in-line package）
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑膠和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝，套用範圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP（窄體型DIP）。但多數情況下並不加區分，只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip（見cerdip）。
13. DSO（dual small out-lint）
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱（見SOP）。部分半導體廠家採用此名稱。
14. DICP（dual tape carrier package）
雙側引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於利用的是TAB（自動帶載焊接）技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為定製品。另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業）會標準規定，將DICP 命名為DTP。
15. DIP（dual tape carrier package）
同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名（見DTCP）。
封裝形式（16—20）
16. FP（flat package）
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP（見QFP 和SOP）的別稱。部分半導體廠家採用此名稱。
17. flip-chip
倒焊晶片。裸晶片封裝技術之一，在LSI 晶片的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連線。封裝的占有面積基本上與晶片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小. 最薄的一種。但如果基板的熱膨脹係數與LSI 晶片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連線的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶片，並使用熱膨脹係數基本相同的基板材料。
18. FQFP（fine pitch quad flat package）
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采
用此名稱。
19. CPAC（globe top pad array carrier）
美國Motorola 公司對BGA 的別稱（見BGA）。
20. CQFP（quad fiat package with guard ring）
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑膠QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀（L 形狀）。這種封裝在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
封裝形式（21—25）
21. H-（with heat sink）
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22. pin grid array（surface mount type）
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得不怎么大，而引腳數比插裝型多（250～528），是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23. JLCC（J-leaded chip carrier）
24. LCC（Leadless chip carrier）
無引腳晶片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C（見QFN）。
25. LGA（land grid array）
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227 觸點（1.27mm 中心距）和447 觸點（2.54mm 中心距）的陶瓷LGA，套用於高速邏輯LSI 電路。
LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻抗小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作複雜，成本高，基本上不怎么使用。預計今後對其需求會有所增加。
封裝形式（26—30）
26. LOC（lead on chip）
晶片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處於晶片上方的一種結構，晶片的中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連線。與原來把引線框架布置在晶片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶片達1mm 左右寬度。
27. LQFP（low profile quad flat package）
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
28. L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，晶片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳（0.5mm 中心距）和160 引腳（0.65mm中心距）的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29. MCM（multi-chip module）
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si. Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30. MFP（mini flat package）
小形扁平封裝。塑膠SOP 或SSOP 的別稱（見SOP 和SSOP）。部分半導體廠家採用的名稱。
封裝形式（31—35）
31. MQFP（metric quad flat package）
按照JEDEC（美國聯合電子設備委員會）標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm. 本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準QFP（見QFP）。
32. MQUAD（metal quad）
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產。
33. MSP（mini square package）
QFI 的別稱（見QFI），在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34. OPMAC（over molded pad array carrier）
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱（見
BGA）。
35. P－（plastic）
表示塑膠封裝的記號。如PDIP 表示塑膠DIP。
封裝形式（36—40）
36. PAC（pad array carrier）
凸點陳列載體，BGA 的別稱（見BGA）。
37. PCLP（printed circuit board leadless package）
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑膠QFN（塑膠LCC）採用的名稱（見QFN）。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。正處於開發階段。
38. PFPF（plastic flat package）
塑膠扁平封裝。塑膠QFP 的別稱（見QFP）。部分LSI 廠家採用的名稱。
39. PGA（pin grid array）
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都採用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模邏輯LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑膠PGA。另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA（碰焊PGA）。（見表面貼裝型PGA）。
40. piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP. QFP. QFN 相似。在開發帶有微機的設備時用於評價程式確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是定製品，市場上不怎么流通。
封裝形式（41—45）
41. PLCC（plastic leaded chip carrier）
帶引線的塑膠晶片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，是塑膠製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，已經普及用於邏輯LSI. DLD（或程邏輯器件）等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。
PLCC 與LCC（也稱QFN）相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑膠，後者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑膠製作的無引腳封裝（標記為塑膠LCC. PCLP. P－LCC 等），已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出J 形引腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN（見QFJ 和QFN）。
42. P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）
有時候是塑膠QFJ 的別稱，有時候是QFN（塑膠LCC）的別稱（見QFJ 和QFN）。部分LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43. QFH（quad flat high package）
四側引腳厚體扁平封裝。塑膠QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得較厚（見QFP）。部分半導體廠家採用的名稱。
44. QFI（quad flat I-leaded packgac）
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字。
也稱為MSP（見MSP）。貼裝與印刷基板進行碰焊連線。由於引腳無突出部分，貼裝占有面積小於QFP。
日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45. QFJ（quad flat J-leaded package）
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑膠和陶瓷兩種。塑膠QFJ 多數情況稱為PLCC（見PLCC），用於微機. 門陳列. DRAM. ASSP. OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC. JLCC（見CLCC）。帶視窗的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機晶片電路。引腳數從32 至84。
封裝形式（46—50）
46. QFN（quad flat non-leaded package）
47. QFP（quad flat package）
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼（L）型。基材有陶瓷. 金屬和塑膠三種。從數量上看，塑膠封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時，多數情況為塑膠QFP。塑膠QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字邏輯LSI 電路，而且也用於VTR信號處理. 音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距有1.0mm. 0.8mm. 0.65mm. 0.5mm. 0.4mm. 0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP（FP）。但日本電子機械工業會對QFP
的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為
QFP（2.0mm～3.6mm 厚）. LQFP（1.4mm 厚）和TQFP（1.0mm 厚）三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP. VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂。QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩衝墊的BQFP（見BQFP）；帶樹脂保護環覆蓋引腳前端的GQFP（見GQFP）；在封裝本體裡設定測試凸點. 放在防止引腳變形的專用夾具里就可進行測試的TPQFP（見TPQFP）。
在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為0.4mm. 引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP（見Gerqad）。
48. QFP（FP）（QFP fine pitch）
小中心距QFP。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm. 0.4mm. 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP（見QFP）。
49. QIC（quad in-line ceramic package）
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱（見QFP. Cerquad）。
50. QIP（quad in-line plastic package）
塑膠QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱（見QFP）。
封裝形式（51—55）
51. QTCP（quad tape carrier package）
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利用TAB 技術的薄型封裝（見TAB. TCP）。
52. QTP（quad tape carrier package）
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用的名稱（見TCP）。
53. QUIL（quad in-line）
QUIP的別稱（見QUIP）。
54. QUIP（quad in-line package）
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標準印刷線路板。是比標準DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶片中採用了些種封裝。材料有陶瓷和塑膠兩種。引腳數64。
55. SDIP （shrink dual in-line package）
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距（1.778mm）小於DIP（2.54mm），因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑膠兩種。
封裝形式（56—60）
56. SH－DIP（shrink dual in-line package）
同SDIP。部分半導體廠家採用的名稱。
57. SIL（single in-line）
SIP 的別稱（見SIP）。歐洲半導體廠家多採用SIL 這個名稱。
58. SIMM（single in-line memory module）
單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格。
在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人計算機. 工作站等設備中獲得廣泛套用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。
59. SIP（single in-line package）
單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定製產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。
60. SK－DIP（skinny dual in-line package）
DIP 的一種。指寬度為7.62mm. 引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP（見DIP）。
封裝形式（61—65）
61. SL－DIP（slim dual in-line package）
DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。
62. SMD（surface mount devices）
表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD（見SOP）。
63. SO（small out-line）
SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都採用此別稱。（見SOP）。
64. SOI（small out-line I-leaded package）
65. SOIC（small out-line integrated circuit）
SOP 的別稱（見SOP）。國外有許多半導體廠家採用此名稱。
封裝形式（66—70）
66. SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）
J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，故此得名。通常為塑膠製品，多數用於DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40（見SIMM）。
67. SQL（Small Out-Line L-leaded package）
按照JEDEC（美國聯合電子設備工程委員會）標準對SOP 所採用的名稱（見SOP）。
68. SONF（Small Out-Line Non-Fin）
無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別，有意增添了NF（non-fin）標記。部分半導體廠家採用的名稱（見SOP）。
69. SOP（small Out-Line package）
小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀（L 字形）。材料有塑膠和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用於存儲器LSI 外，也廣泛用於規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8～44。另外，引腳中心距小於1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為TSOP（見SSOP. TSOP）。還有一種帶有散熱片的SOP。
70. SOW （Small Outline Package（Wide-Type））
寬體SOP，部分半導體廠家採用的名稱。
