在SiC MOSFET的開發與套用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用於更高的工作頻率,另由於其高溫工作特性,大大提高了高溫...
碳化矽晶體歷史 編輯 直到1885年,Acheson首次生長出SiC晶體之後,人們才開始對SIC...功率和微波等三類SiC器件提供商用,如PIN二極體、肖特基二極體、MESFET、MOSFET、...
碳化矽器件的出現大大的改善了半導體器件的性能,滿足國民經濟和國防建設的需要,...SiC MOSFET 的比導通電阻很低,工作頻率很高,在高溫下能夠穩定的工作,它在功率...
碳化矽高溫氧化爐能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用於常規的矽圓片的...MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)氧化工藝使用 N2O 氣氛, 可以改善 SiO2/SiC ...
第6章和第7章分析了碳化矽MOSFET和碳化矽IGBT的結構。碳化矽MOSFET 和IGBT的結構設計重點在於保護柵氧化層,以防止其提前擊穿。另外,必須禁止基區,以避免擴展擊穿。...