先進的高壓大功率器件：原理、特性和套用

內容簡介

本書共11章。第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能套用，定義了理想功率開關的電特性，並與典型器件的電特性進行了比較。第2章和第3章分析了矽基功率晶閘管和碳化矽基功率晶閘管。第4章討論了矽門極關斷（GTO）晶閘管結構。第5章致力於分析矽基IGBT結構，以提供對比分析的標準。第6章和第7章分析了碳化矽MOSFET和碳化矽IGBT的結構。碳化矽MOSFET 和IGBT的結構設計重點在於保護柵氧化層，以防止其提前擊穿。另外，必須禁止基區，以避免擴展擊穿。這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩衝層設計所決定。第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘管（MCT）結構和基極電阻控制晶閘管（BRT）結構，後者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。第10章介紹了發射極開關晶閘管（EST），該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷，並可利用IGBT加工工藝來製造。這種器件具有良好的安全工作區。本書最後一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。

本書的讀者對象包括在校學生、功率器件設計製造和電力電子套用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書，亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。

譯者序
原書前言
參考文獻
第1章引言
第2章矽晶閘管
第3章碳化矽晶閘管
第4章門極關斷（GTO）晶閘管
第5章矽絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)
第6章碳化矽平面MOSFET結構
第7章碳化矽IGBT
第8章矽基MCT
第9章矽基極電阻控制晶閘管
第10章矽發射極開關晶閘管
第11章總述
作者簡介

先進的高壓大功率器件：原理、特性和套用

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