功率半導體器件——理論及套用

所屬類別

科技 >> 電工電子 >> 電子技術

作者：[捷克]維捷斯拉夫·本達、[英國]約翰·戈沃、[英國]鄧肯A.格蘭物

出版日期：2005年5月書號：7-5025-6802-6

開本：16 裝幀：0 版次：1版1次頁數：368頁

本書較全面地講述了現有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和套用特性，有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的套用特性聯繫起來。書中內容由淺入深，從半導體的性質、基本的半導體結構、器件的製造和模擬、功率半導體器件的套用到各類重要功率半導體器件的基本原理、設計原則和套用特性，建立起一系列不同層次的、複雜程度漸增的器件模型，並闡述了各類重要功率半導體器件各級模型的基礎知識，使功率半導體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結構、功能、特性和特徵。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關內容。

本書可作為微電子和電力電子領域相關的工程技術人員的參考書，也可用作相關專業的高年級本科生、研究生課程的配合教材或參考書。

1半導體的性質

11帶電載流子和半導體能帶結構

12自由載流子濃度

13半導體的電導率

131決定電導率的因素

132決定矽中載流子遷移率的因素

14過剩載流子的產生與複合

141平衡和非平衡條件

142通過局域陷阱中心的複合

143其他複合過程

15載流子的擴散和漂移

16非均勻摻雜的影響

總結

參考文獻

2基本的半導體結構

21pn結及其基本性質

211電流電壓特性

212反向偏置

213電擊穿

214熱擊穿和熱奔

215光照對pn結特性的影響

216pn結的瞬態特性

22nn+和pp+結

23表面效應和MOS結構

24金屬半導體接觸

241整流（肖特基）接觸

242歐姆接觸

總結

參考文獻

3器件、製造和模擬

31各類功率半導體器件

311功率二極體

312常規的雙極功率電晶體

313晶閘管結構

314結型場效應（靜電感應）器件

315功率MOS結構1：功率MOSFET

316功率MOS結構2：絕緣柵雙極電晶體（IGBT）

317功率MOS結構3：MOS控制晶閘管（MCT）

318器件特性總結

32製造工藝

321高純度單晶矽的製備

功率半導體器件——理論及套用

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