碳化矽高溫氧化爐能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用於常規的矽圓片的氧化。
基本介紹
- 中文名：碳化矽高溫氧化爐
- 外文名：Centrotherm Oxidator 150
- 原料： SiC 圓片
- 工藝溫度： 從 900 ℃ 到 1350 ℃
簡介,性能,
簡介
Centrotherm Oxidator 150 經過專業團體的研發, 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用於常規的矽圓片的氧化。 
Oxidator 150
Oxidator 150爐管和加熱器均處於真空密閉反應腔內; 上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃。這樣的設計可以保證有毒氣體 [如 NO, N2O, H2, NO2 等] 安全使用。
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管）氧化工藝使用 N2O 氣氛, 可以改善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率, 同時可提高SiC表面氧化物的穩定性和壽命。
高達 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為研製SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動率的氧化層提供可能。
新式 centrotherm Oxidator 150 高效的反應腔，具有高性能, 占地少和降低成本生產的特點; 提供最高的工藝靈活度, 同時能夠保證有毒氣體的安全使用。
性能
真空密封反應腔
占地面積小 [1.8m2]
批處理圓片尺寸2″, 3″, 4″, 6″
批處理數量 40 片矽片2″, 50片矽片6″
真空度小於10-3 mbar
可以並排安裝
