《光伏製造行業規範條件（2024年本）》是為加強光伏行業管理，引導產業加快轉型升級和結構調整，推動我國光伏產業高質量發展，根據國家有關法律法規及《國務院關於促進光伏產業健康發展的若干意見》等政策，按照最佳化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持套用的原則，制定的規範條件。由工業和信息化部電子信息司於2024年7月9日發布徵求意見稿，意見徵詢期至2024年7月15日前。
基本介紹
- 中文名：《光伏製造行業規範條件（2024年本）》
- 起草單位：工業和信息化部電子信息司
意見徵詢,徵求意見稿,
意見徵詢
公開徵求對光伏製造行業規範條件及公告管理辦法（徵求意見稿）的意見
發布日期：2024-07-09 截止日期：2024-07-15 電子信息司
為進一步加強光伏製造行業管理，促進行業高質量發展，工業和信息化部電子信息司對《光伏製造行業規範條件（2021年本）》《光伏製造行業規範公告管理暫行辦法（2021年本）》進行修訂，形成《光伏製造行業規範條件（2024年本）》《光伏製造行業規範公告管理辦法（2024年本）》（徵求意見稿），現公開徵求意見。如有意見或建議，請於2024年7月15日前反饋至工業和信息化部電子信息司。
徵求意見稿
光伏製造行業規範條件（2024年本）
（徵求意見稿）
為加強光伏行業管理，引導產業加快轉型升級和結構調整，推動我國光伏產業高質量發展，根據國家有關法律法規及《國務院關於促進光伏產業健康發展的若干意見》等政策，按照最佳化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持套用的原則，制定本規範條件。本規範條件是鼓勵和引導行業技術進步和規範發展的引導性檔案，不具有行政審批的前置性和強制性。
一、生產布局與項目設立
（一）光伏製造企業及項目應符合國家資源開發利用、環境保護、節能管理等法律法規要求，符合國家產業政策和相關產業規劃及布局要求，符合當地國土空間規劃、社會經濟發展規劃和環境保護規劃等要求。
（二）在國家法律法規、規章及規劃確定或省級以上人民政府批准的自然保護區、飲用水水源保護區等生態功能重要區域，已劃定的永久基本農田及生態保護紅線，以及法律、法規規定禁止建設工業企業的區域不得建設光伏製造項目。上述區域內的現有企業應按照法律法規要求拆除關閉，或嚴格控制規模、逐步遷出。生態保護紅線內零星分布的已有光伏設施嚴禁擴大現有規模與範圍，項目到期後由建設單位負責做好生態修復。
（三）引導光伏企業減少單純擴大產能的光伏製造項目，加強技術創新、提高產品質量、降低生產成本。新建和改擴建光伏製造項目，最低資本金比例為30%。
二、工藝技術
（一）光伏製造企業應採用工藝先進、安全可靠、節能環保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備，並實現高品質產品的批量化生產。
（二）光伏製造企業應具備以下條件：在中華人民共和國境內依法註冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售後服務能力；具有套用於主營業務並實現產業化的核心專利，研發生產的產品應符合智慧財產權保護方面的法律規定，且近三年未出現侵權行為；每年用於研發及工藝改進的費用不低於總銷售額的3%且不少於1000萬元人民幣，鼓勵企業取得省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質；申報符合規範名單時上一年實際產量不低於上一年實際產能的50%。
（三）現有光伏製造企業及項目產品應滿足以下要求：
1.多晶矽滿足《太陽能級多晶矽》（GB/T25074）或《流化床法顆粒矽》（GB/T35307）特級品的要求。
2.多晶矽片（含準單晶矽片）少子壽命不低於2μs，碳、氧含量分別小於10ppma和12ppma；P型單晶矽片少子壽命不低於80μs，N型單晶矽片少子壽命不低於800μs，碳、氧含量分別小於1ppma和12ppma，其中異質結電池用N型單晶矽片少子壽命不低於500μs，碳、氧含量分別小於1ppma和14ppma。
3.多晶矽電池、P型單晶矽電池和N型單晶矽電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低於21.4%、23.2%和25%。
4.多晶矽組件、P型單晶矽組件和N型單晶矽組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低於19.4%、21.2%和22.3%。5.矽基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜組件的平均光電轉換效率分別不低於12%、15%、15%、14%。6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低於96.5%，不含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低於98%（單相二級拓撲結構的光伏逆變器相關指標分別不低於94.5%和97.3%），微型逆變器相關指標分別不低於95%和95.5%。
（四）新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求：
1.多晶矽滿足《電子級多晶矽》（GB/T12963）3級品以上要求或《流化床法顆粒矽》（GB/T35307）特級品的要求。
2.多晶矽片（含準單晶矽片）少子壽命不低於2.5μs，碳、氧含量分別小於6ppma和8ppma；P型單晶矽片少子壽命不低於90μs，N型單晶矽片少子壽命不低於1000μs，碳、氧含量分別小於1ppma和12ppma，其中異質結電池用N型單晶矽片少子壽命不低於700μs，碳、氧含量分別小於1ppma和14ppma。
3.多晶矽電池、P型單晶矽電池和N型單晶矽電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低於21.7%、23.7%和26%。
4.多晶矽組件、P型單晶矽組件和N型單晶矽組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低於19.7%、21.8%和23.1%。5.CIGS、CdTe及其他薄膜組件的平均光電轉換效率分別不低於16%、16.5%、15%。（五）P型晶矽組件衰減率首年不高於2%，後續每年不高於0.55%，25年內不高於15%，N型晶矽組件衰減率首年不高於1%，後續每年不高於0.4%，25年內不高於11%；薄膜組件衰減率首年不高於4%，後續每年不高於0.4%，25年內不高於14%。
（六）光伏組件非金屬材料的燃燒性能不低於國家標準《建築材料及製品燃燒性能分級》（GB8624）規定的B1級。
（七）鼓勵晶矽組件外形尺寸滿足相關標準要求。
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