[電子]雪崩（[electron] avalanche）是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名：[電子]雪崩
- 外文名：[electron] avalanche
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
![[電子]雪崩](/img/e/32f/2fc3b0b39fe2e87f059a44023939.jpg "[電子]雪崩")
[電子]雪崩
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- 雪崩光電二極體
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- 半導體雪崩光電二極體
半導體雪崩光電二極體 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件，又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電流的雪崩倍增。這種器件具有小型、靈敏、快速等優點，適用...
- 雪崩二極體
雪崩二極體是一種負阻器件，特點是輸出功率大，但噪聲也很大。主要噪聲來自於雪崩噪聲，是由於雪崩倍增過程中產生電子和空穴和無規則性所引起的，其性質和散彈噪聲類似。雪崩噪聲是雪崩二極體振盪器的噪聲遠高於其它振盪器的主要原因 ...
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雪崩倍增效應，強電場下半導體中的載流子的大量倍增現象。解釋 當半導體中的電場超過某一特定值時，某些載流子可從電場獲得足夠高的能量，通過相互碰撞，高能載流子將部分能量傳遞給價帶中的電子，使之激發到導帶，從而產生電子–空穴對，這種...
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太陽能電池雪崩效應指在傳統太陽能電池中，一個光子只能精確釋放出一個電子，這些自由電子保證了電池的正常產電工作。釋放的電子越多，太陽能電池的效率就越高。然而，在一些半導體納米晶體材料中，一個光子可以釋放出兩到三個電子。
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但是目前的寬禁帶半導體雪崩探測器大都基於傳統 p-i-n 同質結結構，受限於載流子離化係數，線性模式工作時增益不夠高，無法探測單光子；而當增益提高時，器件中電子和空穴雙極雪崩嚴重，過剩噪聲很大，只能工作於蓋革模式，探測性能受限。
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電壓控制雪崩振盪器 電壓控制雪崩振盪器（voltage controlled avalanche oscillator）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
- 湯生放電理論
湯生放電理論即電子雪崩理論，即電子在放電過程中將氣體擊穿。電子在碰撞過程中新產生的電子數迅猛增加的這一現象稱為電子雪崩。概念 在20世紀初英國物理學家湯生(John Sealy Edward Townsend)提出了第一個定量的氣體放電理論，即電子雪崩...
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這些新產生的電子和原有電子又從電場中獲得能量，並繼續碰撞其它氣體原子，又可能激發出新的自由電子。這樣，自由電子數將會成指數倍地增長，形成電子雪崩。由於電子的質量比離子小得多，因此，電子移動的速度比離子快許多，形成的電子崩的...
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電子雪崩機制是電磁輻射脈衝持續期從 到 秒間隔內理想透明媒質的電擊穿的主要機制 , 所以它的閡值決定光學材料對雷射作用極限的堅固性 。分析電子雪崩問題的方法主要有三：1 .試驗電子法；2 .直接求解導電區電子的動力方程；3，計算...
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