雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。
雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。
雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。...... 雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。...
雪崩光電二極體指的是在雷射通信中使用的光敏元件。在以矽或鍺為材料製成的光電二極體的P-N結上加上反向偏壓後,射入的光被P-N結吸收後會形成光電流。加大反向...
材料摻雜濃度較低的PN結中,當PN結反向電壓增加時,空間電荷區中的電場隨著增強。這樣通過空間電荷區的電子和空穴,就會在電場作用下,使獲得的能量增大。在晶體中運行...
定義PN 結髮生臨界擊穿對應的電壓為 PN 結的擊穿電壓 BV,BV 是衡量 PN結可靠性與使用範圍的一個重要參數,在 PN 結的其它性能參數不變的情況下,BV 的值越高...
雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。...
半導體中的雪崩倍增效應:半導體中的雪崩倍增效應通常用電離率來描述碰撞電離效應的強弱。它定義為一個載流子通過單位距離平均所產生的電子空穴對的數目。電離率強烈依賴...
這是一種重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越這兩種過程所造成的延遲作用來產生振盪的。...
雪崩整流管是一款可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電的平板式、螺旋式整流管。...
APD雪崩光電二極體是一種p-n結型的光檢測二極體,其中利用了載流子的雪崩倍增效應來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。其基本結構常常採用容易產生雪崩倍增效應的Read...
半導體雪崩光電二極體 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離...
BJT(雙極型電晶體)的穿通電壓與雪崩擊穿電壓一道,都起著限制著電晶體最高工作電壓的作用(由該二者的最低值決定)。...
鉗位電壓是指限制電壓。這個限制的對象,可以是需要過壓保護的對象,譬如開關電源中的MOS管,需要一個鉗位網路來限制D、S極間電壓,保護MOS不被損壞。...
反向擊穿電壓,是指二極體反向擊穿時的電壓值。...... 一般小於6V的電壓引起的是齊納擊穿,大於6V的引起的是雪崩擊穿。 [1] 反向擊穿電壓危害 編輯 二極體反向擊穿時...
當PN結的摻雜濃度很高時,阻擋層就十分薄。這種阻擋層特別薄的PN結,只要加上不大的反向電壓,阻擋層內部的電場強度就可達到非常高的數值。這種很強的電場強度可以把...
電涌顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓,被稱為瞬變脈衝電壓、瞬態過電、突波或電涌等,是電路中出現的一種短暫的電流、電壓波動,在電路中通常持續約百萬...
浪涌(Electrical surge),顧名思義就是瞬間出現超出穩定值的峰值,它包括浪涌電壓和浪涌電流。浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質上講,...