相關詞條
- 雪崩擊穿
如此連鎖反應,使得阻擋層中的載流子的數量雪崩式地增加,流過PN結的電流就急劇增大擊穿PN結,這種碰撞電離導致擊穿稱為雪崩擊穿,也稱為電子雪崩現象。...
- 擊穿電壓
定義PN 結髮生臨界擊穿對應的電壓為 PN 結的擊穿電壓 BV,BV 是衡量 PN結可靠性與使用範圍的一個重要參數,在 PN 結的其它性能參數不變的情況下,BV 的值越高...
- 齊納擊穿
他研究了半導體PN結的擊穿理論,發現除雪崩擊穿(電子碰撞引起的擊穿,矽器件擊穿電壓6V以上的比較明顯)還有一種場效應引起的擊穿,稱為齊納擊穿(矽器件擊穿電壓6V以下的...
- 雪崩二極體
雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。...
- 雪崩電壓
雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。...... 雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。...
- 半導體中的雪崩倍增效應
半導體中的雪崩倍增效應:半導體中的雪崩倍增效應通常用電離率來描述碰撞電離效應的強弱。它定義為一個載流子通過單位距離平均所產生的電子空穴對的數目。電離率強烈依賴...
- pn結擊穿
pn結擊穿(electrical breakdown of p-n junction)對pn結施加的反向偏壓增大到某一數值VBR時,反向電流密度突然開始迅速增大的現象稱為pn結擊穿。發生擊穿時的反向電壓...
- 溝道雪崩擊穿
Channel avalanche breakdown 溝道雪崩擊穿是小尺寸MOSFET中的一種強電場效應。在短溝道n-MOSFET中,溝道中較強的電場,可使溝道中的電子通過碰撞電離和雪崩倍增而...
- 雪崩光電二極體
雪崩光電二極體指的是在雷射通信中使用的光敏元件。在以矽或鍺為材料製成的光電二極體的P-N結上加上反向偏壓後,射入的光被P-N結吸收後會形成光電流。加大反向...
- 正向擊穿
當與集電極-發射極電壓對應的空間電荷區電場增大時,在空間電荷區內將發生載流子的碰撞電離和雪崩倍增效應。當集電極-發射極電壓增大到雪崩擊穿電壓時,進入雪崩擊穿狀態...
- 本徵擊穿
溫度較低、電壓作用時間較短時,純淨、均勻固體電介質由絕緣狀態突變為良導電狀態的過程。本徵擊穿過程所需時間為10-8s數量級,本徵擊穿場強大於1MW/cm,反映了固體...
- 電擊穿
電擊穿是指固體介質在強電場的作用下,內部少量可自由移動的載流子劇烈運動,與晶格上的原子發生碰撞使之游離,並迅速擴展而導致擊穿。特點是:電壓作用時間短,擊穿電壓...
- BJT擊穿電壓
晶體三極體中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電,故稱之為雙極性電晶體(BJT),又稱半導體三極體。BJT(雙極型電晶體)的擊穿電壓,就是電晶體在工作中,反向輸出...
- 擊穿
,這些次級電子在電場中獲得能量而加速運動,又撞擊並電離更多的離子,產生更多的次級電子,如此連鎖反應,如同雪崩,產生“電子潮”,使貫穿介質的電流迅速增大,導致擊穿。...
- 反向擊穿電壓
反向擊穿電壓,是指二極體反向擊穿時的電壓值。...... 一般小於6V的電壓引起的是齊納擊穿,大於6V的引起的是雪崩擊穿。 [1] 反向擊穿電壓危害 編輯 二極體反向擊穿時...
- 雪崩倍增
雪崩倍增【avalanche multipication】 在強電場區內因碰撞離化而引起的自由載流子數目的增加。...
- 雪崩整流管
雪崩整流管是一款可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電的平板式、螺旋式整流管。...
- 半導體雪崩光電二極體
半導體雪崩光電二極體 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離...