雪崩倍增【avalanche multipication】 在強電場區內因碰撞離化而引起的自由載流子數目的增加。
基本介紹
- 中文名:雪崩倍增
- 外文名:Avalanche multiplication
- 屬於:雪崩
- 類型:倍增
雪崩倍增【avalanche multipication】 在強電場區內因碰撞離化而引起的自由載流子數目的增加。
雪崩倍增【avalanche multipication】 在強電場區內因碰撞離化而引起的自由載流子數目的增加。...
半導體中的雪崩倍增效應:半導體中的雪崩倍增效應通常用電離率來描述碰撞電離效應的強弱。它定義為一個載流子通過單位距離平均所產生的電子空穴對的數目。電離率強烈依賴...
這裡介紹的是電子學中的倍增效應,也稱為雪崩倍增效應。...... 雪崩倍增效應:如果碰撞電離過程發生很頻繁,不斷產生出電子-空穴對,這是一系列相繼的連鎖過程,瞬間即...
雪崩光電二極體指的是在雷射通信中使用的光敏元件。在以矽或鍺為材料製成的光電二極體的P-N結上加上反向偏壓後,射入的光被P-N結吸收後會形成光電流。加大反向...
這是一種重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越這兩種過程所造成的延遲作用來產生振盪的。...
雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。...
雪崩電壓,電工學辭彙,指的是雪崩擊穿達到臨界值時產生的一種max電壓。...... 主要噪聲來自於雪崩噪聲,是由於雪崩倍增過程中產生電子和空穴和無規則性所引起的,其性...
APD雪崩光電二極體是一種p-n結型的光檢測二極體,其中利用了載流子的雪崩倍增效應來放大光電信號以提高檢測的靈敏度。其基本結構常常採用容易產生雪崩倍增效應的Read...
半導體雪崩光電二極體 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離...
Channel avalanche breakdown 溝道雪崩擊穿是小尺寸MOSFET中的一種強電場效應。在短溝道n-MOSFET中,溝道中較強的電場,可使溝道中的電子通過碰撞電離和雪崩倍增而...
當最大電場達到雪崩臨界場強時,Ma→1,集電極電流急劇上升,電晶體一次雪崩擊穿。在pn結附近雪崩區內,由雪崩倍增產生大量的電子-空穴對,電子向集電極漂移,大量電子通過...
APD一種國際常用名詞,包括德國APD蓄電池、雪崩光電二極體、阿普達國際(集團)有限公司、動作電位時程等...
碰撞離化所需的電場強度取決於半導體材料的帶隙寬度,載流子在強電場區內的一連串碰撞離化過程造成載流子的雪崩倍增,在外電路中表現為電流的雪崩倍增。半導體中載流子...
BJT(雙極型電晶體)的穿通電壓與雪崩擊穿電壓一道,都起著限制著電晶體最高工作電壓的作用(由該二者的最低值決定)。...