疊柵雪崩注入型MOS(Stacked gate avalanche injection MOS)簡稱SAMOS器件，也是採用雪崩注入法寫入信息。在控制柵上加正電壓時，因為在結表面附近形成很強的電場，故在較低的電壓下就可發生雪崩效應。
基本介紹
- 中文名：疊柵雪崩注入
- 外文名：Stacked gate avalanche injection MOS
- 簡稱：SAMOS器件
- 方法：採用雪崩注入法寫入信息
- 定義：在表面形成電場，發生雪崩效應
- 套用學科：計算機原理
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光擦唯讀存儲器
光擦唯讀存儲器(EPROM)是一種可以重複擦寫的唯讀存儲器。根據結構可分為浮動柵型MOS和疊柵雪崩注入型MOS兩種類型。擦除時，用紫外線照射晶片10～20min，即可擦除全部內容；寫入時，根據不同類型的MOS，分別加入所需要的電壓即可寫入信息。EPROM的擦除/寫入，必須是全部擦除/寫入，哪怕整個晶片上只錯一位也必須將其從主機板上撥下擦掉後再重寫。
EPROM分類
浮動柵型MOS
浮動柵型MOS工作原理如下：
1、寫1
浮動柵型MOSEPROM為全0晶片。當在其存儲單元的源與漏間加上50V左右的電壓時，此管會引起雪崩．由於遂道效應，電子注入到浮動柵上。當浮動柵上聚積的電荷足夠多時，源漏導通，該存儲單元變為1。由於浮動柵處於四周絕緣狀態，其電荷不會丟失，故使該存儲單元的數據不會丟失。
2、擦洗
用紫外線照射，可擦去所存的數據。當晶片受到紫外線照射時，可釋放掉浮動柵上所積存的電荷，使各存儲單元恢復到原始狀態。
疊柵雪崩注入型MOS
疊柵雪崩注入型MOS工作原理如下；
1、寫1
在控制柵上加正電壓，會在結表面形成很強的電場，故在源與漏之間加上較低的電壓，便可發生雪崩效應，使電子飛快地注入到浮動柵上。浮動柵上的負電荷，使電晶體導通，該存儲單元變為1。
2、擦洗
用紫外線直接照射氧化膜，使浮動柵上的電子因獲得足夠能量而飛出浮動柵，電晶體又恢復到截止狀態，存儲單元又回到0態。
