《SiGe/Si等平面化真空微電子雪崩擊穿電子發射器件研究》是依託浙江大學，由朱大中擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：SiGe/Si等平面化真空微電子雪崩擊穿電子發射器件研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：朱大中
- 項目類別：面上項目
- 批准號：69676037
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 支持經費：9（萬元）
項目摘要
本項目研究並設計了SiGe/Si等平面化異質結雪崩擊穿電子發射陣列器件。採用了氮化矽自對準等平面工藝和雙離子注入等平面再氧化工藝實現了具有僅為40至60納米的P（+）接觸區低工藝台階和10納米的n（+）電子發射區低工藝台階的等平面化電子發射器件表面。再套用超高真空CVD方法生長SiGe外延層，與n（+）矽電子發射區形成淺異質結。SiGe層厚度為20到30納米，P型；採用生長過程硼烷摻雜和生長後硼離子注入兩種方法形成P型，Ge的組份為0.2到0.4。該淺異質結的雪崩擊穿電壓為6至15伏，有電子發射現象。本研究交叉了真空微電子器件技術和矽鍺異質結技術涉及了同類研究前沿；並移植了自對準工藝和全離子注入等大規律積體電路技術，使研究內容和方法上有一定的新意。
