電子雪崩是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：電子雪崩
- 外文名： electron avalanche
- 所屬學科：物理學_凝聚態物理學_固體及其性質
- 公布年度： 2019年
公布時間,出處,
公布時間
2019年全國科學技術名詞審定委員會公審定布的物理學名詞。
出處
《物理學名詞》。
電子雪崩是2019年公布的物理學名詞。
[電子]雪崩 [電子]雪崩（[electron] avalanche）是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
如此進行下去,空間中的自由電子將迅速增加，類似於電子雪崩，故名電子崩。因為離子的質量比電子的質量大10～10量級，電子向前“飛行”時，電離產生的正離子基本沒有移動。電子崩頭部是電子，留在後部的是正離子，形成正空間電荷。若有n...
半導體中的雪崩倍增效應：半導體中的雪崩倍增效應通常用電離率來描述碰撞電離效應的強弱。它定義為一個載流子通過單位距離平均所產生的電子空穴對的數目。電離率強烈依賴於電場，也是溫度的函式（由於溫度升高，點陣散射增強，傾向於阻礙對...
半導體雪崩光電二極體 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件，又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞電離效應而獲得光電流的雪崩倍增。這種器件具有小型、靈敏、快速等優點，適用...
溝道雪崩擊穿是小尺寸MOSFET中的一種強電場效應。在短溝道n-MOSFET中，溝道中較強的電場，可使溝道中的電子通過碰撞電離和雪崩倍增而產生出大量的電子-空穴對 (在漏端夾斷區更明顯)，倍增出的電子將被漏極吸收、並使漏極電流劇增而...
PIN、雪崩光電二極體測試方法 《PIN、雪崩光電二極體測試方法》是2015年10月1日實施的行業標準。起草單位 中電子科技集團公第四十四研究所。起草人 郭萍、崔大鍵、王波。
光的吸收層用InGaAs材料，它對1.3μm和1.55μn的光具有高的吸收係數，為了避免InGaAs同質結隧道擊穿先於雪崩擊穿，把雪崩區與吸收區分開，即P-N結做在InP視窗層內。鑒於InP材料中空穴離化係數大於電子離化係數，雪崩區選用n型InP...
利用這個特性製作的二極體就是雪崩二極體，在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增加...
《基於雪崩非線性效應的高效變頻機理及特性研究》是依託電子科技大學,由趙明華擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目旨在解決雪崩器件高效變頻機理、非線性模型、變頻特性等問題。通過研究雪崩非線性效應中載流子的產生、倍增、...
2017年12月11日，《一種免擴散的雪崩光電二極體及其製備方法》獲得第十九屆中國專利優秀獎。（概述圖為《一種免擴散的雪崩光電二極體及其製備方法》摘要附圖）專利背景 雪崩光電二極體利用高電場加速電子或空穴載流子，使載流子與晶格發生碰撞...
雪崩安全氣囊的“救生原理”.3、它的最大特點是觸發機制可以實現“互聯”。4、最新的氣囊具有“集體激活功能”。如果在一群攜帶者氣囊的滑雪者當中，有一個人打開了身上的氣囊，那么有關電子裝置將會讓附近其他滑雪者身上背負的氣囊跟著...
量子阱雪崩光電二極體，QW-APD（Quantum Well APD）：這是雪崩光電二極體（APD）的一種改進結構的新型器件。因為要降低APD的噪音和提高增益-頻寬積，就要求i型區中電子的電離率an＞＞空穴的電離率ap，但這對III-V族化合物半導體而言是...
InGaAs/InP紅外雪崩光電探測器虛擬仿真實驗是西南科技大學建設的虛擬仿真實驗課程。教學目標 通過實驗觀察、操作、分析，可使學生對雷射原理、光電子技術以及信息光學課程中的基本概念、基礎技術和基本器件有比較全面、系統的認識。培養學生在光...
當雪崩區倍增出載流子時，二極體上的電壓即下降；然後電子渡越漂移區，當到達陽時即輸出一個電流脈衝，與此同時二極體上的電壓又增大；接著又發生雪崩區倍增，然後漂移，……這樣即不斷地輸出電流脈衝，從而產生微波振盪。因為產生載流子的...
《雪崩》是一本以網路人格和 虛擬現實 的初步暗示為特色的賽博朋克 小說 。內容簡介 第一本以網路人格和虛擬現實的初步暗示為特色的賽博朋克小說。另外，你會喜歡上那個叫希羅的主人公，他是一名黑客、日本武士兼披薩餅快遞員。 網路...
研究發現：（1）鹵氧化鉍層狀結構形成的取向自發極化及內電場是形成稀土離子光子雪崩現象的重要原因之一。內電場可以利用局域場效應實現稀土離子激發增強，布局能級過飽和效應，以及通過促進光生電子和空穴分離抑制非輻射弛豫等作用機制，促進...
雪崩觸發俘獲等離子渡越時間二極體在IMPATT二極體工作的基礎上、以另外一種特殊的機理來實現微波振盪的渡越時間器件（TTD）。雪崩觸發俘獲等離子渡越時間二極體（TRAPATT diode，Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit Diode）：這是在...
湯生放電理論即電子雪崩理論，即電子在放電過程中將氣體擊穿。電子在碰撞過程中新產生的電子數迅猛增加的這一現象稱為電子雪崩。概念 在20世紀初英國物理學家湯生(John Sealy Edward Townsend)提出了第一個定量的氣體放電理論，即電子雪崩...
雪崩救援系統的簡稱。RECCO 是用於定位雪崩受難者的電子系統。服務人群 高山滑雪及滑板者 自由滑雪及滑板者 有可能發生雪崩地區的造訪者 系統部件 包括反射體及探測器兩部分 反射體 反射體是一個薄型的印刷電路板並在表面覆蓋塑膠，可貼...
電子雪崩機制是電磁輻射脈衝持續期從 到 秒間隔內理想透明媒質的電擊穿的主要機制 , 所以它的閡值決定光學材料對雷射作用極限的堅固性 。分析電子雪崩問題的方法主要有三：1 .試驗電子法；2 .直接求解導電區電子的動力方程；3，計算...
這種擊穿與介質中的自由電子有關。介質中自由電子的來源為雜質或缺陷能級、價帶。雪崩式電擊穿機制 熱擊穿機制對於許多陶瓷材料是適用的。如果材料尺寸可看成是薄膜時，則雪崩式擊穿機制更為有效。雪崩式電擊穿機制是把本徵電擊穿機制和熱...
微弧氧化特種電源是一種利用微弧氧化技術的特種電源。自1932年Betz等首次觀察到電擊穿的現象以來，許多研究者都對電擊穿產生的原因 過各種各樣的假設和模型。總體上看，電擊穿理論經歷了離子電流機理、熱作用機理、機械作用機理以及電子雪崩...
使它成為一個內容豐富並有廣泛技術套用的研究領域。在電暈線周圍，發生“電子雪崩”的積累過程，在強電場區域以外，電子逐漸減慢到小於碰撞電離所必需的速度，並附著在氣體分子上形成氣體離子。（陰電暈形成機理）
4.5.1電子雪崩深受空間電荷影響 4.5.2流過電阻材料的高度可變電流 4.5.3不同電氣性能材料的電感應 4.5.4多導體傳輸線中快信號的傳播 4.6定時RPC 4.7當探測器工作在流光和雪崩模式時前端電路的重要性 4.8通過二次電子發射...
由於強雷射場的作用使透明介質中發生各種損傷，光擊穿是指強雷射引起雪崩電離導致擊穿引起的損傷，它區別於雷射直接加熱引起的損傷，後者稱為熱擊穿。固體中的光擊穿的物理機制為： 固體中有少量準自由電子（熱激發到導帶上的電子，或由於...
例：放電電壓20kV，球隙間距5mm，N₂氣壓為150kPa，電子雪崩在球隙中傳布速度u=2.8x10⁶cm/s，走過球 隙間距需要179ns時間。實際上球隙在一定放電條件下將形成流光過程，流光比電子雪崩的傳布速度大得多，一般達到1~2×10⁸cm/...
放電時氣體電離的實質是發生電子雪崩，這種雪崩具有連鎖反應特性，因而電離速度極快。電漿電弧是比自由電弧電離度更高的壓縮電弧。當電極間氣體放電形成的電弧受到外界氣流、器壁或外磁場的壓縮，使弧柱變細，溫度更高，能量高度集中時...