專利背景
在生產太陽電池的工藝過程中,不可避免地會引起各種沾污,
擴散爐的氣路系統可引入各種塵埃的沾污,石英爐管會引起鈉離子沾污,多次高溫循環熱處理,易使矽片內部產生熱應力。製作太陽電池採用太陽能級矽,材料本身缺陷多,補償變高,製作過程中,易引入人為的沾污和各種化學試劑的沾污。上述缺陷造成電池效能降低。
發明內容
專利目的
《高效晶體矽電池規模化製造方法》的目的在於提供一種電池效能高的高效晶體矽電池規模化製造方法。
技術方案
《高效晶體矽電池規模化製造方法》包括對塗布漿層的矽片進行高溫燒結處理,其特徵是:高溫燒結是在氮氧氣氛下進行,氮氧氣氛中氮與氧的重量比為8~15:1。
高溫燒結處理的溫度對於區熔單晶矽電池為950~1200℃,對於直拉矽單晶電池的為800~1000℃,高溫燒結處理時間為0.5~6小時。
高溫燒結處理時,在矽片進爐時,採取快速進爐,矽片出爐時採取慢速出爐。
快速進爐是將同批需高溫燒結處理的矽片在2秒~2分鐘內完成進爐過程;慢速出爐是將同批需高溫燒結處理的矽片在10分鐘~20分鐘內完成出爐過程。
改善效果
《高效晶體矽電池規模化製造方法》採用的高溫燒結處理環境氣氛,可有效地使鋁原子快速擴散到電池的背表面矽的原子中,在矽中形成大量失配位錯,將電池體內的各種金屬雜質和體內缺陷吸附到電池的背表而,選擇的溫度可以更好地達到這一效果;採取快速進爐和慢速出爐的方法,快速進爐是為了恨好地製造缺陷,慢出是為了在整個高溫過程中,吸收到“缺陷”中各種金屬雜質和體內缺陷,固定在人為製造的“缺陷”中。該發明製成的產品效能高,且不易產生起球、起皺、發黑、炸片等不良現象。
權利要求
1、《高效晶體矽電池規模化製造方法》包括對塗布漿層的矽片進行高溫燒結處理,其特徵是:高溫燒結是在氮氧氣氛下進行,氮氧氣氛中氮與氧的重量比為8~15:1。
2、根據權利要求1所述的高效晶體矽電池規模化製造方法,其特徵是:高溫燒結處理的溫度對於區熔單晶矽電池為950~1200℃,對於直拉矽單晶電池的為800~1000℃,高溫燒結處理時間為0.5~6小時。
3、根據權利要求1或2所述的高效晶體矽電池規模化製造方法,其特徵是:高溫燒結處理時,在
矽片進爐時,採取快速進爐,矽片出爐時採取慢速出爐。
4、根據權利要求4所述的高效晶體矽電池規模化製造方法,其特徵是:快速進爐是將同批需高溫燒結處理的矽片在2秒~2分鐘內完成進爐過程;慢速出爐是將同批需高溫燒結處理的矽片在10分鐘~20分鐘內完成出爐過程。
實施方式
一種高效區熔單晶矽電池規模化製造方法,包括對塗布漿層的矽片進行高溫燒結處理,高溫燒結是在氮氧氣氛下進行,氮氧氣氛中氮與氧的重量比為8~15:1(可以是8:1或10:1、15:1)。高溫燒結處理的溫度為950~1200℃(例950℃、1100℃、1200℃),高溫燒結處理時間為0.5~6小時(例6小時、3小時、0.5小時)。高溫燒結處理時,在矽片進爐時,採取將同批需高溫燒結處理的矽片在2秒~2分鐘(例2秒、30秒、1分鐘、2分鐘)內完成進爐過程的快速進爐方法,矽片出爐時採取將同批需高溫燒結處理的矽片在10分鐘~20分鐘(例10分鐘、15分鐘、20分鐘)內完成出爐過程的慢速出爐方法。其餘步驟同常規晶體矽電池製造步驟,即的產品。
一種高效直拉矽單晶電池規模化製造方法,高溫燒結處理的溫度為800~1000℃(例800℃、900℃、1000℃),其餘同實施例1。
榮譽表彰
2009年,《高效晶體矽電池規模化製造方法》獲得第六屆江蘇省專利項目獎優秀獎。