《多晶矽與矽片生產技術》內容簡介：太陽電池可以實現太陽光直接轉換為電力，目前晶體矽太陽電池是光伏發電的主流產品。 《多晶矽與矽片生產技術》首先介紹了晶體矽的物理特性、太陽電池基本結構和標準電池工藝；並在介紹多晶矽原料製備原理、矽源化合物材料性能和製備基礎上，著重介紹高純多晶矽和太陽級多晶矽的製備與各種提純生產工藝；最後，詳細闡述了矽的晶體生長和矽片的生產工藝。 《多晶矽與矽片生產技術》可供大專院校從事光伏、半導體材料與器件、材料科學與工程等領域的師生作為教學參考書，也可供從事太陽能光伏研究、技術開發和產業生產的科技人員和工程師參考。
基本介紹
- 書名：多晶矽與矽片生產技術
- 出版社：化學工業出版社
- 頁數：201頁
- 開本：16
- 品牌：化學工業出版社
- 作者：梁宗存 沈輝
- 出版日期：2014年1月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：7122188698
內容簡介,圖書目錄,序言,
內容簡介
《多晶矽與矽片生產技術》的作者根據多年的研究和教學及生產實踐編寫，內容包括矽材料基本特性，製備原理及生產工藝，矽片的生產工藝與技術，對從事半導體材料研究、太陽電池研究、光伏材料研究和教學的人員有較好的技術參考價值。
圖書目錄
第1章晶體矽的物理特性
1.1晶體結構
1.2能帶和能級
1.3電學性質
1.3.1本徵載流子
1.3.2施主與受主
1.3.3非平衡載流子的產生和複合
1.3.4電阻率
1.3.5遷移率
1.3.6載流子擴散
1.4光學性質
1.4.1吸收係數
1.4.2折射率和反射率
1.5力學和熱學性質
1.5.1彈性常數
1.5.2硬度
1.5.3熱膨脹係數
1.5.4熱導率
1.6p—n結
1.6.1擴散法
1.6.2離子注入
1.7晶體矽太陽電池常規結構與工藝
參考文獻
第2章矽源合成工藝
2.1各種矽源的製備技術
2.1.1矽石
2.1.2冶金級矽
2.1.3三氯氫矽（trichlorosilane：TCS）
2.1.4四氯化矽（SiCl4）
2.1.5二氯二氫矽（SiH2Cl2）
2.1.6矽烷（SiH4）
2.2物理性質
2.2.1密度（液態）
2.2.2蒸氣壓
2.2.3比熱容（液態）
2.3化學性質
2.3.1安全性
2.3.2著火和爆炸性
2.3.3對材料的腐蝕性
參考文獻
第3章電子級多晶矽的製備
3.1改良西門子法製備多晶矽
3.1.1改良西門子法熱力學
3.1.2改良西門子法動力學
3.2改良西門子法工藝
3.2.1原料系統
3.2.2反應系統
3.2.3尾氣回收
3.2.4SiCl4冷氫化
3.2.5改良西門子法發展趨勢
3.3其他氯矽烷法製備多晶矽
3.3.1SiH2Cl2製備多晶矽
3.3.2SiCl4製備多晶矽
3.4矽烷法製備多晶矽工藝
3.4.1Asimi工藝
3.4.2MEMC工藝
3.5多晶矽材料的評價
參考文獻
第4章冶金法太陽級多晶矽提純技術
4.1冶金法多晶矽的進展
4.2冶金法多晶矽的提純工藝
4.2.1金屬矽的冶煉：從礦石到單質矽
4.2.2高純金屬矽冶煉工藝
4.2.3爐外精煉
4.2.4濕法冶金
4.2.5真空熔煉與定向凝固
4.3矽料的儲運和處理
4.3.1金屬矽的儲運和處理
4.3.2爐外精煉的矽料處理
4.3.3濕法矽料的處理
4.3.4真空裝料處理
4.4冶金法多晶矽的生產設備
4.4.1金屬矽冶煉設備
4.4.2爐外精煉設備
4.4.3濕法冶煉設備
4.4.4真空熔煉與鑄錠設備
4.4.5物料處理設備
4.4.6坩堝噴塗與燒結設備
4.5冶金法多晶矽的安全生產問題
4.5.1爐外精煉的安全問題
4.5.2濕法冶金的安全生產
4.5.3真空鑄錠時的安全生產
4.6冶金法多晶矽的套用
4.6.1冶金法多晶矽的成本優勢
4.6.2冶金法多晶矽的套用情況
4.6.3冶金法多晶矽套用中存在的問題及對策
4.6.4冶金法多晶矽的質量標準
4.6.5冶金法多晶矽的套用趨勢
參考文獻
第5章其他太陽級多晶矽提純技術
5.1流化床法
5.1.1SiH4流化床法
5.1.2TCS流化床法
5.2無氯法
5.3直接冶煉法
5.3.1原材料的處理
5.3.2碳熱還原過程
5.3.3矽的提煉
5.4區域熔化提純法
5.5氣液沉積法（VLD技術）
5.6常壓碘化學氣相傳輸淨化法
5.7電化學熔鹽電解法
5.7.1熔鹽直接電解SiO2製備多晶矽
5.7.2熔鹽電解精鍊冶金矽
5.8其他方法
5.9太陽級矽的存在問題和解決辦法
5.9.1存在問題
5.9.2解決辦法
參考文獻
第6章矽晶體生長工藝
6.1直拉法製備單晶矽
6.1.1直拉法製備單晶矽的原理
6.1.2直拉單晶生長系統簡介
6.1.3直拉法晶體生長工藝
6.2懸浮區熔法製備單晶矽工藝
6.2.1原理
6.2.2區熔單晶爐
6.2.3區熔工藝
6.3多晶矽製備技術
6.3.1多晶矽生長原理
6.3.2多晶矽鑄錠工藝
6.3.3多晶矽鑄錠爐
6.3.4未來的發展趨勢
6.4摻雜工藝
6.4.1直拉單晶矽的摻雜
6.4.2區熔矽單晶的摻雜
6.5帶狀多晶矽製造技術
6.5.1定邊餵膜帶矽技術
6.5.2枝蔓蹼狀（DWeb）帶矽技術
6.5.3SR帶矽技術
6.5.4RGS帶矽技術
6.5.5SSP帶矽技術
參考文獻
第7章矽片生產技術
7.1外圓加工
7.2內圓切割
7.3多線鋸切割技術
7.3.1多線鋸切割原理
7.3.2多線鋸切割的優點
7.3.3多線鋸切割走線方式
7.3.4多線鋸切割漿料
7.3.5多線鋸切割切削液
7.3.6碳化矽
7.3.7影響線切矽片的質量因素
7.3.8多線鋸切割設備的發展和組成部分
7.3.9矽片加工的發展趨勢
7.4清洗及腐蝕
7.4.1預清洗
7.4.2去除矽片表面切割損傷和制絨
7.5矽片絨面製備技術
7.5.1機械刻槽工藝
7.5.2等離子刻蝕法
7.5.3光刻技術
7.5.4電化學腐蝕法
7.5.5濕化學腐蝕法
參考文獻
附錄1物理常數
附錄2晶體矽的部分特性（300K）
附錄3符號一覽表
1.1晶體結構
1.2能帶和能級
1.3電學性質
1.3.1本徵載流子
1.3.2施主與受主
1.3.3非平衡載流子的產生和複合
1.3.4電阻率
1.3.5遷移率
1.3.6載流子擴散
1.4光學性質
1.4.1吸收係數
1.4.2折射率和反射率
1.5力學和熱學性質
1.5.1彈性常數
1.5.2硬度
1.5.3熱膨脹係數
1.5.4熱導率
1.6p—n結
1.6.1擴散法
1.6.2離子注入
1.7晶體矽太陽電池常規結構與工藝
參考文獻
第2章矽源合成工藝
2.1各種矽源的製備技術
2.1.1矽石
2.1.2冶金級矽
2.1.3三氯氫矽（trichlorosilane：TCS）
2.1.4四氯化矽（SiCl4）
2.1.5二氯二氫矽（SiH2Cl2）
2.1.6矽烷（SiH4）
2.2物理性質
2.2.1密度（液態）
2.2.2蒸氣壓
2.2.3比熱容（液態）
2.3化學性質
2.3.1安全性
2.3.2著火和爆炸性
2.3.3對材料的腐蝕性
參考文獻
第3章電子級多晶矽的製備
3.1改良西門子法製備多晶矽
3.1.1改良西門子法熱力學
3.1.2改良西門子法動力學
3.2改良西門子法工藝
3.2.1原料系統
3.2.2反應系統
3.2.3尾氣回收
3.2.4SiCl4冷氫化
3.2.5改良西門子法發展趨勢
3.3其他氯矽烷法製備多晶矽
3.3.1SiH2Cl2製備多晶矽
3.3.2SiCl4製備多晶矽
3.4矽烷法製備多晶矽工藝
3.4.1Asimi工藝
3.4.2MEMC工藝
3.5多晶矽材料的評價
參考文獻
第4章冶金法太陽級多晶矽提純技術
4.1冶金法多晶矽的進展
4.2冶金法多晶矽的提純工藝
4.2.1金屬矽的冶煉：從礦石到單質矽
4.2.2高純金屬矽冶煉工藝
4.2.3爐外精煉
4.2.4濕法冶金
4.2.5真空熔煉與定向凝固
4.3矽料的儲運和處理
4.3.1金屬矽的儲運和處理
4.3.2爐外精煉的矽料處理
4.3.3濕法矽料的處理
4.3.4真空裝料處理
4.4冶金法多晶矽的生產設備
4.4.1金屬矽冶煉設備
4.4.2爐外精煉設備
4.4.3濕法冶煉設備
4.4.4真空熔煉與鑄錠設備
4.4.5物料處理設備
4.4.6坩堝噴塗與燒結設備
4.5冶金法多晶矽的安全生產問題
4.5.1爐外精煉的安全問題
4.5.2濕法冶金的安全生產
4.5.3真空鑄錠時的安全生產
4.6冶金法多晶矽的套用
4.6.1冶金法多晶矽的成本優勢
4.6.2冶金法多晶矽的套用情況
4.6.3冶金法多晶矽套用中存在的問題及對策
4.6.4冶金法多晶矽的質量標準
4.6.5冶金法多晶矽的套用趨勢
參考文獻
第5章其他太陽級多晶矽提純技術
5.1流化床法
5.1.1SiH4流化床法
5.1.2TCS流化床法
5.2無氯法
5.3直接冶煉法
5.3.1原材料的處理
5.3.2碳熱還原過程
5.3.3矽的提煉
5.4區域熔化提純法
5.5氣液沉積法（VLD技術）
5.6常壓碘化學氣相傳輸淨化法
5.7電化學熔鹽電解法
5.7.1熔鹽直接電解SiO2製備多晶矽
5.7.2熔鹽電解精鍊冶金矽
5.8其他方法
5.9太陽級矽的存在問題和解決辦法
5.9.1存在問題
5.9.2解決辦法
參考文獻
第6章矽晶體生長工藝
6.1直拉法製備單晶矽
6.1.1直拉法製備單晶矽的原理
6.1.2直拉單晶生長系統簡介
6.1.3直拉法晶體生長工藝
6.2懸浮區熔法製備單晶矽工藝
6.2.1原理
6.2.2區熔單晶爐
6.2.3區熔工藝
6.3多晶矽製備技術
6.3.1多晶矽生長原理
6.3.2多晶矽鑄錠工藝
6.3.3多晶矽鑄錠爐
6.3.4未來的發展趨勢
6.4摻雜工藝
6.4.1直拉單晶矽的摻雜
6.4.2區熔矽單晶的摻雜
6.5帶狀多晶矽製造技術
6.5.1定邊餵膜帶矽技術
6.5.2枝蔓蹼狀（DWeb）帶矽技術
6.5.3SR帶矽技術
6.5.4RGS帶矽技術
6.5.5SSP帶矽技術
參考文獻
第7章矽片生產技術
7.1外圓加工
7.2內圓切割
7.3多線鋸切割技術
7.3.1多線鋸切割原理
7.3.2多線鋸切割的優點
7.3.3多線鋸切割走線方式
7.3.4多線鋸切割漿料
7.3.5多線鋸切割切削液
7.3.6碳化矽
7.3.7影響線切矽片的質量因素
7.3.8多線鋸切割設備的發展和組成部分
7.3.9矽片加工的發展趨勢
7.4清洗及腐蝕
7.4.1預清洗
7.4.2去除矽片表面切割損傷和制絨
7.5矽片絨面製備技術
7.5.1機械刻槽工藝
7.5.2等離子刻蝕法
7.5.3光刻技術
7.5.4電化學腐蝕法
7.5.5濕化學腐蝕法
參考文獻
附錄1物理常數
附錄2晶體矽的部分特性（300K）
附錄3符號一覽表
序言
太陽電池是一種特殊的半導體器件，太陽電池可以實現太陽光直接轉換為電力，是最有發展前途的可再生能源技術之一。光伏發電將在能源構成中占有愈來愈重要的地位，光伏發電目前正處於形成期，很快進入發展期，作為電能供應，在2040年以後有可能成為主導能源。2100年後，光伏發電以及太陽能熱發電有望成為人類最主要的電能供應形式。目前，晶體矽太陽電池是太陽電池發電的主流產品，我國通過不到10年時間的快速發展，已經成為世界晶體矽電池生產量最大的國家，相信未來晶體矽電池將會有更大的發展。
多年來，中山大學太陽能系統研究所致力於太陽電池技術的研究，在研究生培養與科研工作等方面都有突出的表現。近年來結合教學與科研工作，研究所的科研人員編著了多本專著，如《太陽能光伏發電技術》、《太陽電池》、《納米材料與太陽能利用》等，得到光伏行業與教育界的認可，為光伏行業人才的培養做出了積極的貢獻。
《多晶矽與矽片生產技術》全書內容由沈輝博士策劃與組織，由工作在第一線的高校、行業界多名科研與技術人員共同編寫，其中有些內容來自梁宗存、沈輝等用於本科生和研究生教學的部分講稿內容，主要內容包括晶體矽的物理性能、矽源合成工藝、高純多晶矽和太陽級矽原料的生產工藝、矽晶體生長工藝和矽片生產技術等。全書圖文並茂，理論與實際結合，特別是針對晶體矽太陽電池技術的發展特點與需求，對多晶矽與矽片的新技術、新發展做了比較詳細、系統的介紹。國內在這方面的參考書籍，特別是適合大學教學與企業專業技術人員參考的還不多，我認為這本書能夠很好地滿足這一市場需求。
20世紀60年代，我在北京大學工作期間，有幸能夠與著名物理學家黃昆教授共事，在黃昆教授的鼓勵下，我編寫了我國第一本《半導體材料》，至今已經50多年過去了，應該說我的那本書培養了好幾代人。從中山大學退休以後，得到沈輝教授的邀請，在中山大學太陽能系統研究所作為顧問，對年輕教師與研究生們做些學術指導。本人對於太陽能的利用有很大的興趣，還考察過多晶矽企業、太陽電池企業，並遇見了在北京大學當年聽過我講《半導體材料》課程的學生，他（她）們也都已退休。在這幾十年間我國半導體工業得到飛速發展，近些年太陽電池產業也是突飛猛進。我本人感慨萬分，也非常振奮。我希望這本《多晶矽與矽片生產技術》對於我國太陽能產業發展起到積極作用。
莫黨2013年9月30日
多年來，中山大學太陽能系統研究所致力於太陽電池技術的研究，在研究生培養與科研工作等方面都有突出的表現。近年來結合教學與科研工作，研究所的科研人員編著了多本專著，如《太陽能光伏發電技術》、《太陽電池》、《納米材料與太陽能利用》等，得到光伏行業與教育界的認可，為光伏行業人才的培養做出了積極的貢獻。
《多晶矽與矽片生產技術》全書內容由沈輝博士策劃與組織，由工作在第一線的高校、行業界多名科研與技術人員共同編寫，其中有些內容來自梁宗存、沈輝等用於本科生和研究生教學的部分講稿內容，主要內容包括晶體矽的物理性能、矽源合成工藝、高純多晶矽和太陽級矽原料的生產工藝、矽晶體生長工藝和矽片生產技術等。全書圖文並茂，理論與實際結合，特別是針對晶體矽太陽電池技術的發展特點與需求，對多晶矽與矽片的新技術、新發展做了比較詳細、系統的介紹。國內在這方面的參考書籍，特別是適合大學教學與企業專業技術人員參考的還不多，我認為這本書能夠很好地滿足這一市場需求。
20世紀60年代，我在北京大學工作期間，有幸能夠與著名物理學家黃昆教授共事，在黃昆教授的鼓勵下，我編寫了我國第一本《半導體材料》，至今已經50多年過去了，應該說我的那本書培養了好幾代人。從中山大學退休以後，得到沈輝教授的邀請，在中山大學太陽能系統研究所作為顧問，對年輕教師與研究生們做些學術指導。本人對於太陽能的利用有很大的興趣，還考察過多晶矽企業、太陽電池企業，並遇見了在北京大學當年聽過我講《半導體材料》課程的學生，他（她）們也都已退休。在這幾十年間我國半導體工業得到飛速發展，近些年太陽電池產業也是突飛猛進。我本人感慨萬分，也非常振奮。我希望這本《多晶矽與矽片生產技術》對於我國太陽能產業發展起到積極作用。
莫黨2013年9月30日
